M
特点
全差分输入
MCP3302 ： 2差分或4个单端输入
MCP3304 ： 4差分或8通道单端输入
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB（最大值） INL （ MCP3302 / 04 -B ）
± 2 LSB INL最大值（ MCP3302 / 04 -C ）
单电源供电： 2.7V至5.5V
100 ksps的采样速率与5V电源电压
50 ksps的采样速率工作电压为2.7V的电源电压
50 nA的典型待机电流， 1
A
最大
450
A
在5V最大工作电流
工业级温度范围： -40°C至+ 85°C
14和16引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
MXDEV
TM
可提供评估板
MCP3302/04
概述
Microchip Technology Inc.的MCP3302 / 04 13位A / D
转换器具有全差分输入和低功耗
消费小包装，非常适合电池
供电系统和远程数据采集应用
系统蒸发散。 MCP3302可被编程为2
差分输入对或4个单端输入。该
MCP3304是可编程的，并提供了四种differen-
TiAl基输入对或8通道单端输入。
结合逐次逼近架构
与主板上的采样和保持电路，这些13位
A / D转换器被指定为具有± 1 LSB Differen-
TiAl基非线性（DNL ） ; ± 1 LSB积分非线性
（ INL）为C-级器件B级和± 2 LSB 。该
工业标准的SPI 串行接口使13位
A / D转换功能被添加到任何的PICmicro
微控制器。
在MCP3302 / 04器件具有低电流设计
允许操作的典型待机和活跃
只有50 nA和300的电流
A,
分别。该
器件工作在2.7V至广泛的电压范围
5.5V和能够达到的转换率
100 ksps的。参考电压可以从改变
400 mV至5V，相输入端的分辨率
98间
V
和1.22毫伏。
13位差分输入，低功耗A / D转换器
与SPI 串行接口
应用
远程传感器
电池供电系统
传感器接口
封装类型
PDIP ， SOIC ， TSSOP
CH0
CH1
CH2
CH3
NC
NC
DGND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
MCP3302可提供14引脚PDIP ， 150万
SOIC和TSSOP封装。该MCP3304是可用
能够采用16引脚PDIP和150 mil SOIC封装形式。该
这些器件的全差分输入使广
中的应用，如使用的各种信号
远程数据采集，便携式仪表和
电池供电的应用。
MCP3302
PDIP ， SOIC
CH0
CH1
CH2
CH3
CH4
CH5
CH6
CH7
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
DGND
2002年Microchip的科技公司
MCP3304
DS21697B第1页
MCP3302/04
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
CH0-CH7
DGND
CS / SHDN
D
IN
D
OUT
CLK
AGND
V
REF
V
DD
模拟输入
数字地
片选/关断输入
在串行数据
串行数据输出
串行时钟
模拟地
参考电压输入
+ 2.7V至5.5V电源
功能
最大额定值*
V
DD
........................................................................ 7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.....- 0.3V到V
DD
+0.3V
储存温度.......................... -65C至+ 150C
环境温度。施加电源..... -65C至+ 125C
最高结温....................... 150℃
所有引脚（ HBM ） ESD保护.........................
＆ GT ;
4千伏
*注意：
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
电气规格
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V和V
REF
= 5V 。全差分
输入配置（图3-4 ），与2.5V的固定的共模电压。所有参数适用于以下温度
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C （注
7).
转换速度（F
样品
）为100ksps具有F
CLK
= 21*F
样品
参数
转化率
最大采样频率
转换时间
采集时间
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
正增益误差
负增益误差
偏移误差
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
INL
DNL
—
—
—
-3
-3
-3
12个数据位+符号
±0.5
±1
±0.5
-0.75
-0.5
+3
±1
±2
±1
+2
+2
+6
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
MCP3302/04-B
MCP3302/04-C
单调过热
F
样品
T
CONV
T
ACQ
—
—
—
—
13
1.5
100
50
kSPS时
kSPS时
CLK
期
CLK
期
注8
V
DD
= V
REF
= 2.7V, V
CM
=1.35V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
该规范是由特征值，并未经过100％测试。
请参见转换器性能与V特性曲线
REF
的水平。
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的。
V
DD
=5V
P-P
±500 mV的@ 1 kHz时，见测试电路如图3-3所示。
最大时钟频率规格必须满足。
V
REF
= 400 mV时， V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
TSSOP器件只在25℃和+ 85 ℃。
对于较慢的采样速率，请参见第6.2.1节以获取有关时钟频率的限制。
2002年Microchip的科技公司
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MCP3302/04
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V和V
REF
= 5V 。全差分
输入配置（图3-4 ），与2.5V的固定的共模电压。所有参数适用于以下温度
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C （注
7).
转换速度（F
样品
）为100ksps具有F
CLK
= 21*F
样品
参数
动态性能
总谐波失真
信噪比和失真
无杂散动态范围
共模抑制
通道间串扰
电源抑制
参考输入
电压范围
漏电流
模拟输入
满量程输入范围
绝对输入电压
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
二进制补
0.7 V
DD
—
4.1
—
-10
-10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
T
AMB
= 25 ° C，F = 1MHz时，
注1
R
S
C
样品
CH0 - CH7
CH0 - CH7
-V
REF
-0.3
—
—
—
—
—
0.001
1
25
V
REF
V
DD
+ 0.3
±1
—
—
V
V
A
k
pF
参见图6-3
参见图6-3
0.4
—
—
—
100
0.001
V
DD
150
3
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
THD
SINAD
SFDR
CMRR
CT
PSR
—
—
—
—
—
—
-91
78
92
79
> -110
74
—
—
—
—
—
—
dB
dB
dB
dB
dB
dB
注3
注3
注3
注6
注6
注4
符号
民
典型值
最大
单位
条件
该规范是由特征值，并未经过100％测试。
请参见转换器性能与V特性曲线
REF
的水平。
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的。
V
DD
=5V
P-P
±500 mV的@ 1 kHz时，见测试电路如图3-3所示。
最大时钟频率规格必须满足。
V
REF
= 400 mV时， V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
TSSOP器件只在25℃和+ 85 ℃。
对于较慢的采样速率，请参见第6.2.1节以获取有关时钟频率的限制。
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2002年Microchip的科技公司
MCP3302/04
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V和V
REF
= 5V 。全差分
输入配置（图3-4 ），与2.5V的固定的共模电压。所有参数适用于以下温度
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C （注
7).
转换速度（F
样品
）为100ksps具有F
CLK
= 21*F
样品
参数
时序规格：
时钟频率
（注8）
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
数据建立时间
数据保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
电源要求：
工作电压
工作电流
待机电流
温度范围：
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻：
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
热阻， 16L - PDIP
热阻， 16L - SOIC
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
70
108
100
70
90
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+85
+150
°C
°C
°C
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
—
—
—
—
300
200
0.05
5.5
450
—
1
V
A
A
V
DD
, V
REF
= 5V ，D
OUT
卸载
V
DD
, V
REF
= 2.7V ，D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
F
CLK
T
HI
T
LO
T
SUCS
T
SU
T
HD
T
DO
T
EN
T
DIS
T
CSH
T
R
T
F
0.105
0.105
210
210
100
50
—
—
—
—
475
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.1
1.05
—
—
—
—
50
125
200
125
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路，图3-1
注1
见测试电路，图3-1
注1
V
DD
= 5V ，见图3-1
V
DD
= 2.7V ，见图3-1
V
DD
= 5V ，见图3-1
V
DD
= 2.7V ，见图3-1
见测试电路，图3-1
注1
V
DD
= 5V ，女
样品
= 100 kSPS时
V
DD
= 2.7V ，女
样品
= 50 kSPS时
注5
注5
符号
民
典型值
最大
单位
条件
该规范是由特征值，并未经过100％测试。
请参见转换器性能与V特性曲线
REF
的水平。
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的。
V
DD
=5V
P-P
±500 mV的@ 1 kHz时，见测试电路如图3-3所示。
最大时钟频率规格必须满足。
V
REF
= 400 mV时， V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
TSSOP器件只在25℃和+ 85 ℃。
对于较慢的采样速率，请参见第6.2.1节以获取有关时钟频率的限制。
2002年Microchip的科技公司
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