摩托罗拉
半导体技术资料
8输入数据选择器/
多路数据和
地址锁存器和
三态输出
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC354是引出线的LS354是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LSTTL输出兼容。
该HC354选择八个锁存二进制数据输入中的一个，作为阻止 -
由地址输入开采。在数据输入的信息被存储
在透明的8位数据锁存器，当数据锁存使能引脚
高举。地址信息可以被存储在所述透明
地址锁存器，它是由高电平有效的地址，使能引脚使能。
该器件的输出置于高阻抗状态时，输出
使1为高电平时，输出使能2为高电平时，或输出使能3是低的。
在HC354具有时钟数据锁存器是不透明的。
MC54/74HC354
后缀
陶瓷封装
CASE 732-03
1
20
20
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 738-03
20
1
DW后缀
SOIC封装
CASE 751D -04
订购信息
MC54HCXXXJ
MC74HCXXXN
MC74HCXXXDW
陶瓷的
塑料
SOIC
输出驱动能力： 15输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6V
低输入电流： 1μA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性： 326场效应管或81.5等效门
逻辑图
8
D0
7
D1
6
D2
5
D3
4
D4
3
D5
2
D6
1
D7
引脚说明： 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
D7 1
D6 2
D5 3
D4 4
D3 5
D2 6
20 VCC
19 Y
18 Y
17 OE3
16 OE2
15 OE1
14 A0
13 A1
12 A2
11
地址锁存器
启用
数据
输入
8–BIT
数据
LATCH
（反
父母）
8–BIT
MULTI-
多路复用器
3–STATE
产量
控制
19
18
Y
Y
3–STATE
数据
输出
D1 7
D0 8
数据锁存器9
启用
GND 10
数据锁存器9
启用
A0
地址
输入
14
13
A1
12
A2
地址
LATCH
（反
父母）
PIN 20 = VCC
PIN 10 = GND
地址锁存11
启用
OE1
产量
使
OE2
OE3
15
16
17
10/95
摩托罗拉公司1995年
1
第七版
MC54/74HC354
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 1.5 VCC + 1.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
存储温度范围
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
_
C
_
C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP或SOIC封装
陶瓷DIP
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC特性
（电压参考GND）
符号
VIH
参数
最低高电平输入电压
条件
VOUT = 0.1V或VCC -0.1V
|电流输出|
≤
20A
VOUT = 0.1V或VCC - 0.1V
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
6.0mA
|电流输出|
≤
7.8mA
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
1.50
3.15
4.20
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
≤85°C
1.50
3.15
4.20
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
≤125°C
1.50
3.15
4.20
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
±1.0
A
V
单位
V
VIL
最大低电平输入电压
V
VOH
最小高电平输出
电压
V
VOL
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
20A
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
≤
6.0mA
|电流输出|
≤
7.8mA
4.5
6.0
6.0
IIN
最大输入漏电流
VIN = VCC或GND
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC354
DC特性
（电压参考GND）
符号
IOZ
参数
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
条件
输出高阻抗状态
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0μA
VCC
V
6.0
保证限额
-55 25℃
±0.5
≤85°C
±5.0
≤125°C
±10.0
单位
A
ICC
6.0
8
80
160
A
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC特性
（ CL = 50 pF的输入TR = TF = 6纳秒）
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLZ ，
tPHZ
tpZL ，
tpZH
tTLH ，
TTHL
CIN
COUT
参数
最大传输延迟， D0 -D7为Y或Y
（图2和6）
最大传输延迟，数据锁存使能为Y或Y
（图3和6）
最大传输延迟， A0 -A2为Y或Y
（图2和6）
最大传输延迟，地址锁存器启用为Y或Y
（图3和6）
最大传输延迟， OE1 ， OE3为Y或Y
（图4和7 ）
最大传输延迟， OE1 ， OE3为Y或Y
（图4和7 ）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和6 ）
最大输入电容
最大三态输出电容（输出高阻抗
状态）
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
210
42
36
260
52
44
270
54
46
270
54
46
160
32
27
125
25
21
60
12
10
10
15
≤85°C
265
53
45
325
65
55
340
68
58
340
68
58
200
40
34
155
31
26
75
15
13
10
15
≤125°C
315
63
54
390
78
66
405
81
69
405
81
69
240
48
41
190
38
32
90
18
15
10
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅摩托罗拉高的第2章
高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容（每包） *
48
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = CPD VCC 2 F + ICC VCC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HC354
引脚说明
D0 - D7 （引脚8-1 ）数据输入
这8个数据位被存储在一个透明锁存时
该数据锁存使能引脚有效（高） 。一旦启用，
变化的输入信号将不会改变锁存器的内容。
A0 ， A1 ，A2 （引脚14,13,12 ）地址输入
该数据位存储在数据锁存器选择路由至
输出Y和Y.
DATA-锁存使能（引脚9 ）
当使处于非活动状态的锁存器是透明的D0 -D7
（低） 。数据锁存器内容不受影响启用
保持有效（高） 。
地址锁存使能（引脚11 ）
当使能锁存器是透明的，以A0，A1和A2的
无效（低） 。地址锁存器内容不受影响
当使能保持有效（高） 。
OE1 ， OE2 ， OE3 （引脚15,16,17 ）输出使能
任何输出使能引脚无效（ OE1 =高或
OE2 =高或OE3 =低），导致产出（ Y和Y）是
在高阻抗状态。
Y，Y （引脚19,18 ）
这三态输出（当没有三态）表示
在数据的数据位由地址锁存器锁存器选择。
时序要求
（输入TR = TF = 6纳秒）
符号
TSU
参数
最小建立时间， D0 -D7为数据锁存使能
（图5）
最小建立时间， A0 -A2到地址锁存使能
（图5）
最小保持时间，数据锁存使能为D0 -D7
（图5）
最小保持时间，地址锁存器启用以A0 -A2
（图5）
最小脉冲宽度，数据锁存使能
（图3）
最小脉冲宽度，地址，锁存使能
（图3）
最大输入上升和下降时间
（图1）
VCC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
-55 25℃
50
10
9
50
10
9
5
5
5
5
5
5
80
16
14
80
16
14
1000
500
400
≤85°C
65
13
11
65
13
11
5
5
5
5
5
5
100
20
17
100
20
17
1000
500
400
≤125°C
75
15
13
75
15
13
5
5
5
5
5
5
120
24
20
120
24
20
1000
500
400
单位
ns
TSU
ns
th
ns
th
ns
tw
ns
tw
ns
TR ， TF
ns
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
摩托罗拉
4
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC354
功能表
地址锁存器的内容＃
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
数据锁存器
启用
X
X
X
L
输入
OE1
H
X
X
L
OE2
X
H
X
L
OE3
X
X
L
H
输出
Y
Z
Z
Z
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Y
Z
Z
Z
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
描述
在高阻抗输出国家
数据锁存器是透明的
D0n
D0n
新的数据存储在数据锁存器，并
D1n
不可改变
D1n
D2n
D2n
D3n
D3n
D4n
D4n
D5n
D5n
D6n
D6n
D7n
D7n
＃表示地址锁存器位。查看地址，锁存使能引脚说明。
X =无关; Z =高阻抗; D0-D7 =在到D7的输入D0中的数据; D0n - D7N至D7 =数据出现在输入端D0时
数据锁存使能引脚为高电平。
H
L
L
H
开关波形
tr
任何输入
90%
10%
tf
VCC
GND
D0–D7
A0–A2
TPLH
或Y
90%
10%
tTLH
TTHL
或Y
50%
50%
GND
的TPH1
有效
有效
VCC
图1 。
图2中。
OE1 ， OE2
50%
tw
地址？
LATCH ENABLE
VCC
50%
GND
TPLH
或Y
50%
或Y
50%
的TPH1
或Y
50%
tpZH
tPHZ
90%
10%
OE3
tPZL
tPLZ
VCC
GND
高
阻抗
VOL
VOH
高
阻抗
网络连接gure 3 。
图4中。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
QQ：2880707522 复制
