【MCC特点?????????? ?????? omponents21201 Itasca的街查茨沃斯】,IC型号MBR20030,MBR20030 PDF资料,MBR20030经销商,ic,电子元器件-51电子网

MCC

特点

?????????? ?????? omponents

21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

MBR20020

THRU

MBR200100

200

AMP

肖特基势垒

整流器器

100伏

半包

siliconrectifier金属， majonty载体conducton

保护环的瞬态保护

低功耗高效率

高浪涌能力，高电流能力

最大额定值

工作温度： -65 ° C至+ 150°C

存储温度： -65 ° C至+ 150°C

最大

复发

反向峰值

电压

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

最大直流

闭塞

电压

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

MCC

产品型号

MBR20020

MBR20030

MBR20035

MBR20040

MBR20045

MBR20060

MBR20080

MBR200100

最大

RMS电压

14V

21V

24.5V

28V

31.5V

42V

56V

70V

电气特性@ 25 ° C除非另有说明

平均正向

当前

峰值正向浪涌

当前

最大

瞬时

正向电压

MBR20020-20045

MBR20060

MBR20080-200100

最大直流

反向电流

额定DC阻断

电压

典型结

电容

F（ AV ）

FSM

200

3000A

140°C

8.3ms的，半正弦

200.0A;

= 25°C

暗淡

尺寸

寸

民

1.520

.725

.605

1.182

.745

.152

1/4 - 20

.570

.15

.495

.120

民

最大

38.86

39.62

18.42

19.69

15.37

15.88

30.02

30.28

18.92

18.18

3.86

4.06

UNC - 2B

14.49

14.73

3.96

4.06

12.57

12.83

3.05

3.30

.63 V

.75 V

.84 V

= 25°C

最大

1.560

.775

.625

1.192

.755

.160

.580

.160

.505

.130

记

300pF

在测

1.0MHz的，V

=4.0V

*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比1 ％

www.mccsemi.com

MBR20020

THRU

MBR200100

图1

典型的正向特性

200

100

160

25°C

AMPS 10

0.6

0.8

1.0

1.4

伏

瞬时正向电流 - 安培

与

正向电压 - 伏特

1.8

2.0

安培

120

200

MCC

图2

远期降额曲线

单相半波

60Hz的阻性或感性负载

°C

110

130

150

平均正向整流电流 - 安培

与

环境温度 -

°C

科幻gure 3

结电容

1000

600

400

200

=25°C

100

伏

100

200

400

1000

结电容 - pF的

与

反向电压 - 伏特

www.mccsemi.com

MBR20020

THRU

MBR200100

图4

典型的反向特性

1000

600

400

2600

200

100

毫安5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

=25°C

伏

瞬时反向漏电流 - 微安

与

％的额定峰值反向电压 - 伏特

100

120

=125°C

2200

1800

安培

1000

500

MCC

科幻gure

峰值正向浪涌电流

3000

8 10 20

周期

60 80 100

峰值正向浪涌电流 - 安培

与

周期在60Hz数 - 周期

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TRANSYS

电子

L I M I T E

MBR20020(R)

THRU

MBR200100(R)

肖特基二极管模块式200A

特点

高浪涌能力

种类多达100V V

RRM

200Amp整流器

20-100伏

HALF包装

最大额定值

工作温度： -40°C至+175

存储温度： -40°C至+175

产品型号

最大

复发

反向峰值

电压

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

最大直流

闭塞

电压

20V

30V

35V

40V

45V

60V

80V

100V

最大

RMS电压

14V

21V

25V

28V

32V

42V

56V

70V

MBR20020 （R）的

MBR20030 （R）的

MBR20035 （R）的

MBR20040 （R）的

MBR20045 （R）的

MBR20060 （R）的

MBR20080 （R）的

MBR200100 （R）的

电气特性@ 25

平均正向

当前

峰值正向浪涌

当前

最大

注（1）

瞬时

正向电压

最大

瞬时

反向电流

额定DC阻断

注（1）

电压

F（ AV ）

FSM

除非另有说明

200A

3000A

0.65V

0.75V

0.84V

底板

共阴极

底板

R =共阳极

=136

尺寸

英寸

民

最大

1.515

1.560

.725

.775

.595

.625

1.192

.1.182

.745

.755

.152

.160

- 20

1/4

.540

.580

.156

.160

.505

.495

.130

.120

民

38.48

18.42

15.11

30.02

18.92

3.86

UNC

13.72

3.96

12.57

3.05

最大

39.62

19.69

15.88

30.28

19.18

4.061

- 2B

14.73

4.06

12.83

3.30

记

8.3ms的，半正弦

(MBR20020~MBR20045)

(MBR20060)

(MBR20080~MBR200100)

= 200 A;牛逼

= 25

5.0

250

= 25

=125

最大热

电阻结

到案

0.8

暗淡

注意：

(1)

脉冲测试：脉冲宽度300微秒，占空比

＆ LT ;

MBR20020 （R） - 直通MBR200100 （R）的

图0.1 - 典型正向特性

图.2-远期降额曲线

平均正向整流电流 - 安培

1000

600

T =25

200

我nStantaneous正向电流

- 安培

放s

400

200

MBR20020~

100

MBR20040

6.0

4.0

2.0

1.0

MBR20080~

MBR200100

MBR20060

160

放s

120

单相半波

60Hz的阻性或感性负载

120

150

180

例

特mperature -

0.2

0.4

0.6

伏

0.8

1.0

1.2

2000

1000

600

400

200

图0.4 - 典型的反向特性

TJ = 150℃

正向电压 - 伏特

瞬时反向

泄漏

电流 - 穆勒

mperes

3500

图.3-峰值正向浪涌电流

8.3ms单半

正弦波

JEDEC的方法T = 25

100

TJ = 125℃

峰值正向浪涌电流-Amperes

安培

3000

2500

2000

1500

1000

500

安培

.06

.04

.02

T =75

8 10 20

周期

60 80 100

T =25

周期在60Hz数 - 周期

.01

100

伏

反向电压 - 伏特

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1300

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MOTOROLA

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