MC74HC138A
1 - 8解码器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC138A在引出线的LS138是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC138A解码3位地址，以1 -的八个
低电平有效的输出。该器件具有三个片选输入，两路
低电平和一个高有效的，以便多路分用，
级联和片选功能。解复用功能
通过使用该地址输入以选择所需的完成
器件输出;该芯片选择中的一个被用作数据输入，而
其他的片选保持在它们的激活状态。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC138A
ALYWG
HC
138A
ALYWG
G
HC138AG
AWLYWW
MC74HC138AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
m
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC所定义的要求
标准号7A
芯片的复杂性： 100场效应管或29个等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 9牧师
出版订单号：
MC74HC138A/D
MC74HC138A
A0
A1
A2
1
2
3
15
Y0
14
Y1
13
Y2
12
Y3
11
Y4
10
Y5
9
Y6
7
Y7
A0
A1
A2
CS2
CS3
CS1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
地址
输入
ACTIVE -LOW
输出
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
CS3
6
4
5
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
输入
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CS1CS2 CS3中A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
H =高电平（稳态） ; L =低电平（稳态） ; X =不关心
订购信息
设备
MC74HC138AN
MC74HC138ANG
MC74HC138AD
MC74HC138ADG
MC74HC138ADR2
MC74HC138ADR2G
MC74HC138ADTR2
MC74HC138ADTR2G
MC74HC138AF
MC74HC138AFG
MC74HC138AFEL
MC74HC138AFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74HC138A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
V
OUT
I
in
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
I
CC
P
D
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下） ，并且不
同时有效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1 .W / _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图2）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
-55 ° C到25°C时
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
http://onsemi.com
3
MC74HC138A
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
I
in
最大输入漏
当前
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
mA
mA
I
CC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
v
85_C
170
125
34
29
140
100
28
24
150
120
30
26
95
40
19
16
10
-55 ° C到25°C时
135
90
27
23
110
85
22
19
v
125_C
205
165
41
35
165
125
33
28
180
150
36
31
110
55
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和4 ）
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟， CS1到输出Y
（图2和4）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟， CS2或CS3到输出Y
（图3和4）
120
90
24
20
75
30
15
13
10
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图2和4）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
55
C
PD
功率耗散电容（每包） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
MC74HC138A
开关波形
有效
输入A
t
PLH
输出y
50%
50%
t
PHL
输出y
t
THL
有效
V
CC
GND
输入CS1
t
PHL
t
r
90%
50%
10%
90%
50%
10%
t
f
V
CC
t
PLH
GND
t
TLH
图1 。
图2中。
测试点
t
f
输入
CS2，CS3
90%
50%
10%
t
r
V
CC
t
PLH
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
输出y
90%
50%
10%
t
PHL
t
THL
t
TLH
*包括所有探测和夹具电容
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
引脚说明
地址输入
A0，A1， A2（引脚1 ，2，3 ）
地址输入。为CS1，CS2，和其他任何组合
CS3中，所述输出处于逻辑高电平。
输出
Y0 - Y7 （引脚15 ，14， 13 ，12， 11 ，10， 9,7 ）
地址输入。这些输入，当选择了芯片，
确定的八个输出为低电平有效。
控制输入
CS1，CS2， CS3的（引脚6 ， 4,5）
片选输入。对于CS1在高电平和CS2，CS3
处于低电平时，芯片被选择，并且输出遵循
低电平有效的解码输出。这些输出假设
低级处理时，芯片被选中。这些
输出保持高电平时得不到解决或芯片不
选择。
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5
MC74HC138A
1 - 8解码器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC138A在引出线的LS138是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
该HC138A解码3位地址，以1 -的八个
低电平有效的输出。该器件具有三个片选输入，两路
低电平和一个高有效的，以便多路分用，
级联和片选功能。解复用功能
通过使用该地址输入以选择所需的完成
器件输出;该芯片选择中的一个被用作数据输入，而
其他的片选保持在它们的激活状态。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 100场效应管或29个等效门
逻辑图
A0
地址
输入
A1
A2
1
2
3
15
Y0
14
Y1
13
Y2
12
Y3
11
Y4
10
Y5
9
Y6
7
Y7
A
WL
YY
WW
ACTIVE -LOW
输出
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
http://onsemi.com
记号
图表
16
16
1
PDIP–16
SUF科幻X
CASE 648
MC74HC138AN
AWLYYWW
1
16
16
1
SO–16
后缀
CASE 751B
1
HC138A
AWLYWW
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
HC
138A
ALYW
16
1
引脚分配
A0
A1
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
削片
SELECT
输入
CS1
CS2
CS3
6
4
5
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
CS2
CS3
CS1
功能表
输入
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CS1CS2 CS3中A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
Y7
GND
订购信息
设备
MC74HC138AN
MC74HC138AD
MC74HC138ADR2
MC74HC138ADT
MC74HC138ADTR2
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
TSSOP–16
航运
2000 /箱
48 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
H =高电平（稳态） ; L =低电平（稳态） ; X =不关心
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 启示录7
出版订单号：
MC74HC138A/D
MC74HC138A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1 .W /
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图2）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
–55
_
C到
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
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2
MC74HC138A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
–55
_
C到
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125
_
C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏
当前
±
0.1
4
±
1.0
40
±
1.0
160
A
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
–55
_
C到
25
_
C
135
90
27
23
110
85
22
19
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
v
85
_
C
v
125
_
C
170
125
34
29
140
100
28
24
150
120
30
26
95
40
19
16
10
205
165
41
35
165
125
33
28
180
150
36
31
110
55
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和4 ）
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟， CS1到输出Y
（图2和4）
ns
tPLH的，
的TPH1
最大传输延迟， CS2或CS3到输出Y
（图3和4）
120
90
24
20
75
30
15
13
10
ns
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图2和4）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
55
CPD
功率耗散电容（每包） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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3
MC74HC138A
开关波形
有效
输入A
TPLH
输出y
50%
50%
的TPH1
输出y
TTHL
有效
VCC
GND
输入CS1
的TPH1
90%
50%
10%
tTLH
90%
50%
10%
TPLH
tr
tf
VCC
GND
图1 。
图2中。
测试点
tf
90%
输入50 ％
10%
CS2，CS3
的TPH1
输出y
90%
50%
10%
TTHL
tTLH
*包括所有探测和夹具电容
TPLH
tr
VCC
GND
设备
下
TEST
产量
CL *
网络连接gure 3 。
图4.测试电路
引脚说明
地址输入
A0，A1， A2（引脚1 ，2，3 ）
地址输入。为CS1，CS2，和其他任何组合
CS3中，所述输出处于逻辑高电平。
输出
Y0 - Y7 （引脚15 ，14， 13 ，12， 11 ，10， 9,7 ）
地址输入。这些输入，当选择了芯片，
确定的八个输出为低电平有效。
控制输入
CS1，CS2， CS3的（引脚6 ， 4,5）
片选输入。对于CS1在高电平和CS2，CS3
处于低电平时，芯片被选择，并且输出遵循
低电平有效的解码输出。这些输出假设
低级处理时，芯片被选中。这些
输出保持高电平时得不到解决或芯片不
选择。
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4
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