MBM29DL34TF/BF
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)
（续）
MBM29DL34TF / BF被组织成两个物理银行;银行1和银行2，其可以被认为是
两个独立的存储阵列，据某些操作有关。此设备是一样的富士通的
标准3 V只有闪存与允许一个正常的无延迟读取访问权限的附加功能
从阵列的非繁忙银行而嵌入的写入（或一个程序或擦除）操作simul-
taneously走在其他银行的地方。
在该装置中，一个设计的概念，称为滑动银行架构中实现。使用这个概念的设备
可以执行银行1和银行2之间同时操作（请参阅“ 1.同步操作”
“S功能说明” ）。
该标准的设备提供的访问时间70 ns的允许高速微处理器操作，而
等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE）和输出使能
（ OE ）控制。
该MBM29DL34TF / BF支脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法
TM
这是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
TM
这是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未之前编程
在执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证
正确的电池余量。
每个扇区通常被擦除并以0.5秒为验证（如果已经完全预编程） 。
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时，该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后，该装置在内部返回到读模式。
该器件还具有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式计划
算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后复位到读
模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序
TM
*算法或嵌入式擦除
TM
*算法，该装置是自动复位到
读模式并具有存储在所述地址位置的错误数据被编程或擦除。这些
位置需要复位后重写。复位装置使系统的微处理器读
引导固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该设备的内存电擦除整个芯片或全部
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个行业内的位。该字节/字编程一个字节/
字在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
*：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
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