MC74HC157A
四2输入数据
选择器/多路复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC157A在引出线的LS157是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该器件路线2半字节（A或B ），以单个端口（ Y）为
通过选择输入确定。的数据出现在输出端
反的形式。高层次的输出使能输入设置四个
输出到一个较低的水平。
特点
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记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC157A
ALYWG
HC
157A
ALYWG
G
HC157AG
AWLYWW
MC74HC157AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 82场效应管或20.5等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 9牧师
出版订单号：
MC74HC157A/D
MC74HC157A
A0
轻咬
A输入
A1
A2
A3
B0
轻咬
B输入
B1
B2
B3
SELECT
产量
启用
2
5
11
14
3
6
10
13
1
15
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
4
7
9
12
Y0
Y1
Y2
Y3
数据
输出
SELECT
A0
B0
Y0
A1
B1
Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
产量
启用
A3
B3
Y3
A2
B2
Y2
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
输入
产量
启用
H
L
L
SELECT
X
L
H
输出
Y0 Y3
L
A0 A3
B0 B3
X =无关
A0 - A3 ， B0 - B3 =的水平
相应的数据字的输入。
订购信息
设备
MC74HC157AN
MC74HC157ANG
MC74HC157AD
MC74HC157ADG
MC74HC157ADR2
MC74HC157ADR2G
MC74HC157ADTR2
MC74HC157ADTR2G
MC74HC157AFEL
MC74HC157AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC157A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压
（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
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3
MC74HC157A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
0.1
0.1
0.1
符号
V
OL
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
0.1
0.1
0.1
v
125_C
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
单位
V
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
I
in
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
±
0.1
±
0.5
±
1.0
±
5.0
±
1.0
±
10
mA
mA
I
OZ
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
I
CC
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
6.0
4.0
40
160
mA
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
保证限额
v
85_C
130
85
26
22
140
90
28
24
125
80
25
21
95
32
19
16
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
105
65
21
18
110
70
22
19
v
125_C
160
115
32
27
165
115
33
28
150
110
30
26
110
36
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和4 ）
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，选择输出Y
（图2和4）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，输出使能到输出Y
（图3和4）
100
60
20
17
75
27
15
13
10
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和4 ）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
33
C
PD
功率耗散电容（每包） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
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4
MC74HC157A
引脚说明
输入
A0，A1， A2，A3 （引脚2 ， 5 ，11， 14）的
四位A输入。这两个引脚上的数据是目前
传送到输出，当选择输入是在低
级和输出使能输入是在一个较低的水平。数据
被呈现给在非反相的形式输出。
B0，B1 ，B2，B3 （引脚3 ，6，10 ，13）
这两个引脚上的数据目前是在其反的形式。为
输出使能输入处于高电平时，输出处于一个
低的水平。
控制输入
选择（引脚1 ）
四位B输入端。这两个引脚上的数据是目前
传送到输出，当选择输入是在一个较高的
级和输出使能输入是在一个较低的水平。数据
被呈现给在非反相的形式输出。
输出
Y0，Y1 ，Y2，Y3 （管脚4,7 ，9，12 ）
四位选择。此输入确定的数据字是
传送到输出。在此输入的低电平选择
在A输入高电平选择B输入。
输出使能（引脚15 ）
输出使能输入。在此输入的低电平使
选定的输入数据被呈现在输出端。高
在此输入电平设置所有输出为低电平。
数据输出。选定的输入四位呈现在
这些输出时，输出使能输入是在一个较低的水平。
开关波形
t
r
输入A或B
t
PLH
输出y
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
90%
50%
10%
t
f
V
CC
t
PHL
GND
t
r
SELECT
t
PLH
输出y
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
90%
50%
10%
t
f
V
CC
t
PHL
GND
图3. HC157A
t
r
产量
启用
t
PHL
输出y
t
THL
90%
50%
10%
90%
50%
10%
图4. 与选择，非反相
t
f
V
CC
GND
t
PLH
t
TLH
图5. HC157A
测试点
产量
设备
下
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
图6.测试电路
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5
QQ：2880707522 复制
