MC74HC138A
1 - 8解码器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC138A在引出线的LS138是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC138A解码3位地址，以1 -的八个
低电平有效的输出。该器件具有三个片选输入，两路
低电平和一个高有效的，以便多路分用，
级联和片选功能。解复用功能
通过使用该地址输入以选择所需的完成
器件输出;该芯片选择中的一个被用作数据输入，而
其他的片选保持在它们的激活状态。
特点
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记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC138A
ALYWG
HC
138A
ALYWG
G
HC138AG
AWLYWW
MC74HC138AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
m
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
芯片的复杂性： 100场效应管或29个等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 9牧师
出版订单号：
MC74HC138A/D
MC74HC138A
A0
A1
A2
1
2
3
15
Y0
14
Y1
13
Y2
12
Y3
11
Y4
10
Y5
9
Y6
7
Y7
A0
A1
A2
CS2
CS3
CS1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
地址
输入
ACTIVE -LOW
输出
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
CS3
6
4
5
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
输入
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CS1CS2 CS3中A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
H =高电平（稳态） ; L =低电平（稳态） ; X =不关心
订购信息
设备
MC74HC138AN
MC74HC138ANG
MC74HC138AD
MC74HC138ADG
MC74HC138ADR2
MC74HC138ADR2G
MC74HC138ADTR2
MC74HC138ADTR2G
MC74HC138AF
MC74HC138AFG
MC74HC138AFEL
MC74HC138AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC138A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下） ，并且不
同时有效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1 .W / _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图2）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
-55 ° C到25°C时
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
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3
MC74HC138A
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
I
in
最大输入漏
当前
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
170
125
34
29
140
100
28
24
150
120
30
26
95
40
19
16
10
-55 ° C到25°C时
135
90
27
23
110
85
22
19
v
125_C
205
165
41
35
165
125
33
28
180
150
36
31
110
55
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和4 ）
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟， CS1到输出Y
（图2和4）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟， CS2或CS3到输出Y
（图3和4）
120
90
24
20
75
30
15
13
10
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图2和4）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
55
C
PD
功率耗散电容（每包） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
MC74HC138A
开关波形
有效
输入A
t
PLH
输出y
50%
50%
t
PHL
输出y
t
THL
有效
V
CC
GND
输入CS1
t
PHL
t
r
90%
50%
10%
90%
50%
10%
t
f
V
CC
t
PLH
GND
t
TLH
图1 。
图2中。
测试点
t
f
输入
CS2，CS3
90%
50%
10%
t
r
V
CC
t
PLH
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
输出y
90%
50%
10%
t
PHL
t
THL
t
TLH
*包括所有探测和夹具电容
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
引脚说明
地址输入
A0，A1， A2（引脚1 ，2，3 ）
地址输入。为CS1，CS2，和其他任何组合
CS3中，所述输出处于逻辑高电平。
输出
Y0 - Y7 （引脚15 ，14， 13 ，12， 11 ，10， 9,7 ）
地址输入。这些输入，当选择了芯片，
确定的八个输出为低电平有效。
控制输入
CS1，CS2， CS3的（引脚6 ， 4,5）
片选输入。对于CS1在高电平和CS2，CS3
处于低电平时，芯片被选择，并且输出遵循
低电平有效的解码输出。这些输出假设
低级处理时，芯片被选中。这些
输出保持高电平时得不到解决或芯片不
选择。
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5
QQ：2880707522 复制
