摩托罗拉
半导体技术资料
产品预览
8位可寻址锁存器
1 - 8解码器
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC259A在引出线的LS259是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC259A具有四种工作模式中所示的模式选择
表。在可寻址锁存模式中，数据在数据被写入到
地址锁存器。该解决锁存如下数据输入与所有
非寻址留在他们以前的状态锁存器。在存储器
模式下，所有的锁存器保持在其以前的状态，并且不受
数据或地址输入。在1 -的八个解码或解复用
模式中，被寻址的输出如下所示的数据在该状态下与所有其它输出
在低状态。在复位模式下，所有输出为低，并且不受
地址和数据的输入。当操作HC259A作为
可寻址锁存，改变地址的多个位可以征收
一过性错误的地址。因此，这仅应做的同时，在
内存模式。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 202场效应管或50.5等效门
逻辑图
1
A0
2
A1
3
A2
4
Q0
5
Q1
6
Q2
7
Q3
9
Q4
10
Q5
11
Q6
12
Q7
MC54/74HC259A
后缀
陶瓷封装
CASE 620-10
1
16
16
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 648-08
16
1
后缀
SOIC封装
CASE 751B -05
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948F -01
16
1
订购信息
MC54HCXXXAJ
MC74HCXXXAN
MC74HCXXXAD
MC74HCXXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
引脚分配
A0
A1
A2
Q0
Q1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
RESET
启用
DATA IN
Q7
Q6
Q5
Q4
地址
输入
同相
输出
Q2
Q3
GND
DATA IN
13
15
RESET
14
启用
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
模式选择表
启用
L
H
L
H
RESET
H
H
L
L
模式
可寻址锁存器
内存
8行解复用器
RESET
C
L
L
L
L
H
H
H
H
锁存器选型表
地址输入
B
L
L
H
H
L
L
H
H
A
L
H
L
H
L
H
L
H
LATCH
讨论
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
REV 0
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
（电压参考GND）
推荐工作条件
MC54/74HC259A
符号
VIN，VOUT
符号
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOUT
VCC
VIN
PD
TL
VOH
TR ， TF
IIN
TA
VIH
VIL
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
（陶瓷DIP ）
储存温度
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
DC输入电流，每个引脚
DC输出电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
输入上升和下降时间
（图1）
工作温度，所有封装类型
直流输入电压，输出电压（参考GND）
直流电源电压（参考GND）
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
2
– 55
民
2.0
价值
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0
0
0
0
0
±
50
±
25
±
20
260
300
750
500
450
+ 125
1000
600
500
400
VCC
最大
6.0
VCC
V
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
mA
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
0.5
0.9
1.35
1.80
1.5
2.1
3.15
4.2
2.48
3.98
5.48
1.9
4.4
5.9
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
0.5
0.9
1.35
1.80
1.5
2.1
3.15
4.2
2.34
3.84
5.34
1.9
4.4
5.9
v
0.5
0.9
1.35
1.80
1.5
2.1
3.15
4.2
2.20
3.70
5.20
1.9
4.4
5.9
v
单位
V
V
V
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
符号
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
VOL
的TPH1
CPD
ICC
CIN
IIN
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
功率耗散电容（每包） *
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和6 ）
最大传输延迟，复位到输出
（图4和6）
最大传输延迟，使能到输出
（图3和6）
最大传输延迟，地址选择要输出
（图2和6）
最大传输延迟，数据到输出
（图1和6 ）
参数
参数
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
VIN = VCC或GND
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
测试条件
3
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
VCC
V
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
- 55
25
_
C
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
±
0.1
0.26
0.26
0.26
150
60
32
28
150
60
32
28
125
45
32
25
110
36
22
19
0.1
0.1
0.1
10
75
27
15
13
4
保证限额
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
v
85
_
C
v
125
_
C
±
1.0
0.33
0.33
0.33
125
45
26
23
175
70
40
30
175
70
40
30
160
60
32
28
0.1
0.1
0.1
10
95
32
19
16
40
30
MC54/74HC259A
±
1.0
0.40
0.40
0.40
160
60
32
28
200
80
45
35
200
80
45
35
175
70
42
33
160
110
36
22
19
0.1
0.1
0.1
10
摩托罗拉
单位
单位
A
A
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
V
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
MC54/74HC259A
符号
TR ， TF
TSU
tw
th
最大输入上升和下降时间
（图1）
最小脉冲宽度，设置或启用
（图3或4）
最小保持时间，以使地址或数据
（图5）
最小建立时间，地址或数据启用
（图5）
参数
4
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1000
800
500
400
70
27
15
13
75
30
15
13
1
1
1
1
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
1000
800
500
400
90
32
19
16
95
40
19
16
1
1
1
1
1000
800
500
400
100
36
22
19
110
55
22
19
1
1
1
1
单位
ns
ns
ns
ns
QQ：2880707522 复制
