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MC74LVX8051
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVX8051利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟,低导通电阻和低截止
漏电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制
模拟电压穿越整个电源范围可能会有所不同
(从V
CC
到GND) 。
该LVX8051是在引出线的高速HC4051A相似和
该金属栅MC14051B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个将被连接,通过装置
模拟开关的,以共同输出/输入。当Enable
引脚为高电平时,所有的模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS输出;上拉电阻,它们与兼容
LSTTL输出。
这种设备已被设计为使得导通电阻(R
on
)是
更线性的输入电压除R
on
的金属栅CMOS模拟
开关。
特点
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记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
LVX8051
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
LVX
8051
ALYW
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围(V
CC
- GND )= 2.5 6.0 V
数字(控制)电源电压范围(V
CC
- GND )= 2.5 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属栅
同行
低噪音
符合JEDEC标准号7A的要求
芯片的复杂性: LVX8051 - 184场效应管或46个等效门
无铅包可用*
16
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
1
LVX8051
ALYW
A
WL或L
Y
WW或W
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年4月 - 第4版
出版订单号:
MC74LVX8051/D
MC74LVX8051
V
CC
16
13
X2
15
X1
14
X0
13
X3
12
A
11
B
10
C
9
X0
14
X1
15
X2
类似物
12
输入/ X3
产出X4
1
5
X5
2
X6
4
X7
11
A
通道
10
B
SELECT
9
输入
C
6
启用
3
多路复用器/
多路解复用器
X
常见
输出/
输入
1
X4
2
X6
3
X
4
X7
5
X5
6
7
8
GND
NC启用
引脚连接和
标记图
( TOP VIEW )
功能表 - MC74LVX8051
控制输入
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
SELECT
B
A
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
逻辑图
MC74LVX8051
单极, 8位加共关闭
X =无关
订购信息
设备
MC74LVX8051DR2
MC74LVX8051DR2G
MC74LVX8051DT
MC74LVX8051DTR2
MC74LVX8051M
MC74LVX8051MG
MC74LVX8051MEL
MC74LVX8051MELG
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
2000磁带&卷轴
50单位/铁
2500磁带&卷轴
96单位/铁
2500磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74LVX8051
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压
模拟输入电压
(参考GND)
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
500
450
数字输入电压(参考GND)
直流电流,流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中,
存储温度范围
mA
P
D
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值(未正常工作条件下) ,并且不
同时有效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
参数
2.5
0.0
最大
6.0
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
模拟输入电压
(参考GND)
V
CC
V
CC
1.2
数字输入电压(参考GND)
在开关的静态或动态电压
GND
V
IO
*
T
A
工作温度范围,所有封装类型
– 55
+ 85
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
(通道选择或使能输入)
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
NS / V
0
0
100
20
*对于压降开关大于1.2 V(开关) ,过度V
CC
电流可以是
绘制;即,电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响,除非最大额定值超出。
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3
MC74LVX8051
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
1.50
2.10
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
±
0.1
4.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
±
1.0
40
≤125°C
1.50
2.10
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
±
1.0
160
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压,
通道选择或使能输入
条件
R
on
=每规格
V
IL
最大低电平输入电压,
通道选择或使能输入
R
on
=每规格
V
I
in
I
CC
最大输入漏电流,
通道选择或使能输入
最大静态电源
电流(每包)
V
in
= V
CC
或GND
通道选择,并启用
V
IS
= V
CC
或GND ; V
IO
= 0 V
mA
mA
DC电气特性
模拟部分
保证限额
v
85_C
45
32
28
35
28
25
20
12
12
符号
R
on
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
- 55
25_C
40
30
25
30
25
20
v
125_C
50
37
30
40
35
30
25
15
15
单位
W
最大“开”电阻
V
in
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
|I
S
|
v
10.0毫安(图1,图2)
V
in
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
或GND (端点)
|I
S
|
v
10.0毫安(图1,图2)
V
in
= V
IL
或V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
- GND )
|I
S
|
v
10.0毫安
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
15
8.0
8.0
W
I
关闭
最大断道泄漏
当前,任何一个频道
最大断通道
漏电流,
公共信道
I
on
最大导通通道
漏电流,
通道到通道
V
in
= V
IL
或V
IH
;
V
IO
= V
CC
或GND ;
开关(图3 )
V
in
= V
IL
或V
IH
;
V
IO
= V
CC
或GND ;
开关关闭(图4 )
V
in
= V
IL
或V
IH
;
交换机到交换机=
V
CC
或GND ; (图5)
0.1
0.5
1.0
mA
5.5
0.2
2.0
4.0
5.5
0.2
2.0
4.0
mA
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4
MC74LVX8051
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟,通道选择模拟输出
(图9 )
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
保证限额
-55 25℃
30
20
15
15
4.0
3.0
1.0
1.0
30
20
15
15
20
12
8.0
8.0
10
35
130
1.0
≤85°C
35
25
18
18
6.0
5.0
2.0
2.0
35
25
18
18
25
14
10
10
10
35
130
1.0
≤125°C
40
30
22
20
8.0
6.0
2.0
2.0
40
30
22
20
30
15
12
12
10
35
130
1.0
单位
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟,模拟输入到模拟输出
(图10 )
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟,使模拟输出
(图11)
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟,使模拟输出
(图11)
ns
C
in
C
I / O
最大输入电容,通道选择或使能输入
最大电容
(所有的开关关闭)
模拟量I / O
COMMON O / I
穿心
pF
pF
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(图13) *
45
pF
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
.
额外的应用特性
( GND = 0V)
V
CC
V
限制*
25°C
单位
兆赫
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
80
80
80
50
50
50
37
37
37
25
105
135
35
145
190
%
3.0
4.5
5.5
0.10
0.08
0.05
mV
PP
dB
符号
BW
参数
最大导通通道带宽或
最小f
宓我
频率
响应
(图6)
条件
f
in
= 1MHz的正弦波;调整F
in
电压获取
为0dBm吨
0分贝在V
OS
; I
增加F
in
频率,直到分贝
F
直到ü
仪表读取-3dB ;
R
L
= 50W ,C
L
= 10pF的
f
in
=正弦波;调整F
in
电压,以获得为0dBm
在V
IS
f
in
= 10kHz时,R
L
= 600W ,C
L
= 50pF的
关通道穿心隔离
(图7)
f
in
= 1.0MHz的,R
L
= 50W ,C
L
= 10pF的
穿心噪声。通道选择
输入到通用I / O (图8 )
V
in
1MHz的方波(T
r
= t
f
= 6ns的) ;调整R
L
在安装程序,这样我
S
= 0A;
启用= GND
R
L
= 600W ,C
L
= 50pF的
R
L
= 10千瓦,C
L
= 10pF的
THD
总谐波失真
(图14)
f
in
= 1kHz时,R
L
= 10千瓦,C
L
= 50pF的
总谐波失真THD =
THD
来源
V
IS
= 2.0V
PP
正弦波
V
IS
= 4.0V
PP
正弦波
V
IS
= 5.0V
PP
正弦波
*没有测试极限。由设计决定,并经资格验证。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC74LVX8051DR2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
MC74LVX8051DR2
ON/安森美
20+
28000
SOP-16
原装正品,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881291855 复制

电话:0755-82524647
联系人:邝小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北路宝华大厦A座A813
MC74LVX8051DR2
ON SEMICONDUCTOR
23+
7500
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MC74LVX8051DR2
onsemi
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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ON/安森美
24+
9634
SOP-16
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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ON
25+23+
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