【三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>M63802P/FP/GP/KP7 -UN】,IC型号M63802KP,M63802KP PDF资料,M63802KP经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63802P/FP/GP/KP

7 -UNIT 300毫安晶体管阵列

描述

M63802P ， M63802FP ， M63802GP和M63802KP是

七电路辛格晶体管阵列。该电路是由

NPN晶体管。两个半导体集成税务局局长

cuits进行大电流驱动用极低的输入 -

电流供应。

引脚配置

IN1

→

IN2

→

IN3

→

输入

IN4→

IN5→

IN6

→

IN7→

→

产量

特点

四包配置（P ，FP， GP和KP）

媒体击穿电压（ BV

首席执行官

≥

35V)

同步电流（I

C（最大值）

= 300毫安）

与齐纳二极管

低输出饱和电压

宽工作温度范围（ TA = -40至+ 85°C ）

GND

16P4(P)

16P2N-A(FP)

16P2S-A(GP)

封装形式16P2Z -A （ KP ）

NC ：无连接

电路图

产量

应用

驾驶指示元素的数字驱动器（ LED和

灯）小信号

Vz=7V

输入

10.5k

10k

GND

七电路共用接地。

功能

该M63802P ， M63802FP ， M63802GP和M63802KP每

有七电路组成的NPN晶体管。该晶体管

器的发射器都连接到GND引脚（引脚8）。

晶体管允许300毫安集热器流同步

电流。最大35V电压之间可以应用

集电极和发射极。

二极管，用虚线表示，是寄生的，并

不能使用。

单位：

绝对最大额定值

符号

首席执行官

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流

输入电压

（除非另有说明， TA = -40 + 85

条件

输出，H

电流每路输出，L

M63802P

评级

–0.5 ~ +35

300

–0.5 ~ +35

1.47

1.00

0.80

0.78

–40 ~ +85

–55 ~ +125

单位

功耗

TA 25 ° C，安装时=

在船上

M63802FP

M63802GP

M63802KP

OPR

英镑

工作温度

储存温度

°C

2000年1月

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63802P/FP/GP/KP

7 -UNIT 300毫安晶体管阵列

推荐工作条件

（除非另有说明， TA = -40 + 85

符号

参数

输出电压

M63802P

集电极电流

（目前每1电路

当7电路

未来的simulta- M63802GP

neously ）

M63802KP

输入电压

M63802FP

占空比不超过45 ％

占空比不超过100 ％

占空比不超过30 ％

占空比不超过100 ％

占空比不超过24 ％

占空比不超过100 ％

占空比不超过24 ％

占空比不超过100 ％

测试条件

范围

民

典型值

—

最大

250

160

250

130

250

120

250

120

单位

电气特性

（除非另有说明， TA = 25

符号

（ BR ） CEO

CE （ SAT ）

IN（上）

参数

集电极 - 发射极击穿电压

测试条件

范围

民

—

典型值

—

最大

—

0.2

0.8

—

单位

—

首席执行官

= 10A

= 1mA时，我

= 10毫安

集电极 - 发射极饱和电压

= 2毫安，我

= 150毫安

“在”输入电压

= 1mA时，我

= 10毫安

直流放大系数

= 10V ，我

= 10毫安

开关特性

符号

关闭

参数

开启时间

打开-O FF时间

（除非另有说明， TA = 25

测试条件

= 15pF的（注1 ）

范围

民

—

典型值

140

240

最大

—

单位

注1：测试电路

输入

测量设备

时序图

50%

输入

50%

产量

50%

吨

花花公子

（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，

TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，V

= 18V

（ 2 ）输入输出条件下，R

= 220Ω ， VO = 35V

（ 3 ）静电电容C

包括浮动电容

连接和输入电容探头

2000年1月

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63802P/FP/GP/KP

7 -UNIT 300毫安晶体管阵列

典型特征

热弄脏要素特征

2.0

输入特性

功耗PD （W ）

输入电流

（MA ）

1.5

M63802P

TA = -40°C

TA = 25°C

1.0

M63802FP

M63802GP

M63802KP

0.744

0.520

0.418

0.406

0.5

TA = 85°C

75 85

100

环境温度Ta （C ）

占空比集电极特性

(M63802P)

400

输入电压

(V)

占空比集电极特性

(M63802P)

集电极电流Ic （ mA）的

300

1~4

集电极电流Ic （ mA）的

300

1~2

200

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 85°C

100

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 25°C

100

占空比（％）

占空比集电极特性

(M63802FP)

400

占空比（％）

占空比集电极特性

(M63802FP)

400

集电极电流Ic （ mA）的

300

1~3

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

Ta=25°C

300

200

100

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 85°C

100

占空比（％）

2000年1月

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63802P/FP/GP/KP

7 -UNIT 300毫安晶体管阵列

400

占空比集电极特性

(M63802GP/KP)

400

占空比集电极特性

(M63802GP/KP)

集电极电流Ic

（MA ）

300

集电极电流Ic

（MA ）

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 25°C

300

200

100

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 85°C

100

占空比（％）

输出饱和电压

集电极电流特性

250

TA = 25°C

= 2毫安

占空比（％）

输出饱和电压

集电极电流特性

100

TA = 25 ℃， V

= 32V

= 28V

= 1.5毫安

集电极电流Ic （ mA）的

200

= 3毫安

= 24V

= 20V

150

= 1毫安

= 16V

100

- 0.5毫安

= 12V

0.2

0.4

0.6

0.8

0.05

0.10

0.15

0.20

输出饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

输出饱和电压

集电极电流特性

100

= 2毫安

输出饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

直流放大系数

集电极电流特性

直流放大因子H

集电极电流Ic （ mA）的

TA = 25°C

= 10V

TA = -40°C

TA = 25°C

TA = 85°C

0.05

0.10

0.15

0.20

2 3 5 7

集电极电流Ic （ mA）的

输出饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

2000年1月