MCR12DSM , MCR12DSN
首选设备
敏感栅硅
控制整流器
反向阻断晶闸管
设计用于高容量,低成本,工业和消费
应用,例如马达控制;过程控制;温度,光
和速度控制。
特点
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小型
钝化死的可靠性和一致性
低电平触发和保持特性
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值:
人体模型, 3B
u
8000 V
机器型号,C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1 )
(T
J
= -40 110℃ ,正弦波, 50到60赫兹,
门打开)
MCR12DSM
MCR12DSN
开启状态RMS电流
( 180 °导通角;吨
C
= 75°C)
平均通态电流
( 180 °导通角;吨
C
= 75°C)
峰值不重复浪涌电流
( 1/2周期,正弦波60赫兹,T
J
= 110°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
正向峰值功率门
(脉冲宽度
≤
1.0
毫秒,
T
C
= 75°C)
正向平均栅极电源
(T = 8.3毫秒,T
C
= 75°C)
正向栅极峰值电流
(脉冲宽度
≤
1.0
毫秒,
T
C
= 75°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
600
800
I
T( RMS )
I
T( AV )
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
T
J
T
英镑
12
7.6
100
41
5.0
0.5
2.0
-40至110
-40至150
A
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
W
G
A
°C
°C
1
2
3
价值
单位
V
1 2
3
可控硅
12安培RMS
600 - 800伏
G
A
K
记号
图表
4
DPAK
CASE 369C
方式4
YWW
R1
2DSxG
4
DPAK3
CASE 369D
方式4
YWW
R1
2DSxG
Y
WW
R12DSx
=年
=工作周
=器件代码
X = M或N
= Pb-Free包装
引脚分配
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而,正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年11月 - 第4版
出版订单号:
MCR12DSM/D
MCR12DSM , MCR12DSN
热特性
特征
热阻 - 结到外壳
热阻
- 结到环境
热阻
- 结到环境(注2 )
最大的铅焊接温度的目的(注3 )
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
2.2
88
80
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流(注4 )
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
; R
GK
= 1.0千瓦)
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
基本特征
峰值反向门阻断电压, (我
GR
= 10
毫安)
峰值反向门阻断电流, (V
GR
= 10 V)
正向峰值通态电压(注5 ) , (我
TM
= 20 A)
门极触发电流(连续DC) (注6 )
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
门极触发电压(连续DC ) (注6 )
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
V
GT
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
T
J
= 110°C
I
H
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
I
L
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
TGT
2.0
5.0
0.5
1.0
6.0
10
ms
0.5
1.0
6.0
10
mA
0.45
0.2
0.65
1.0
1.5
mA
V
GRM
I
GRM
V
TM
I
GT
5.0
12
200
300
V
10
12.5
1.3
18
1.2
1.9
V
mA
V
mA
I
DRM
,
I
RRM
mA
10
500
符号
民
典型值
最大
单位
保持电流
(V
D
= 12 V ,起爆电流为200 mA时,门打开)
闭锁电流
(V
D
= 12 V,I
G
= 2.0 mA)的
开启时间
(源极电压= 12 V ,R
S
= 6.0 KW ,我
T
= 16 A( PK) ,R
GK
= 1.0千瓦)
(V
D
=额定V
DRM
,上升时间= 20 ns的脉冲宽度= 10
女士)
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.67 ×额定V
DRM
,指数波形,R
GK
= 1.0千瓦,T
J
= 110°C)
dv / dt的
2.0
10
V / ms的
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.评级申请的负栅极电压或R
GK
= 1.0千瓦。装置不得有一个正栅极电压的同时将负电压
在阳极上。设备不应与一个恒定电流源,用于正向测试和反向阻断能力,使得所述电压
外加超过额定阻断电压。
5.脉冲测试:脉冲宽度
≤
2.0毫秒,占空比
≤
2%.
6. R
GK
目前不包括在测量。
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2
MCR12DSM , MCR12DSN
10
T
J
= 25°C
IH ,保持电流(毫安)
8.0
静态的dv / dt (V /
m
s)
100
70°C
90°C
T
J
= 110°C
10
1000
6.0
I
GT
= 25
mA
4.0
I
GT
= 10
mA
2.0
0
100
1.0
1000
R
GK
,门极 - 阴极电阻(欧姆)
10 K
100
R
GK
,门极 - 阴极电阻(欧姆)
1000
图9.保持电流与
门极 - 阴极电阻
图10.指数静态dv / dt的对比
门极 - 阴极电阻和结
温度
1000
1000
T
J
= 110°C
400 V
静态的dv / dt (V /
m
s)
100
静态的dv / dt (V /
m
s)
V
D
= 800 V
T
J
= 110°C
100
I
GT
= 25
mA
600 V
V
PK
= 800 V
I
GT
= 10
mA
10
10
1.0
100
R
GK
,门极 - 阴极电阻(欧姆)
1000
1.0
100
R
GK
,门极 - 阴极电阻(欧姆)
1000
图11.指数静态dv / dt的对比
门极 - 阴极电阻和电压峰值
图12.指数静态dv / dt的对比
门极 - 阴极电阻和栅极触发
电流灵敏度
订购信息
设备
MCR12DSMT4
MCR12DSMT4G
MCR12DSN001
MCR12DSN001G
MCR12DSNT4
MCR12DSNT4G
套餐类型
DPAK
DPAK
(无铅)
DPAK3
DPAK3
(无铅)
DPAK
DPAK
(无铅)
包
369C
369C
369D
369D
369C
369C
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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