半导体
MSM531632F
1,048,576字×16位或2,097,152字×8位MASKROM
描述
在OKI MSM531632F是一个高速CMOS掩膜ROM可以电开关
之间1,048,576字×16位或2,097,152字×8位配置。该MSM531622E
工作在5.0V单电源供电， TTL兼容。该芯片的异步I / O
无需外部时钟确保轻松operation.A省电模式提供低功耗
当芯片处于未选中耗散。在CE和OE引脚作为控制
允许三态输出允许在系统上轻松扩展内存信号总线。
MSM531622F适合于用作大容量的固定存储器的微型计算机和数据
终端。
特点
3.0V或3.3V单电源供电
1,048,576字×16位/ 2,097,152字×8位
存取时间
—
消耗电流
150ns
—
20毫安（当电源为3.0V ± 0.3V ）
120ns
—
30毫安（当电源为3.3V ± 0.3V ）
三态输出配置
内置省电功能
包装：
(DIP42-P-600)
(MSM531632E-xxRS)
42引脚塑料DIP
44引脚塑料SOP （ SOP44 -P - 600 -K ） （ MSM531632E - xxGS -K ）
48引脚塑料TSOP （ TSOP48 -P - 550 -K ） （ MSM531632E - xxTS -K ）
16MEPROM （ 42引脚）引脚兼容
1
MSM531632Fl
框图
V
CC
V
SS
A-1
字节
在8位和16位输出切换
CE
OE
CE
OE
控制
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
X
解码器
记忆细胞
矩阵
1,048,576字×16或2,097,152 ×8
地址
卜FF器
多路复用器
Y
解码器
输出缓冲器
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D10 D12 D14
D9 D11 D13 D15
功能表
CE
H
L
L
L
L
OE
X
H
L
L
L
字节
X
X
H
L
L
A-1/D15
X
X
输入禁止（ D15 ）
D0到D7
高阻
高阻
D0到D7
D0到D7
D8到D15
D8到D15
高阻
高阻
D8到D15
高阻
高阻
DOUT模式
高阻
16位
8位
最低位
—
A0
A-1
最高位
—
A19
A19
L
H
3
MSM531632F
电气特性
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
每包牛逼
OPR
= 25°C
条件
到V
SS
范围
-0.3 7
-0.3到V
CC
+ 0.5
-0.3到V
CC
+ 0.5
1.0
0到70
-55到150
单位
V
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件（V CC = 3.0V ）
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
2.7
0.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.0
0.0
3.0
0.0
—
马克斯。
3.3
0.0
6.0
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
推荐工作条件（V CC = 3.3V ）
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
3.0
0.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.3
0.0
3.3
0.0
—
马克斯。
3.6
0.0
6.0
0.6
70
单位
V
V
V
V
°C
4
MSM531632F
直流特性（ V CC = 3.0V ± 0.3V ）
值（TA = 0 70℃ ）
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCSC
I
CCST
条件
I
OH
= -100uA
I
OH
= -400uA
I
OL
=为100uA
I
OI
= 1.0毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
IL
,
OE = V
IH ，
t
C
=为150ns
CE = V
CC
–0.2V
CE = V
IH MIN
分钟。
V
CC
– 0.1
V
CC
– 0.4
—
—
–10
–10
—
—
—
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
—
0.1
0.4
10
10
20
10
50
单位
V
V
V
V
uA
uA
mA
uA
uA
l
直流特性（ V CC = 3.3V ± 0.3V ）
范围
分钟。
V
CC
– 0.1
V
CC
– 0.4
—
—
–10
–10
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
值（TA = 0 70℃ ）
马克斯。
—
—
0.1
0.4
10
10
30
10
50
单位
V
V
V
V
A
A
mA
A
A
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCSC
I
CCST
条件
I
OH
= –100A
I
OH
= –400A
I
OL
= 100A
I
OI
= 1.0毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
t
C
= 120ns的
CE = V
CC
–0.2V
CE = V
IH MIN
5
半导体
MSM531632E
1,048,576字×16位或2,097,152字×8位MASKROM
描述
在OKI MSM531632E是一个高速CMOS掩膜ROM可以电开关
之间1,048,576字×16位或2,097,152字×8位配置。该MSM531622E
工作在5.0V单电源供电， TTL兼容。该芯片的异步I / O
无需外部时钟保证操作方便。电源关断模式下提供低功耗
当芯片处于未选中耗散。在CE和OE引脚作为控制
允许三态输出允许在系统上轻松扩展内存信号总线。
MSM531622E适合于用作大容量的固定存储器的微型计算机和数据
终端。
特点
3.0V或3.3V单电源供电
1,048,576字×16位/ 2,097,152字×8位
访问时间 - 电流消耗
200ns的 - 20毫安（当电源为3.0V ± 0.3V ）
为150ns - 30毫安（当电源为3.3V ± 0.3V ）
三态输出配置
内置省电功能
包装：
42引脚塑料DIP
(DIP42-P-600)
(MSM531632E-xxRS)
44引脚塑料SOP （ SOP44 -P - 600 -K ） （ MSM531632E - xxGS -K ）
48引脚塑料TSOP （ TSOP48 -P - 550 -K ） （ MSM531632E - xxTS -K ）
16MEPROM （ 42引脚）引脚兼容
1
MSM531632E
框图
V
CC
V
SS
A-1
字节
在8位和16位输出切换
CE
OE
CE
OE
控制
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
X
解码器
记忆细胞
矩阵
1,048,576字×16或2,097,152 ×8
地址
卜FF器
多路复用器
Y
解码器
输出缓冲器
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D10 D12 D14
D9 D11 D13 D15
功能表
CE
H
L
L
L
L
OE
X
H
L
L
L
字节
X
X
H
L
L
A-1/D15
X
X
输入禁止（ D15 ）
D0到D7
高阻
高阻
D0到D7
D0到D7
D8到D15
D8到D15
高阻
高阻
D8到D15
高阻
高阻
DOUT模式
高阻
16位
8位
最低位
—
A0
A-1
最高位
—
A19
A19
L
H
3
MSM531632E
电气特性
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
每包牛逼
OPR
=25°C
条件
到V
SS
范围
-0.3 7
-0.3到V
CC
+0.5
-0.3到V
CC
+0.5
1.0
0到70
-55到150
单位
V
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件（V CC = 3.0V ）
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
2.7
0.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.0
0.0
3.0
0.0
—
马克斯。
3.3
0.0
6.0
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
推荐工作条件（V CC = 3.0V ）
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
3.0
0.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.3
0.0
3.3
0.0
—
马克斯。
3.6
0.0
6.0
0.6
70
单位
V
V
V
V
°C
4
MSM531632E
直流特性（ V CC = 3.0V ± 0.3V ）
（大= 0 70 ° C）
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCSC
I
CCST
条件
I
OH
= -100uA
I
OH
= -400uA
I
OL
=为100uA
I
OI
= 1.0毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
IL
,
OE = V
IH ，
t
C
= 200ns的
CE = V
CC
–0.2V
CE = V
IH MIN
范围
分钟。
典型值。
V
CC
– 0.1
—
V
CC
– 0.4
—
—
–10
–10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
—
0.1
0.4
10
10
20
10
50
单位
V
V
V
V
uA
uA
mA
uA
uA
直流特性（ V CC = 3.3V ± 0.3V ）
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCSC
I
CCST
条件
I
OH
= -100uA
I
OH
= -400uA
I
OL
=为100uA
I
OI
= 1.0毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
t
C
=为150ns
CE = V
CC
–0.2V
CE = V
IH MIN
(V
CC
= 5V ± 10 ％以下，Ta = 0至70 ℃）下
范围
分钟。
典型值。
—
V
CC
– 0.1
V
CC
– 0.4
—
—
–10
–10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
—
0.1
0.4
10
10
30
10
50
单位
V
V
V
V
uA
uA
mA
uA
uA
5
半导体
MSM531632F
1,048,576字×16位或2,097,152字×8位MASKROM
描述
在OKI MSM531632F是一个高速CMOS掩膜ROM可以电开关
之间1,048,576字×16位或2,097,152字×8位配置。该MSM531622E
工作在5.0V单电源供电， TTL兼容。该芯片的异步I / O
无需外部时钟确保轻松operation.A省电模式提供低功耗
当芯片处于未选中耗散。在CE和OE引脚作为控制
允许三态输出允许在系统上轻松扩展内存信号总线。
MSM531622F适合于用作大容量的固定存储器的微型计算机和数据
终端。
特点
3.0V或3.3V单电源供电
1,048,576字×16位/ 2,097,152字×8位
存取时间
—
消耗电流
150ns
—
20毫安（当电源为3.0V ± 0.3V ）
120ns
—
30毫安（当电源为3.3V ± 0.3V ）
三态输出配置
内置省电功能
包装：
(DIP42-P-600)
(MSM531632E-xxRS)
42引脚塑料DIP
44引脚塑料SOP （ SOP44 -P - 600 -K ） （ MSM531632E - xxGS -K ）
48引脚塑料TSOP （ TSOP48 -P - 550 -K ） （ MSM531632E - xxTS -K ）
16MEPROM （ 42引脚）引脚兼容
1
MSM531632Fl
框图
V
CC
V
SS
A-1
字节
在8位和16位输出切换
CE
OE
CE
OE
控制
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
X
解码器
记忆细胞
矩阵
1,048,576字×16或2,097,152 ×8
地址
卜FF器
多路复用器
Y
解码器
输出缓冲器
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D10 D12 D14
D9 D11 D13 D15
功能表
CE
H
L
L
L
L
OE
X
H
L
L
L
字节
X
X
H
L
L
A-1/D15
X
X
输入禁止（ D15 ）
D0到D7
高阻
高阻
D0到D7
D0到D7
D8到D15
D8到D15
高阻
高阻
D8到D15
高阻
高阻
DOUT模式
高阻
16位
8位
最低位
—
A0
A-1
最高位
—
A19
A19
L
H
3
MSM531632F
电气特性
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
每包牛逼
OPR
= 25°C
条件
到V
SS
范围
-0.3 7
-0.3到V
CC
+ 0.5
-0.3到V
CC
+ 0.5
1.0
0到70
-55到150
单位
V
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件（V CC = 3.0V ）
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
2.7
0.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.0
0.0
3.0
0.0
—
马克斯。
3.3
0.0
6.0
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
推荐工作条件（V CC = 3.3V ）
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
3.0
0.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.3
0.0
3.3
0.0
—
马克斯。
3.6
0.0
6.0
0.6
70
单位
V
V
V
V
°C
4
MSM531632F
直流特性（ V CC = 3.0V ± 0.3V ）
值（TA = 0 70℃ ）
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCSC
I
CCST
条件
I
OH
= -100uA
I
OH
= -400uA
I
OL
=为100uA
I
OI
= 1.0毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
IL
,
OE = V
IH ，
t
C
=为150ns
CE = V
CC
–0.2V
CE = V
IH MIN
分钟。
V
CC
– 0.1
V
CC
– 0.4
—
—
–10
–10
—
—
—
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
—
0.1
0.4
10
10
20
10
50
单位
V
V
V
V
uA
uA
mA
uA
uA
l
直流特性（ V CC = 3.3V ± 0.3V ）
范围
分钟。
V
CC
– 0.1
V
CC
– 0.4
—
—
–10
–10
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
值（TA = 0 70℃ ）
马克斯。
—
—
0.1
0.4
10
10
30
10
50
单位
V
V
V
V
A
A
mA
A
A
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCSC
I
CCST
条件
I
OH
= –100A
I
OH
= –400A
I
OL
= 100A
I
OI
= 1.0毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
t
C
= 120ns的
CE = V
CC
–0.2V
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