MC33502
1.0 V,轨到轨,双
运算放大器连接器
该MC33502运算放大器提供轨对轨操作
在输入和输出两者。输出可以在50毫伏的摆动
每个轨道。这轨到轨操作使用户可以充分利用
在整个电源电压范围内提供。它被设计为工作在
非常低的电源电压( 1.0 V和地面) ,但可以与操作
供应高达7.0 V和地面。输出电流刺激技术
提供高的输出电流的能力,同时保持漏电流
该放大器为最小。
特点
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记号
图表
8
PDIP8
P后缀
CASE 626
1
1
8
8
1
A
L, WL
Y, YY
W, WW
G
或G
SOIC8
后缀
CASE 751
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
33502
ALYW
G
MC33502P
AWL
YYWWG
低电压,单电源供电
( 1.0 V和地面至7.0 V和接地)
高输入阻抗:通常40 fA的输入电流
典型的单位增益带宽@ 5.0 V = 5.0 MHz时,
@ 1.0 V = 4.0 MHz的
高输出电流(I
SC
= 40毫安, 5.0伏, 13毫安@ 1.0 V)
在50 mV的两个轨的输出电压摆幅@ 1.0 V
输入电压范围包括两个电源轨
高电压增益:100 dB(典型) @ 1.0 V
没有对输出相位反转过驱动输入信号
输入失调修剪到0.5 mV的典型
低电源电流(I
D
= 1.2毫安/每放大器,典型值)
600
W
驱动能力
扩展工作温度范围( -40 105 ° C)
无铅包可用
8
引脚连接
输出1 1
2
输入1
3
1
2
8 V
CC
7输出2
6
5
(双,顶视图)
输入2
应用
单节镍镉/镍氢电源系统
接口DSP
便携式通信设备
低压有源滤波器
电话线路
仪表放大器器
音频应用
电源监控
兼容VCX逻辑
V
EE
4
订购信息
设备
MC33502P
MC33502PG
MC33502D
MC33502DG
MC33502DR2
MC33502DR2G
包
PDIP8
PDIP8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
98单位/铁
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年7月 - 8版本
出版订单号:
MC33502/D
MC33502
BASE
当前
BOOST
输入
输入
舞台
缓冲带0 V
电平转换
饱和
探测器
输出
产量
舞台
OFFSET
电压
TRIM
BASE
当前
BOOST
该器件包含每个放大器的98个晶体管。
图1.简化的框图
最大额定值
等级
电源电压(V
CC
到V
EE
)
符号
V
S
价值
7.0
单位
V
V
V
V
V
s
ESD保护电压的任何引脚
人体模型
电压在任何器件引脚
V
ESD
V
DP
2000
V
S
±0.3
输入差分电压范围
V
IDR
V
CM
t
S
V
CC
到V
EE
V
CC
到V
EE
注1
150
共模输入电压范围
输出短路持续时间
最高结温
存储温度范围
T
J
°C
°C
T
英镑
P
D
-65到150
注1
最大功率耗散
mW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.功耗必须考虑,以确保最高结温(T
J
)不超标。
2. ESD数据可根据要求提供。
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2
MC33502
AC电气特性
(V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V, V
CM
= V
O
= V
CC
/2, T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
特征
压摆率(V
S
=
±2.5
V, V
O
= -2.0 2.0 V,R 1
L
= 2.0千瓦,A
V
= 1.0)
正斜率
负斜率
增益带宽积( F = 100千赫)
V
CC
= 0.5 V, V
EE
= 0.5 V
V
CC
= 1.5 V, V
EE
= 1.5 V
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 2.5 V
增益裕度(R
L
= 10千瓦,C
L
= 0 pF)的
符号
SR
民
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
典型值
3.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
60
最大
6.0
6.0
6.0
7.0
8.0
单位
V / ms的
GBW
兆赫
Am
φ
m
dB
相位裕度(R
L
= 10 KW ,C
L
= 0 pF)的
度
dB
声道分离度( F = 1.0 Hz至20 kHz ,R
L
= 600
W)
CS
120
200
功率带宽(V
O
= 4.0 V
pp
, R
L
= 1.0千瓦,总谐波失真
≤1.0%)
BW
P
THD
千赫
%
总谐波失真(V
O
= 4.5 V
pp
, R
L
= 600
W,
A
V
= 1.0)
F = 1.0千赫
F = 10千赫
差分输入电阻(V
CM
= 0 V)
0.004
0.01
>1.0
2.0
R
in
C
in
e
n
terraW
pF
差分输入电容(V
CM
= 0 V)
等效输入噪声电压(V
CC
= 1.0 V, V
CM
= 0 V, V
EE
= GND ,
R
S
= 100
W)
F = 1.0千赫
纳伏/赫兹÷
30
V
CC
IN-
IN +
OUT
OFFSET
电压
TRIM
V
CC
V
CC
产量
电压
饱和
探测器
钳
V
CC
体
BIAS
图2.典型框图
http://onsemi.com
5