MC74HC02A
四路2输入NOR门
高性能硅栅CMOS
该MC74HC02A在引出线的LS02相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 40场效应管或10个等效门
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
2
1
3
5
4
6
8
10
9
11
13
12
14脚VCC =
PIN 7 = GND
Y4
Y3
Y2
Y = A + B
Y1
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC02AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
HC
02A
ALYW
HC02A
AWLYWW
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
引脚分配
Y1
A1
B1
Y2
A2
B2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Y4
B4
A4
Y3
B3
A3
订购信息
设备
MC74HC02AN
MC74HC02AD
MC74HC02ADR2
MC74HC02ADT
MC74HC02ADTR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 修订版8
出版订单号：
MC74HC02A/D
MC74HC02A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125°C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.7
5.2
http://onsemi.com
2
MC74HC02A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
0.33
0.33
0.33
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
|电流输出| = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏
当前
±
0.1
1.0
±
1.0
10
±
1.0
40
A
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6.0纳秒）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
75
30
15
13
75
30
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
95
40
19
16
95
40
19
16
10
110
55
22
19
110
55
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
22
CPD
功率耗散电容（每门） *
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC2f + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
MC74HC02A
包装尺寸
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
SOIC–14
后缀
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
MC74HC02A
四2输入或非门
高性能硅栅CMOS
该MC74HC02A在引出线的LS02相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
14
1
PDIP14
SUF科幻X
CASE 646
1
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC02AG
AWLYWW
MC74HC02AN
AWLYYWWG
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7.0
芯片的复杂性： 40场效应管或10个等效门
无铅包可用
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
2
3
5
6
8
9
11
12
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
1
14
Y1
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
Y = A + B
HC
02
ALYWG
G
4
Y2
10
Y3
13
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
Y4
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
L
L
L
引脚分配
Y1
A1
B1
Y2
A2
B2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
Y4
B4
A4
Y3
B3
A3
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录11
1
出版订单号：
MC74HC02A/D
MC74HC02A
最大额定值*
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流，每个引脚
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不im-
合股。长期暴露在压力高于推荐工作条件可自动对焦
FECT器件的可靠性。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
V
CC
T
A
直流电源电压（参考GND）
2.0
0
6.0
V
V
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
符号
参数
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
DC电气特性
（电压参考GND）
符号
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
V
OH
C
PD
V
OL
V
IH
C
in
I
CC
V
IL
I
in
最大输入电容
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
功率耗散电容（每门） *
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏
当前
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
CC
或GND
|I
OUT
| = 0
mA
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IH
或V
IL
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC02A
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
3
V
CC
V
V
CC
V
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25_C
- 55
25_C
±
0.1
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
0.26
0.26
0.26
2.48
3.98
5.48
1.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
10
75
30
15
13
75
30
15
13
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
±
1.0
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
0.33
0.33
0.33
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
10
95
40
19
16
95
40
19
16
10
±
1.0
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
2.20
3.7
5.2
110
55
22
19
110
55
22
19
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
10
40
22
v
125_C
v
125°C
单位
单位
mA
mA
pF
pF
ns
ns
V
V
V
V
MC74HC02A
订购信息
设备
MC74HC02AN
MC74HC02ANG
MC74HC02AD
MC74HC02ADG
MC74HC02ADR2
MC74HC02ADR2G
MC74HC02ADTR2
MC74HC02ADTR2G
MC74HC02AFEL
MC74HC02AFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
t
f
输入
A或B
90%
50%
10%
t
PLH
输出y
t
TLH
90%
50%
10%
t
r
测试点
V
CC
GND
t
PHL
设备
下
TEST
产量
C
L
*
t
THL
*包括所有探测和夹具电容
图1.开关波形
图2.测试电路
膨胀逻辑图
（设备的1/4）
A
Y
B
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4
QQ：2880707522 复制
