MC74HCT573A
八路三态同相
透明锁存器与
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT573A在引出线的LS573是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据会议的建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到
高阻抗状态。因此，数据可以被即使当锁存
输出未启用。
该HCT573A是相同的函数来HCT373A但具有
在封装的从输出的相对侧的数据输入
方便的PC板布局。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP–20
SUF科幻X
CASE 738
1
MC74HCT573AN
AWLYYWW
1
20
20
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP–20
DT后缀
CASE 948G
HCT573A
AWLYYWW
20
HCT
573A
ALYW
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 10
A
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 234场效应管或58.5等效门
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74HCT573AN
MC74HCT573ADW
包
PDIP–20
SOIC- WIDE
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
MC74HCT573ADWR2 SOIC- WIDE
MC74HCT573ADT
MC74HCT573ADTR2
TSSOP–20
TSSOP–20
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HCT573A/D
MC74HCT573A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： -6.1毫瓦/ ° C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
4.5
0
最大
5.5
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
VCC
– 55
0
+ 125
500
_
C
ns
TR ， TF
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
VIL
参数
测试条件
VCC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25
_
C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
85
_
C
v
125
_
C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
VOH
最小高电平输出
电压
v
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
v
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
6.0毫安
v
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
VOL
最大低电平输出
电压
v
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
v
6.0毫安
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
V
0.26
0.33
IIN
最大输入漏电流
最大的三态
漏电流
VIN = VCC或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
A
A
IOZ
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT
0
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
v
5.5
4.0
40
160
A
I
CC
额外的静态电源
当前
VIN = 2.4 V ，任何一个输入
VIN = VCC和GND ，另一个在UTS
GND
输入
糊涂人= 0
A
≥
– 55
_
C
2.9
25
_
C至125
_
C
2.4
5.5
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
http://onsemi.com
3
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
tPLZ ，
tPHZ
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
tTZL ，
tTZH
TPLH
的TPH1
COUT
CIN
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
最大传输延迟，输入端D到输出Q
（图1和5）
参数
时序要求
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
符号
TR ， TF
TSU
CPD
tw
th
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
功率耗散电容（每启用输出） *
参数
http://onsemi.com
MC74HCT573A
4
图。
1
2
4
4
- 55 25
_
C
民
5.0
15
10
最大
500
- 55
25
_
C
15
10
12
28
28
30
30
保证限额
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
民
5.0
保证限额
19
13
v
85
_
C
v
85
_
C
最大
500
15
10
15
35
35
38
38
48
民
5.0
22
15
v
125
_
C
v
125
_
C
15
10
18
42
42
45
45
最大
500
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HCT573A
八路三态同相
透明锁存器与
LSTTL兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT573A在引出线的LS573是相同的。这
设备可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL或NMOS
输出的高速CMOS输入。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据会议的建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到
高阻抗状态。因此，数据可以被即使当锁存
输出未启用。
该HCT573A是相同的函数来HCT373A但具有
在封装的从输出的相对侧的数据输入
方便的PC板布局。
http://onsemi.com
记号
图表
20
PDIP20
SUF科幻X
CASE 738
1
20
MC74HCT573AN
AWLYYWW
1
20
20
1
SOIC宽20
DW后缀
CASE 751D
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
HCT573A
AWLYYWW
20
HCT
573A
ALYW
1
输出驱动能力： 15输入通道负载
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 10
μA
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 234场效应管或58.5等效门
- 改进了传输延迟
- 50 ％，更低的静态功耗
20
1
A
WL
YY
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74HCT573AN
MC74HCT573ADW
MC74HCT573ADT
MC74HCT573ADTR2
包
PDIP20
SOIC- WIDE
TSSOP20
TSSOP20
航运
1440 /箱
38 /铁
1000 /卷
75 /铁
2500 /卷
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
MC74HCT573ADWR2 SOIC- WIDE
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启示录11
1
出版订单号：
MC74HCT573A/D
MC74HCT573A
最大额定值*
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， TSSOP和SOIC封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1
毫瓦/ ℃，从65℃至125℃的
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
V
CC
T
A
直流电源电压（参考GND）
4.5
0
5.5
V
V
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
500
– 55
0
+ 125
_C
ns
符号
参数
民
最大
单位
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
符号
V
IH
V
IL
参数
测试条件
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
- 55
25_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
v
125_C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
单位
V
V
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
μA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
μA
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
6.0毫安
最大低电平输入
电压
V
OH
最小高电平输出
电压
3.98
0.1
0.1
3.84
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
0.26
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大的三态
漏电流
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
μA
μA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
v
0
μA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
5.5
4.0
40
160
μA
ΔI
CC
额外的静态电源
当前
V
in
= 2.4 V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
μA
≥
– 55_C
2.9
25 ° C至125°C
2.4
5.5
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
http://onsemi.com
3
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
T
PLZ ，
T
PHZ
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
TZL ，
t
TZH
C
OUT
t
PLH
t
PHL
C
in
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，锁存使能以Q
（图2和5）
最大传输延迟，输入端D到输出Q
（图1和5）
参数
时序要求
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
r
, t
f
t
su
C
PD
t
w
t
h
最大输入上升和下降时间
最小脉冲宽度，锁存使能
最小保持时间，锁存使能为输入端D
最小建立时间，输入端D锁存使能
功率耗散电容（每启用输出） *
参数
http://onsemi.com
MC74HCT573A
4
图。
1
2
4
4
2
F +我
- 55 25_C
民
5.0
15
10
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
最大
500
- 55
25_C
15
10
12
28
28
30
30
保证限额
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
民
5.0
保证限额
19
13
v
85_C
v
85_C
最大
500
15
10
15
35
35
38
38
48
民
5.0
22
15
v
125_C
v
125_C
15
10
18
42
42
45
45
最大
500
单位
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
QQ：2880707522 复制
