飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MC33880
修订版5.0 ， 6/2007
可配置8路串联开关
与串行外设接口
I / O
的33880设备是一个8输出的硬件配置的高
侧/低侧开关的8位串行输入控制。两个输出的
可以直接通过微控制器对脉冲宽度控制
调制（PWM）的应用程序。
在33880控制各种感性或白炽灯负载由
直接接口与微控制器。
该电路的新型监测与保护功能包括
极低的待机电流， “级联”故障报告，内部40 V
输出钳位对于低端配置，内部-20 V输出
夹紧的高端配置，输出特定的诊断和
输出独立的关断。
特点
设计工作5.5 V < V
PWR
< 24.5 V
8位SPI控制与故障报告， 3.3 V / 5.0 V兼容
为电流限制输出（ 0.8 A至2.0 A）来驱动
白炽灯
输出电压钳位+ 45V （典型值） （低侧驱动）和 -
20 V （典型值） （高侧驱动器）在感应开关
在V内部电池反向保护
PWR
地面或供应的消失，不通电负荷或损坏IC
最大5.0
A
I
PWR
待机电流13 V V
PWR
高达95 ℃的
R
DS （ ON）
0.55
在25 ° C典型
短路检测和自动重试限流
独立的过热保护
32引脚SOICW具有销8 ， 9 ，24，和25接地的热
性能
无铅封装用后缀代码EG和EW指定
V PWR
5.0 V
5.0 V
33880
高/低边开关
DW后缀
EG后缀（无铅）
98ASB42345B
28引脚SOICW
DWB后缀
EW后缀（无铅）
98ARH99137A
32引脚SOICW
订购信息
设备
MC33880DW/R2
MCZ33880EG/R2
MC33880DWB/R2
MCZ33880EW/R2
28 SOICW
-40
°
C至125
°
C
32 SOICW
温度
范围（T
A
)
包
33880
VPWR
VDD
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
VS
高边
EN
MCU
SPI I / O
CS
SCLK
DI
DO
IN5
IN6
GND
MOT
H- BRIDGE
PWM
低端
所有输出开关是高端或低端配置
图1. 33880简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司2007年版权所有。
引脚连接
引脚连接
GND
VDD
S8
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DO
VPWR
S7
S7
D7
S4
D4
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
图3. 98ASB42345B SOICW 28引脚连接
表1. SOICW 28引脚定义
针
数
1
2
3, 4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25, 26
27
28
引脚名称
GND
VDD
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
VPWR
DO
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式（V
DD
下面3.9 V） 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFET漏极引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
电源引脚连接到33880. VPWR具有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33880到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的特定输出有故障。
德网络nition
33880
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
引脚连接
GND
VDD
S8
S8
D8
S2
D2
GND
GND
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
DO
VPWR
S7
S7
D7
S4
D4
GND
GND
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
图4. 98ARH99137A SOICW 32引脚连接
表2. SOICW 32引脚定义
针
数
1, 8, 9,
24, 25
2
3, 4
5
6
7
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
26
27
28
29, 30
31
32
引脚名称
GND
VDD
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
VPWR
DO
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式（V
DD
下面3.9 V） 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFETdrain引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
输出6 MOSFETdrain引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
电源引脚连接到33880. VPWR具有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33880到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的特定输出有故障。
德网络nition
33880
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表3.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
评级
VDD电源电压
(1)
CS ， DI ， DO ， SCLK ， IN5 ， IN6 ，和EN
(1)
VPWR电源电压
(1)
漏1 - 8
(2)
5.0毫安
≤
I
OUT
≤
0.3 A
源1 - 8
(3)
5.0毫安
≤
I
OUT
≤
0.3 A
输出电压钳位低侧驱动器
(4)
输出电压钳位高边驱动器
(4)
输出钳位能源
(5)
ESD电压
(6)
人体模型
机器型号
储存温度
工作温度
工作结温
最高结温
功率耗散（T
A
= 25
°
C)
(7)
28 SOIC ，凯斯751F -05
32 SOIC ，案例1324年至1302年
热阻，结到环境， 28 SOIC ，凯斯751F -05
热阻，结到环境， 32 SOIC ，案例1324至1302年
热阻，结至热接地线， 32 SOIC ，案例1324年至1302年
峰值包回流温度在回流
(5)
,
(6)
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
R
θJA
R
θJA
R
θJL
T
PPRT
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
C
T
J
–
P
D
1.3
1.7
94
70
18
注6
°C
±2000
±200
-55到150
-40至125
-40至150
-40至150
V
OC
V
OC
E
钳
–
-28到40
40至55
-15至-25
50
V
DC
V
DC
mJ
V
符号
V
DD
–
V
PWR
–
-18到40
V
DC
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-16到50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
°
C
°
C
°
C
°
C
W
°
C / W
°
C / W
超过这些限制可能造成故障或永久损坏设备。
配置为300 mA负载的电流限制低侧驱动器。
配置为300 mA负载的电流限制的高边驱动器。
与输出断开和测试电流为10mA为低侧驱动器30 mA测试电流，高边驱动器。
150最大输出钳位能量的能力
°
采用单一的非重复脉冲法C的结温。
ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
),
并且执行ESD2测试
根据机器型号（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
).
最大功耗没有使用散热片。
33880
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MC33880
牧师6 ， 5/2008
可配置8路串联开关
与串行外设接口
I / O
的33880设备是一个8输出的硬件配置的高
侧/低侧开关的8位串行输入控制。两个输出的
可以直接通过微控制器对脉冲宽度控制
调制（PWM）的应用程序。
在33880控制各种感性或白炽灯负载由
直接接口与微控制器。
该电路的新型监测与保护功能包括
极低的待机电流， “级联”故障报告，内部40 V
输出钳位对于低端配置，内部-20 V输出
夹紧的高端配置，输出特定的诊断和
输出独立的关断。
特点
设计工作5.5 V < V
PWR
< 24.5 V
8位SPI控制与故障报告， 3.3 V / 5.0 V兼容
为电流限制输出（ 0.8 A至2.0 A）来驱动
白炽灯
输出电压钳位+ 45V （典型值） （低侧驱动）和 -
20 V （典型值） （高侧驱动器）在感应开关
在V内部电池反向保护
PWR
地面或供应的消失，不通电负荷或损坏IC
最大5.0
A
I
PWR
待机电流13 V V
PWR
高达95 ℃的
R
DS （ ON）
0.55
在25 ° C典型
短路检测和自动重试限流
独立的过热保护
32引脚SOICW具有销8 ， 9 ，24，和25接地的热
性能
无铅封装用后缀代码EG和EW指定
V PWR
5.0 V
5.0 V
33880
高/低边开关
DW后缀
EG后缀（无铅）
98ASB42345B
28引脚SOICW
DWB后缀
EW后缀（无铅）
98ARH99137A
32引脚SOICW
订购信息
设备
MC33880DW/R2
MCZ33880EG/R2
MC33880DWB/R2
MCZ33880EW/R2
28 SOICW
-40
°
C至125
°
C
32 SOICW
温度
范围（T
A
)
包
33880
VPWR
VDD
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
VS
高边
EN
MCU
SPI I / O
CS
SCLK
DI
DO
IN5
IN6
GND
MOT
H- BRIDGE
PWM
低端
所有输出开关是高端或低端配置
图1. 33880简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司2007年版权所有。
引脚连接
引脚连接
GND
VDD
S8
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DO
VPWR
S7
S7
D7
S4
D4
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
图3. 28引脚连接
表1. SOICW 28引脚定义
针
数
1
2
3, 4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25, 26
27
28
引脚名称
GND
VDD
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
VPWR
DO
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式（V
DD
下面3.9 V） 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFET漏极引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
电源引脚连接到33880. VPWR具有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33880到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的特定输出有故障。
德网络nition
33880
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
引脚连接
GND
VDD
S8
S8
D8
S2
D2
TGND
TGND
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
DO
VPWR
S7
S7
D7
S4
D4
TGND
TGND
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
图4. 32引脚连接
表2. SOICW 32引脚定义
针
数
1
2
3, 4
5
6
7
8, 9, 24, 25
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
26
27
28
29, 30
31
32
引脚名称
GND
VDD
S8
D8
S2
D2
TGND
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
VPWR
DO
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式（V
DD
下面3.9 V） 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFETdrain引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
热接地引脚内部连接到所述管芯的衬底，并且用于热传递。
连接热接地引脚连接到PCB接地和接地平面的散热。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
输出6 MOSFETdrain引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
电源引脚连接到33880. VPWR具有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33880到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的特定输出有故障。
德网络nition
33880
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表3.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
评级
VDD电源电压
(1)
CS ， DI ， DO ， SCLK ， IN5 ， IN6 ，和EN
(1)
VPWR电源电压
(1)
漏1 - 8
(2)
5.0毫安
≤
I
OUT
≤
0.3 A
源1 - 8
(3)
5.0毫安
≤
I
OUT
≤
0.3 A
输出电压钳位低侧驱动器
(4)
输出电压钳位高边驱动器
(4)
输出钳位能源
(5)
ESD电压
(6)
人体模型
机器型号
储存温度
工作温度
工作结温
最高结温
功率耗散（T
A
= 25
°
C)
(7)
28 SOIC ，凯斯751F -05
32 SOIC ，案例1324年至1302年
热阻，结到环境， 28 SOIC ，凯斯751F -05
热阻，结到环境， 32 SOIC ，案例1324至1302年
热阻，结至热接地线， 32 SOIC ，案例1324年至1302年
峰值包回流温度在回流
(5)
,
(6)
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
R
θJA
R
θJA
R
θJL
T
PPRT
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
C
T
J
–
P
D
1.3
1.7
94
70
18
注6
°C
±2000
±200
-55到150
-40至125
-40至150
-40至150
V
OC
V
OC
E
钳
–
-28到40
40至55
-15至-25
50
V
DC
V
DC
mJ
V
符号
V
DD
–
V
PWR
–
-18到40
V
DC
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-16到50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
°
C
°
C
°
C
°
C
W
°
C / W
°
C / W
超过这些限制可能造成故障或永久损坏设备。
配置为300 mA负载的电流限制低侧驱动器。
配置为300 mA负载的电流限制的高边驱动器。
与输出断开和测试电流为10mA为低侧驱动器30 mA测试电流，高边驱动器。
150最大输出钳位能量的能力
°
采用单一的非重复脉冲法C的结温。
ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
),
并且执行ESD2测试
根据机器型号（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
).
最大功耗没有使用散热片。
33880
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MC33880
修订版7.0 ， 1/2009
可配置8路串联开关
与串行外设接口
I / O
的33880设备是一个8输出的硬件配置的高
侧/低侧开关的8位串行输入控制。两个输出的
可以直接通过微控制器对脉冲宽度控制
调制（PWM）的应用程序。
在33880控制各种感性或白炽灯负载由
直接接口与微控制器。
该电路的新型监测与保护功能包括
极低的待机电流， “级联”故障报告，内部40 V
输出钳位对于低端配置，内部-20 V输出
夹紧的高端配置，输出特定的诊断和
输出独立的关断。
特点
设计工作5.5 V < V
PWR
< 24.5 V
8位SPI控制与故障报告， 3.3 V / 5.0 V兼容
为电流限制输出（ 0.8 A至2.0 A）来驱动
白炽灯
输出电压钳位+ 45V （典型值） （低侧驱动）和 -
20 V （典型值） （高侧驱动器）在感应开关
在V内部电池反向保护
PWR
地面或供应的消失，不通电负荷或损坏IC
最大5.0
μA
I
PWR
待机电流13 V V
PWR
高达95 ℃的
R
DS （ ON）
0.55
Ω
在25 ° C典型
短路检测和自动重试限流
独立的过热保护
32引脚SOICW具有销8 ， 9 ，24，和25接地的热
性能
无铅封装用后缀代码EG和EW指定
V PWR
5.0 V
5.0 V
33880
高/低边开关
DW后缀
EG后缀（无铅）
98ASB42345B
28引脚SOICW
DWB后缀
EW后缀（无铅）
98ARH99137A
32引脚SOICW
订购信息
设备
MC33880DW/R2
MCZ33880EG/R2
MC33880DWB/R2
MCZ33880EW/R2
28 SOICW
-40
°
C至125
°
C
32 SOICW
温度
范围（T
A
)
包
33880
VPWR
VDD
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
VS
高边
EN
MCU
SPI I / O
CS
SCLK
DI
DO
IN5
IN6
GND
MOT
H- BRIDGE
PWM
低端
所有输出开关是高端或低端配置
图1. 33880简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司2009年版权所有。
引脚连接
引脚连接
GND
VDD
S8
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DO
VPWR
S7
S7
D7
S4
D4
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
图3. 28引脚连接
表1. SOICW 28引脚定义
针
数
1
2
3, 4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25, 26
27
28
引脚名称
GND
VDD
S8
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
VPWR
DO
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式（V
DD
下面3.9 V） 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFET漏极引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET的漏极引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
电源引脚连接到33880. VPWR具有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33880到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的特定输出有故障。
德网络nition
33880
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
引脚连接
GND
VDD
S8
S8
D8
S2
D2
TGND
TGND
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
DO
VPWR
S7
S7
D7
S4
D4
TGND
TGND
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
图4. 32引脚连接
表2. SOICW 32引脚定义
针
数
1
2
3, 4
5
6
7
8, 9, 24, 25
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
26
27
28
29, 30
31
32
引脚名称
GND
VDD
S8
D8
S2
D2
TGND
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
VPWR
DO
数字地。
逻辑电源电压。逻辑电源必须关闭低电流模式（V
DD
下面3.9 V） 。
输出8 MOSFET的源极引脚。
输出8 MOSFETdrain引脚。
输出2 MOSFET的源极引脚。
2输出MOSFET的漏极引脚。
热接地引脚内部连接到所述管芯的衬底，并且用于热传递。
连接热接地引脚连接到PCB接地和接地平面的散热。
输出1 MOSFET的源极引脚。
1输出MOSFET的漏极引脚。
输出6 MOSFETdrain引脚。
6输出MOSFET源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
使能输入。允许输出的控制。高电平有效。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33880.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33880.逻辑[ 0 ]允许数据在传输。
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
5输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET的漏极引脚。
3输出MOSFET源极引脚。
4输出MOSFET的漏极引脚。
4输出MOSFET源极引脚。
7输出MOSFET的漏极引脚。
7输出MOSFET源极引脚。
电源引脚连接到33880. VPWR具有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33880到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的特定输出有故障。
德网络nition
33880
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表3.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
评级
VDD电源电压
(1)
CS ， DI ， DO ， SCLK ， IN5 ， IN6 ，和EN
(1)
VPWR电源电压
(1)
漏1 - 8
(2)
5.0毫安
≤
I
OUT
≤
0.3 A
源1 - 8
(3)
5.0毫安
≤
I
OUT
≤
0.3 A
输出电压钳位低侧驱动器
(4)
输出电压钳位高边驱动器
(4)
输出钳位能源
(5)
ESD电压
(6)
人体模型
机器型号
储存温度
工作温度
工作结温
最高结温
功率耗散（T
A
= 25
°
C)
(7)
28 SOIC ，凯斯751F -05
32 SOIC ，案例1324年至1302年
热阻，结到环境， 28 SOIC ，凯斯751F -05
热阻，结到环境， 32 SOIC ，案例1324至1302年
热阻，结至热接地线， 32 SOIC ，案例1324年至1302年
峰值包回流温度在回流
(8)
,
(9)
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
R
θJA
R
θJA
R
θJL
T
PPRT
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
C
T
J
–
P
D
1.3
1.7
94
70
18
注9
°C
±2000
±200
-55到150
-40至125
-40至150
-40至150
V
OC
V
OC
E
钳
–
-28到40
40至55
-15至-25
50
V
DC
V
DC
mJ
V
符号
V
DD
–
V
PWR
–
-18到40
V
DC
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-16到50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
°
C
°
C
°
C
°
C
W
°
C / W
°
C / W
超过这些限制可能造成故障或永久损坏设备。
配置为300 mA负载的电流限制低侧驱动器。
配置为300 mA负载的电流限制的高边驱动器。
与输出断开和测试电流为10mA为低侧驱动器30 mA测试电流，高边驱动器。
150最大输出钳位能量的能力
°
采用单一的非重复脉冲法C的结温。
ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
Ω),
并且执行ESD2测试
根据机器型号（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
Ω).
最大功耗没有使用散热片。
销焊接温度极限是10秒，最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级（ MSL ） ，部件编号去www.freescale.com ，搜索如删除前缀/后缀
而进入核心ID来查看所有可订购的零件（如MC33xxxD进入33xxx ） ，并需要技术审查。
33880
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
