【富士通半导体数据表DS05-11402-2E内存CMOS8× 256K ×32位， FCRAMTMC】,IC型号MB81P643287-50,MB81P643287-50 PDF资料,MB81P643287-50经销商,ic,电子元器件-51电子网

富士通半导体

数据表

DS05-11402-2E

内存

CMOS

8× 256K ×32位， FCRAM

TM

CORE

基于双数据速率SDRAM

MB81P643287-50/-60

CMOS 8 - X银行262,144字×32位， FCRAM核心基

同步动态随机存取存储器

双倍数据速率

s

描述

富士通MB81P643287是CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM ）和富士通

先进的FCRAM （快速循环随机存取存储器）的核心技术，包含67,108,864存储单元

访问中的32位的格式。该MB81P643287功能参考时钟完全同步操作

边缘即所有的操作都在一个时钟输入使高性能和简单的用户同步

接口共存。该MB81P643287旨在减少使用标准动态RAM的复杂性

（DRAM ），它需要许多控制信号timin.g约束。该MB81P643287采用双倍数据速率（ DDR ）

其中，数据带宽是速度快两倍与普通SDRAM的比较。

该MB81P643287非常适合于数字视频系统，高性能图形适配器，硬件

促进剂，缓冲液，以及其它应用中的大存储密度和高的有效带宽是

要求和需要一个简单的接口。

该MB81P643287采用了新的I / O接口电路， SSTL_2接口，它能够非常快速的数据

质量在终止或点转移到点总线环境。

s

产品线

参数

时钟频率

突发模式周期时间

随机地址周期时间

DQS访问时间从时钟

工作电流

掉电电流

注意： FCRAM是富士通有限公司，日本的注册商标。

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

MB81P643287

-50

200 MHz的最大。

133 MHz的最大。

2.5 ns（最小值）。

3.75 ns（最小值）。

30 ns（最小值）。

0.1

×

t

CK

+ 0.2 ns（最大值）。

460毫安最大。

mA（最大值） 35 。

-60

167 MHz的最大。

111 MHz的最大。

3.0 ns（最小值）。

4.5 ns（最小值）。

36 ns（最小值）。

0.1

×

t

CK

+ 0.2 ns（最大值）。

405毫安最大。

MB81P643287-50/-60

s

特点

双倍数据速率

双向数据选通信号

八银行操作

突发读/写操作

可编程的突发长度和CAS延迟

通过DM字节写控制

0

到DM

3

待机省电模式

在32毫秒4096自动刷新周期

对于所有的信号SSTL_2 （等级2）

+ 2.5V电源± 0.2V宽容

V

DD

:

V

DDQ

:

+ 2.5V电源± 0.2V宽容

s

包

86引脚塑料TSOP （ II ）

(FPT-86P-M01)

（普通本德）

2

MB81P643287-50/-60

s

引脚分配

86针TSOP （ II ）

（ TOP VIEW ）

（普通本德）

V

DD

DQ

0

V

DDQ

DQ

1

DQ

2

V

SSQ

DQ

3

DQ

4

V

DDQ

DQ

5

DQ

6

V

SSQ

DQ

7

的DQ

0

V

DD

DM

0

WE

CAS

RAS

CS

BA

2

BA

0

BA

1

A

10

/ AP

A

0

A

1

A

2

DM

2

V

DD

的DQ

2

DQ

16

V

SSQ

DQ

17

DQ

18

V

DDQ

DQ

19

DQ

20

V

SSQ

DQ

21

DQ

22

V

DDQ

DQ

23

V

DD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

V

SS

DQ

15

V

SSQ

DQ

14

DQ

13

V

DDQ

DQ

12

DQ

11

V

SSQ

DQ

10

DQ

9

V

DDQ

DQ

8

的DQ

1

V

SS

DM

1

V

REF

CLK

CKE

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

DM

3

V

SS

的DQ

3

DQ

31

V

DDQ

DQ

30

DQ

29

V

SSQ

DQ

28

DQ

27

V

DDQ

DQ

26

DQ

25

V

SSQ

DQ

24

V

SS

(FPT-86P-M01)

3

MB81P643287-50/-60

s

说明

引脚数

1, 3, 9, 15, 29, 35, 41, 43, 49, 55, 75, 81

6, 12, 32, 38, 44, 46, 52, 58, 72, 78, 84, 86

2, 4, 5, 7, 8, 10, 11, 13, 31, 33, 34, 36, 37, 39,

40, 42, 45, 47, 48, 50, 51, 53, 54, 56, 74, 76,

77, 79, 80, 82, 83, 85

符号

V

DD

, V

DDQ

V

SS

, V

SSQ

电源电压

地

字节0 ： DQ

0

到DQ

7

字节1 ： DQ

8

到DQ

15

字节2 ： DQ

16

到DQ

23

字节3 ： DQ

24

到DQ

31

的DQ

0

：对于DQ

0

到DQ

7

的DQ

1

：对于DQ

8

到DQ

15

的DQ

2

：对于DQ

16

到DQ

23

的DQ

3

：对于DQ

24

到DQ

31

功能

DQ

0

到DQ

31

数据I / O

14, 30, 57, 73

的DQ

0

到DQS

3

数据选通

16, 28, 59, 71

17

18

19

20

21, 22, 23

24

24, 25, 26, 27, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66

67

68

69

70

DM

0

到DM

3

WE

CAS

RAS

CS

BA

2

， BA

1

， BA

0

AP

A

0

到A

10

CKE

CLK

V

REF

输入掩码

写使能

列地址选通

行地址选通

芯片选择

选择银行（银行地址）

自动预充电启动

地址输入

掉电

时钟输入

输入参考电压

行：

A

0

到A

10

列：

0

到A

6

4

MB81P643287-50/-60

s

框图

图。 1 - MB81P643287框图

CLK

CKE

Bank-7

时钟

卜FF器

到的每个块

启用

RAS

CS

RAS

命令

解码器

控制

信号

LATCH

CAS

Bank-1

Bank-0

CAS

WE

AP

WE

模式

注册

DRAM

CORE

(2048

×

128

×

32)

11

A

0

到A

10

BA

0

， BA

1

,

BA

2

地址

缓冲器/

注册

ROW

地址

DM

0

to

DM

3

DQ

0

to

DQ

31

的DQ

0

to

的DQ

3

I / O数据

缓冲器/

注册

＆放大器;

的DQ

发电机

DLL

COLUMN

地址

计数器

7

COLUMN

地址

I / O

32

V

DD

时钟缓冲器

V

REF

V

SS

/V

SSQ

V

DDQ

, V

SSQ

5