英制

MIL-M-38510/101J

2003年2月7日

取代

MIL-M-38510/101H

○○一年十月三十

军事科幻特定阳离子

微电路，线性，运算放大器，单片硅

该规范被批准用于所有部门和国防部的机构使用。

1995年7月13日之后，不适用于新的设计。

1.范围

1.1适用范围。该规范涵盖了单片硅，运算放大器的具体要求。两款产品

提供了每种类型的保障类和案例的选择，外形和引线完成并反映在完整

零件号。对于这款产品， MIL - M- 38510的要求已经取代了MIL -PRF- 38535 ， （见6.3） 。

1.2产品编号。完整的零件数量应符合MIL -PRF- 38535 ，并指定在此..

1.2.1设备类型。设备类型应在下文中，如下所示：

设备类型

01

02

03

04

05

06

07

08

电路

单运算放大器 - 内部补偿

双运算放大器 - 内部补偿

单路运算放大器 - 外部补偿

单路运算放大器 - 外部补偿

双运算放大器 - 外部补偿的1 /

双运算放大器 - 外部补偿的1 /

单运算放大器，高速

双运算放大器 - 内部补偿

1.2.2设备类。设备类应按MIL -PRF- 38535中定义的产品保证水平。

______

1 /设备类型05和06可以是整体的，或者它们可以由两个单独的，独立的管芯。

有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用

改善这种文件应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，

联系人： DSCC - VAS ， 3990东宽街，哥伦布，OH 43216-5000 ，通过使用标准化

文档改进建议（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。

美国超导公司N / A

分配表A.获准公开发行;分布是无限的。

FSC 5962

MIL-M-38510/101J

1.2.3案例概述。案件轮廓应在指定的MIL- STD- 1835 ，如下所示：

概要信

A 2/

B 2/

C

D

E

F

G

H

I

P

Z

2

描述性标志

GDFP5 - F14或CDFP6 -F14

GDFP4-14

GDIP1 - T14或CDIP2 -T14

GDFP1 - F14或CDFP2 -F14

GDIP1 - T16或CDIP2 -T16

GDFP2 - F16或CDFP3 -F16

MACY1-X8

GDFP1 - F10或CDFP2 -F10

MACY1-X10

GDIP1 - T8或CDIP2 -T8

GDFP1-G10

CQCC1-N20

码头

14

14

14

14

16

16

8

10

10

8

10

20

包装样式

扁平封装

扁平封装

双列直插式

扁平封装

双列直插式

扁平封装

可以

扁平封装

可以

双列直插式

扁平封装用引线鸥翼式

方形无引线芯片载体

1.3绝对最大额定值。

电源电压范围（V

CC

).............................................................................

±22

V DC 3 /

输入电压范围............................................... ..........................................

±20

V DC 4 /

差分输入电压范围.............................................. .........................

±30

V DC 5 /

输入电流范围............................................... .......................................... -0.1 mA至10毫安

存储温度范围............................................... .............................. -65 ° C至+ 150°C

输出短路持续时间............................................. ...............................无限6 /

引线温度（焊接， 60秒） .......................................... ........... + 300℃

结温（T

J

) ............................................................................... +175°C 7/

1.4推荐工作条件。

电源电压（V

CC

) ......................................................................................

±5

V直流

±20

V DC

环境温度范围（T

A

） ................................................. ................... -55 ° C至+ 125°C

______

2 /停用包案轮廓。

3 /电压超过这些可施加短期测试，如果电压差不超过44伏。

4 /对于供电电压小于

±20

伏直流电，绝对最大输入电压等于电源电压。

5 /对于设备类型04 ， 06 ，和07只，这一评级是

±1.0

V除非2 kΩ或更大的电阻插入

串联在输入端，以限制电流在输入并联二极管的最大允许值。

6 /短路可能是地面或任一电源。评级适用于+ 125°C的外壳温度或+ 75°C

环境温度。

7 /对于短期试验（在具体的老化和寿命测试配置需要和高达168小时，此时

最大）T

J

= +275°C.

2

MIL-M-38510/101J

1.5电源和散热特性。

案例大纲

A，B ，D

C， E，P

G

I

H

F

Z

2

最大允许功率

耗散

350毫瓦在T

A

= +125°C

400毫瓦在T

A

= +125°C

330毫瓦在T

A

= +125°C

350毫瓦在T

A

= +125°C

330毫瓦在T

A

= +125°C

400毫瓦在T

A

= +125°C

330毫瓦在T

A

= +125°C

8 /在T

A

= +125°C

最大

最大

θ

JC

60°C/W

35°C/W

40°C/W

40°C/W

60°C/W

35°C/W

21°C/W

60°C/W

θ

JA

140°C/W

120°C/W

150°C/W

140°C/W

150°C/W

120°C/W

225 ° C / W静止空气

142 ° C / W 500 LFPM

120°C/W

2.适用文件

2.1政府文件。

2.1.1规格，标准和手册。下面的规格和标准，形成了这项工作的一部分

说明书中对本发明中规定的范围。除非另有说明，这些文件的问题的那些引用的

招标或合同。

防御规格DEPARTMENT

MIL-PRF-38535

- 集成电路（微型）制造，一般规格。

作者防御标准部

MIL-STD-883

MIL-STD-1835

- 测试方法标准的微电子。

- 接口标准的电子元器件大纲。

（这些文件的副本可从标准化文件令台， 700罗宾斯大道，大厦

如图4D所示，费城，宾夕法尼亚州19111-5094或http://astimage.daps.dla.mil/quicksearch/或www.dodssp.daps.mil ）。

2.2优先顺序。在本说明书的文本和本文引用的参考文献之间存在冲突的情况下

该文件应优先的文本。本文件的内容，但是，取代了现行法律和

规定除非特定豁免已获得。

______

8/ P

D

= 102毫瓦的设备类型01. P

D

= 75毫瓦的设备类型03. P

D

= 149毫瓦的设备类型04 。

3

MIL-M-38510/101J

3.要求

3.1资格。微型根据本规范的装修应是由生产的产品

授权资格的活动上适用的合格厂家生产上市合约前列出

奖项（见4.3和6.4 ） 。

3.2项目的要求。个别项目要求应符合MIL -PRF- 38535和规定

本文或修改设备制造商的质量管理（ QM ）计划。在质量管理计划的修改应

如本文所述不影响的形式，尺寸或功能。

3.3设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应为

在MIL -PRF- 38535和本文规定。

3.3.1终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。

3.3.2电路原理图。该电路原理图应由制造商进行维护和提供给

排位赛活动及其制备活性（ DSCC - VAS）要求。

3.3.3案例概述。案件轮廓应按1.2.3规定。

3.4铅材料和面漆。铅材料及表面处理应符合MIL -PRF- 38535 （见6.6 ） 。

3.5电气性能特性。下面的电性能特性适用于整个

-55 ° C至+ 125°C和电源电压工作环境温度范围

±5

V直流

±20

V直流，除非另有

规定（见表一）。

3.5.1偏移零电路。每个放大器具有置零投入（设备类型01 ， 02 ， 03 ， 05 ， 07 ）应能

正在调零1毫伏超出规定的失调电压限值-55°C

≤

T

A

≤

+ 125 ℃，用图2的电路。

3.5.2频率补偿。当一个单位增益操作的设备类型01 ， 02 ， 07 ，和08应是自由振荡

非反相模式下，无需外部补偿和源电阻

≤

10千欧，并且在任何试验操作时

条件是，这里指定。当与30 pF的补偿设备类型03 ， 04 ， 05 ，和06应无振动

电容对所有增益配置或增益为10时，使用一个3 pF电容。

3.6离子烫。离子烫应符合MIL -PRF- 38535 。

3.7电气试验的要求。每个设备类电气试验要求应在分组中指定

表二。电气测试每个子组中的表III中描述。

3.8标记。标志应符合MIL -PRF- 38535 。

3.9微电路组分配。适用本规范中的设备应微电路组49号

（见MIL -PRF- 38535 ，附录A） 。

4

MIL-M-38510/101J

表I.电气性能特性。 1 /

条件

-55°C

≤

T

A

≤

+125°C

见图3

除非另有说明

输入失调电压

V

IO

R

S

= 50

2/

1

01,02,

08

03,05

04,06

07

2,3

01,02,

08

03,05

04,06

07

输入失调电压

温度灵敏度

V

IO

/

T

2

01,02,

08

03,05

04,06

07

3

01,02,

03,05

04,06

07

08

TEST

符号

A组

亚

设备

TYPE

民

-3

-2

-0.5

-4

-4

-3

-1

-6

-15

范围

最大

+3

+2

+0.5

+4

+4

+3

+1

+6

+15

单位

mV

μV/°C

-18

-5

-50

-15

-5

-50

-20

+18

+5

+50

+15

+5

+50

20

参见脚注表的末尾。

5

英制

MIL-M-38510/101J

2003年2月7日

取代

MIL-M-38510/101H

○○一年十月三十

军事科幻特定阳离子

微电路，线性，运算放大器，单片硅

该规范被批准用于所有部门和国防部的机构使用。

1995年7月13日之后，不适用于新的设计。

1.范围

1.1适用范围。该规范涵盖了单片硅，运算放大器的具体要求。两款产品

提供了每种类型的保障类和案例的选择，外形和引线完成并反映在完整

零件号。对于这款产品， MIL - M- 38510的要求已经取代了MIL -PRF- 38535 ， （见6.3） 。

1.2产品编号。完整的零件数量应符合MIL -PRF- 38535 ，并指定在此..

1.2.1设备类型。设备类型应在下文中，如下所示：

设备类型

01

02

03

04

05

06

07

08

电路

单运算放大器 - 内部补偿

双运算放大器 - 内部补偿

单路运算放大器 - 外部补偿

单路运算放大器 - 外部补偿

双运算放大器 - 外部补偿的1 /

双运算放大器 - 外部补偿的1 /

单运算放大器，高速

双运算放大器 - 内部补偿

1.2.2设备类。设备类应按MIL -PRF- 38535中定义的产品保证水平。

______

1 /设备类型05和06可以是整体的，或者它们可以由两个单独的，独立的管芯。

有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用

改善这种文件应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，

联系人： DSCC - VAS ， 3990东宽街，哥伦布，OH 43216-5000 ，通过使用标准化

文档改进建议（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。

美国超导公司N / A

分配表A.获准公开发行;分布是无限的。

FSC 5962

MIL-M-38510/101J

1.2.3案例概述。案件轮廓应在指定的MIL- STD- 1835 ，如下所示：

概要信

A 2/

B 2/

C

D

E

F

G

H

I

P

Z

2

描述性标志

GDFP5 - F14或CDFP6 -F14

GDFP4-14

GDIP1 - T14或CDIP2 -T14

GDFP1 - F14或CDFP2 -F14

GDIP1 - T16或CDIP2 -T16

GDFP2 - F16或CDFP3 -F16

MACY1-X8

GDFP1 - F10或CDFP2 -F10

MACY1-X10

GDIP1 - T8或CDIP2 -T8

GDFP1-G10

CQCC1-N20

码头

14

14

14

14

16

16

8

10

10

8

10

20

包装样式

扁平封装

扁平封装

双列直插式

扁平封装

双列直插式

扁平封装

可以

扁平封装

可以

双列直插式

扁平封装用引线鸥翼式

方形无引线芯片载体

1.3绝对最大额定值。

电源电压范围（V

CC

).............................................................................

±22

V DC 3 /

输入电压范围............................................... ..........................................

±20

V DC 4 /

差分输入电压范围.............................................. .........................

±30

V DC 5 /

输入电流范围............................................... .......................................... -0.1 mA至10毫安

存储温度范围............................................... .............................. -65 ° C至+ 150°C

输出短路持续时间............................................. ...............................无限6 /

引线温度（焊接， 60秒） .......................................... ........... + 300℃

结温（T

J

) ............................................................................... +175°C 7/

1.4推荐工作条件。

电源电压（V

CC

) ......................................................................................

±5

V直流

±20

V DC

环境温度范围（T

A

） ................................................. ................... -55 ° C至+ 125°C

______

2 /停用包案轮廓。

3 /电压超过这些可施加短期测试，如果电压差不超过44伏。

4 /对于供电电压小于

±20

伏直流电，绝对最大输入电压等于电源电压。

5 /对于设备类型04 ， 06 ，和07只，这一评级是

±1.0

V除非2 kΩ或更大的电阻插入

串联在输入端，以限制电流在输入并联二极管的最大允许值。

6 /短路可能是地面或任一电源。评级适用于+ 125°C的外壳温度或+ 75°C

环境温度。

7 /对于短期试验（在具体的老化和寿命测试配置需要和高达168小时，此时

最大）T

J

= +275°C.

2

MIL-M-38510/101J

1.5电源和散热特性。

案例大纲

A，B ，D

C， E，P

G

I

H

F

Z

2

最大允许功率

耗散

350毫瓦在T

A

= +125°C

400毫瓦在T

A

= +125°C

330毫瓦在T

A

= +125°C

350毫瓦在T

A

= +125°C

330毫瓦在T

A

= +125°C

400毫瓦在T

A

= +125°C

330毫瓦在T

A

= +125°C

8 /在T

A

= +125°C

最大

最大

θ

JC

60°C/W

35°C/W

40°C/W

40°C/W

60°C/W

35°C/W

21°C/W

60°C/W

θ

JA

140°C/W

120°C/W

150°C/W

140°C/W

150°C/W

120°C/W

225 ° C / W静止空气

142 ° C / W 500 LFPM

120°C/W

2.适用文件

2.1政府文件。

2.1.1规格，标准和手册。下面的规格和标准，形成了这项工作的一部分

说明书中对本发明中规定的范围。除非另有说明，这些文件的问题的那些引用的

招标或合同。

防御规格DEPARTMENT

MIL-PRF-38535

- 集成电路（微型）制造，一般规格。

作者防御标准部

MIL-STD-883

MIL-STD-1835

- 测试方法标准的微电子。

- 接口标准的电子元器件大纲。

（这些文件的副本可从标准化文件令台， 700罗宾斯大道，大厦

如图4D所示，费城，宾夕法尼亚州19111-5094或http://astimage.daps.dla.mil/quicksearch/或www.dodssp.daps.mil ）。

2.2优先顺序。在本说明书的文本和本文引用的参考文献之间存在冲突的情况下

该文件应优先的文本。本文件的内容，但是，取代了现行法律和

规定除非特定豁免已获得。

______

8/ P

D

= 102毫瓦的设备类型01. P

D

= 75毫瓦的设备类型03. P

D

= 149毫瓦的设备类型04 。

3

MIL-M-38510/101J

3.要求

3.1资格。微型根据本规范的装修应是由生产的产品

授权资格的活动上适用的合格厂家生产上市合约前列出

奖项（见4.3和6.4 ） 。

3.2项目的要求。个别项目要求应符合MIL -PRF- 38535和规定

本文或修改设备制造商的质量管理（ QM ）计划。在质量管理计划的修改应

如本文所述不影响的形式，尺寸或功能。

3.3设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应为

在MIL -PRF- 38535和本文规定。

3.3.1终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。

3.3.2电路原理图。该电路原理图应由制造商进行维护和提供给

排位赛活动及其制备活性（ DSCC - VAS）要求。

3.3.3案例概述。案件轮廓应按1.2.3规定。

3.4铅材料和面漆。铅材料及表面处理应符合MIL -PRF- 38535 （见6.6 ） 。

3.5电气性能特性。下面的电性能特性适用于整个

-55 ° C至+ 125°C和电源电压工作环境温度范围

±5

V直流

±20

V直流，除非另有

规定（见表一）。

3.5.1偏移零电路。每个放大器具有置零投入（设备类型01 ， 02 ， 03 ， 05 ， 07 ）应能

正在调零1毫伏超出规定的失调电压限值-55°C

≤

T

A

≤

+ 125 ℃，用图2的电路。

3.5.2频率补偿。当一个单位增益操作的设备类型01 ， 02 ， 07 ，和08应是自由振荡

非反相模式下，无需外部补偿和源电阻

≤

10千欧，并且在任何试验操作时

条件是，这里指定。当与30 pF的补偿设备类型03 ， 04 ， 05 ，和06应无振动

电容对所有增益配置或增益为10时，使用一个3 pF电容。

3.6离子烫。离子烫应符合MIL -PRF- 38535 。

3.7电气试验的要求。每个设备类电气试验要求应在分组中指定

表二。电气测试每个子组中的表III中描述。

3.8标记。标志应符合MIL -PRF- 38535 。

3.9微电路组分配。适用本规范中的设备应微电路组49号

（见MIL -PRF- 38535 ，附录A） 。

4

MIL-M-38510/101J

表I.电气性能特性。 1 /

条件

-55°C

≤

T

A

≤

+125°C

见图3

除非另有说明

输入失调电压

V

IO

R

S

= 50

2/

1

01,02,

08

03,05

04,06

07

2,3

01,02,

08

03,05

04,06

07

输入失调电压

温度灵敏度

V

IO

/

T

2

01,02,

08

03,05

04,06

07

3

01,02,

03,05

04,06

07

08

TEST

符号

A组

亚

设备

TYPE

民

-3

-2

-0.5

-4

-4

-3

-1

-6

-15

范围

最大

+3

+2

+0.5

+4

+4

+3

+1

+6

+15

单位

mV

μV/°C

-18

-5

-50

-15

-5

-50

-20

+18

+5

+50

+15

+5

+50

20

参见脚注表的末尾。

5

英制

MIL-M-38510/14E

3月21日2005__

取代

MIL-M-38510/14D

1982年8月2日

军事科幻特定阳离子

微电路，数字， TTL ，数据选择器/多路复用器，

单片硅

1995年9月7日之后，不适用于新的设计。

该规范被批准用于所有Depart-使用

ments和国防部的机构。

本文所获得的产品的要求，应包括本规范表和MIL- PRF 38535

1.范围

1.1适用范围。该规范涵盖了单片硅， TTL ，数据的细节要求

选择器/多路转换器，逻辑的微电路。两个产品保证类和案例的选择，外形和引线

设置完成并反映在完整的部件号。 MIL - M-对这款产品的要求

38510已经取代了MIL -PRF- 38535 ， （见6.4 ） 。

1.2部分或识别码（PIN ） 。 PIN码是按照MIL -PRF- 38535 ，和本文规定。

1.2.1设备类型。设备类型如下：

设备类型

01

02, 06

03

04

05

电路

十六输入数据选择器/多路转换器，带有使能

八输入数据选择器/多路转换器，带有使能

双四输入数据选择器/多路转换器，带有使能

双四输入数据选择器/多路转换器，无需启用

四，双输入数据选择器/多路转换器，带有使能

1.2.2设备类。设备类是在MIL-PRF- 38535中定义的产品保证水平。

1.2.3案例概述。该案轮廓为指定的MIL -STD- 1835和如下：

概要信

E

F

J

K

Z

描述性标志

GDIP1 - T16或CDIP2 -T16

GDFP2 - F16或CDFP3 -F16

GDIP1 - T24或CDIP2 - T24

GDFP2 - F24或CDFP3 - F24

GDFP7 - F24或CDFP8 - F24

码头

16

16

24

24

24

包装样式

双列直插式

平包

双列直插式

平包

平包

意见，建议，或对本文档的问题应该给：指挥官，国防部

供应中心哥伦布，联系人： DSCC - VAS ，邮政信箱3990 ，哥伦布， OH 43218-3990 ，或通过电子邮件发送给

bipolar@dscc.dla.mil 。

由于联系人信息可以更改，你可能要验证这个货币

在使用辅助在线数据库地址信息

http://assist.daps.dla.mil 。

美国超导公司N / A

FSC 5962

MIL-M-38510/14E

1.3绝对最大额定值。

电源电压范围............................................... .......

输入电压范围............................................... ..........

存储温度范围............................................

每门最大功耗（P

D

) 1/

设备类型01 ............................................... .........

设备类型02和06 ...........................................

设备类型03 ............................................... .........

设备类型04 ............................................... .........

设备类型05 ............................................... .........

引线温度（焊接10秒） ......................

热阻，结到外壳（ θ

JC

)......................

结温（T

J

)

2/

..........................................

1.4推荐工作条件。

电源电压（V

CC

) .......................................................

最小输入高电平电压（V

IH

) ...........................

最大低电平输入电压（V

IL

) ............................

最大低电平输出电流（I

IL

) ............................

归一化的扇出（每个输出）3 /

低逻辑电平............................................... ..........

高逻辑电平............................................... .........

情况下的工作温度范围（T

C

) .........................

2.0适用文档

2.1一般。在本节中所列出的文件中的第3， 4或5本说明书指定。

此部分不包括本说明书中引用的其它部分的或推荐的文件

附加的信息或作为例子。虽然已尽力确保本完整性

列表，文档的用户应注意，它们必须满足的引用文档中的所有规定的要求

第3， 4或5本说明书中的，无论它们是否被列出。

2.2政府文件。

2.2.1规范和标准。以下规范和标准构成本说明书的一个组成部分

的程度，这里指定的。除非另有说明，这些文件的问题的那些引用的

招标或合同。

防御规格DEPARTMENT

MIL -PRF- 38535 -

集成电路（微型）制造，一般规格。

4.5 V最低至5.5 V最大

2.0 V直流

0.8 V直流

16毫安

10最高

20最高

-55 ° C至125°C

-0.5 V至7.0 V

-1.5 V在-12 mA至+5.5 V

-65 ° C至+ 150°C

375毫瓦

268毫瓦

286毫瓦

248毫瓦

275毫瓦

300°C

（见MIL -STD- 1835 ）

175°C

作者防御标准部

MIL-STD-883

MIL-STD-1835

-

-

测试方法标准的微电子。

接口标准电子元器件案例纲要

（提供这些文件的副本在网上

http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/

or

http://assist.daps.dla.mil

或从标准化文档顺序台， 700罗宾斯大道，大厦4D ，

费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）。

_______

1 /必须能承受加P

D

由于短路条件（例如我

OS

测试） 。

2 /最高结温不能超过除按照允许的短

时间老化筛选条件按照MIL-PRF- 38535 。

3 /设备将在高和低的水平扇出到相同设备类型的输入的指定数量的

作为该被测试。

2

MIL-M-38510/14E

表I.电气性能特性。

TEST

符号

条件

-55°C

≤

T

C

≤

+125°C

除非另有说明

V

CC

= 4.5 V

I

OH

= -.8毫安

低电平输出电压

输入钳位电压

V

OL

V

IC

I

IL

V

CC

= 4.5 V

I

OL

= 16毫安

V

CC

= 4.5 V

I

IN

= -12毫安

低电平输入电流

V

CC

= 5.5 V

V

IN

= 0.4 V

高层次的输入电流

高层次的输入电流

短路输出电流

02, 03,

04

05, 06

01

所有

所有

01, 03,

06

02, 04,

05

01

02,06

04

03

05

01

01

01

01

01

01

-20

-20

-0.7

-1.6

mA

所有

-1.5

V

所有

0.4

V

设备

TYPE

所有

范围

民

最大

2.4

单位

高电平输出电压

V

OH

V

-0.6

-1.6

40

100

-55

-120

68

48

45

52

50

40

43

37

32

23

30

A

A

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

ns

ns

ns

ns

ns

ns

I

IH1

I

IH2

I

OS

V

CC

= 5.5 V

V

IN

= 2.5 V

V

CC

= V

IN

= 5.5 V

V

CC

= 5.5 V

V

OUT

= 0 V 1/

电源电流

I

CC

V

CC

= 5.5 V

传播延迟时间高到低

从A ， B， C或D W输出电平

传播延迟时间从低到高

从A ， B， C或D W输出电平

传播延迟时间高到低

级输出选通为W

传播延迟时间从低到高

级输出选通为W

传播延迟时间高到低

给E输出电平

0

–E

15

为W

传播延迟时间从低到高

给E输出电平

0

–E

15

为W

t

PHL1

t

PLH1

t

PHL2

t

PLH2

t

PHL3

t

PLH3

R

L

= 390 ±5%,

C

L

= 50 pF的最低

（图4）

8

8

6

6

3

3

1 /不超过一个应在同一时间被短路。

4

MIL-M-38510/14E

表一，电气性能特点 - 持续。

条件

-55°C

≤

T

C

≤

+125°C

除非另有说明

R

L

= 390 ±5%,

C

L

= 50 pF的最低

（图4）

设备

TYPE

02

06

02

06

02

06

02

06

02

06

02, 06

02

06

02

06

02, 06

02, 06

02

06

t

PLH6

t

PHL1

t

PLH1

t

PHL2

t

PLH2

t

PHL3

t

PLH3

R

L

= 390 ±5%,

C

L

= 50 pF的最低

（图5）

02

06

03

03

03

03

03

03

范围

民

最大

6

6

6

6

8

8

8

8

6

6

6

8

8

8

8

3

3

6

6

6

6

3

3

6

6

6

6

40

48

38

43

49

60

45

58

37

38

35

46

52

42

52

32

26

41

44

33

36

29

28

44

42

32

42

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

TEST

传播延迟时间，高到低

从A ，B输出电平，或C为W

传播延迟时间，从低到高

从A ，B输出电平，或C为W

传播延迟时间，高到低

从A ，B输出电平，或C为Y

传播延迟时间，从低到高

从A ，B输出电平，或C为Y

传播延迟时间，高到低

级输出选通为W

传播延迟时间，从低到高

级输出选通为W

传播延迟时间，高到低

级输出选通为Y

传播延迟时间，从低到高

级输出选通为Y

传播延迟时间，高到低

从D产出水平

0

-D

7

为W

传播延迟时间，从低到高

从D产出水平

0

-D

7

为W

传播延迟时间，高到低

从D产出水平

0

-D

7

为Y

传播延迟时间，从低到高

从D产出水平

0

-D

7

为Y

传播延迟时间，高到低

从数据到Y输出电平

传播延迟时间，从低到高

从数据到Y输出电平

传播延迟时间，高到低

从A输出或B Y水平

传播延迟时间，从低到高

从A输出或B Y水平

传播延迟时间，高到低

级输出选通为Y

传播延迟时间，从低到高

级输出选通为Y

符号

t

PHL1

t

PLH1

t

PHL2

t

PLH2

t

PHL3

t

PLH3

t

PHL4

t

PLH4

t

PHL5

t

PLH5

t

PHL6

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

5