MC33362
高压开关
调节器
的MC33362是单片高压开关稳压
专门设计用于从一个整流120伏交流线操作
源。该集成电路具有一个片上500 V / 2.0 A
SENSEFET电源开关， 250 V活跃的离线启动场效应管，职责
周期控制振荡器，电流限制比较器，具有一个
可编程阈值和脉冲前沿消隐，脉冲锁存
宽度调制器的双脉冲抑制，高增益误差
放大器和调整的内部带隙基准。保护的
功能包括逐周期电流限制，输入欠压
锁定与滞后，输出过压保护和过热
关机。该器件采用16引脚双列直插式和宽
机身表面贴装封装。
片500 V ， 2.0 A的SenseFET电源开关
纠正120 VAC线源操作
片250 V激活离线启动FET
PWM锁存双脉冲抑制
逐周期电流限制
输入欠压锁定与迟滞
输出过压保护比较器
调整的内部带隙基准
内部热关断
无铅包可用
AC输入
启动输入
调节器
产量
8
6
R
T
C
T
OSC
7
PWM锁存器
S
Q
PWM
R
I
pk
热
LEB
赔偿金
9
司机
OVP
启动
REG
UVLO
V
CC
3
过压
保护
输入
11
16
开关
漏
DC输出
1
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648E
16
1
SO16W
DW后缀
CASE 751N
1
A
WL
YY
WW
MC33362P
AWLYYWW
16
MC33362DW
AWLYYWW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
启动输入
1
16
开关
漏
V
CC
GND
镜
3
4
5
13
GND
12
11
10
9
（ TOP VIEW ）
过压
保护输入
电压反馈
输入
赔偿金
R
T
C
T
稳压器输出
6
7
8
订购信息
设备
MC33362DW
MC33362DWG
MC33362DWR2
包
SO16W
SO16W
（无铅）
SO16W
SO16W
（无铅）
PDIP16
航运
47单位/铁
47单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
EA
10
电压
反馈
输入
MC33362DWR2G
GND
4, 5, 12, 13
该器件包含221有源晶体管。
MC33362P
25单位/铁
图1.简化的应用
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
MC33362/D
2005年4月，
启示录6
1
MC33362
最大额定值
（注1 ）
电源开关（引脚16 ）
漏极电压
漏电流
V
DS
I
DS
V
in
500
2.0
400
40
V
A
V
V
V
启动输入电压（引脚1 ，注2 ）
电源电压（引脚3 ）
V
CC
V
IR
输入电压范围
电压反馈输入端（引脚10 ）
补偿（引脚9 ）
过压保护输入（引脚11 ）
R
T
（引脚6 ）
C
T
（引脚7 ）
1.0
到V
REG
热特性
P后缀，双列直插式外壳648E
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
（引脚4 ， 5 ， 12 ， 13 ）
DW后缀，表面贴装案例751N
热阻，结到空气
热阻，结到外壳
（引脚4 ， 5 ， 12 ， 13 ）
参见图17和图18的额外热量信息。
工作结温
储存温度
R
qJA
R
QJC
° C / W
80
15
95
15
T
J
25 150
55 150
°C
°C
T
英镑
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.该装置系列包含ESD保护和超过以下测试：
人体模型每MIL -STD - 883 2000 V，方法3015 。
机模型法200 V.
等级
符号
价值
单位
电气特性
(V
CC
= 20 V ，R
T
= 10 K，C
T
= 390 pF的，C
引脚8
= 1.0
MF，
典型值T
J
= 25°C,
为了最小值/最大值值T
J
是适用的工作结温范围（注3 ）中，除非另有说明）。
特征
调节器
（引脚8 ）
符号
民
典型值
最大
单位
输出电压（I
O
= 0 mA时，T
J
= 25°C)
线路调整率（V
CC
= 20 V至40 V ）
负载调整率（我
O
= 0 mA至10毫安）
V
REG
5.5
6.5
30
44
7.5
V
REG
LINE
V
REG
500
200
8.0
mV
mV
V
REG
负载
总输出变化线路，负载和温度
5.3
振荡器
（引脚7 ）
频率
C
T
= 390 pF的
C
T
= 2.0 nF的
T
J
= 25°C （V
CC
= 20 V)
T
J
= T
低
给T
高
(V
CC
= 20 V至40 V ）
T
J
= 25°C （V
CC
= 20 V)
T
J
= T
低
给T
高
(V
CC
= 20 V至40 V ）
f
OSC
260
255
60
59
285
67.5
0.1
310
315
75
76
2.0
千赫
频率变化与电压（V
CC
= 20 V至40 V ）
电压反馈输入阈值
Df
OSC
/ DV
V
FB
I
IB
千赫
误差放大器器
（插针9,10）
2.52
2.6
0.6
20
2.68
5.0
V
线路调整率（V
CC
= 20 V至40 V ，T
J
= 25°C)
输入偏置电流（V
FB
= 2.6 V)
REG
LINE
mV
nA
500
2.最大功耗限制必须遵守。
3.测试结温范围为MC33362 ：
T
低
=
25°C
T
高
= +125°C
4.测试结温范围为MC33362 ：
T
低
=
25°C
T
高
= +125°C
http://onsemi.com
2
电气特性（续）
(V
CC
= 20 V ，R
T
= 10 K，C
T
= 390 pF的，C
引脚8
= 1.0
MF，
典型值T
J
= 25°C,
为了最小值/最大值值T
J
是适用的工作结温范围（注3 ）中，除非另有说明）。
2.最大功耗限制必须遵守。
3.测试结温范围为MC33362 ：
T
低
=
25°C
T
高
= +125°C
4.测试结温范围为MC33362 ：
T
低
=
25°C
T
高
= +125°C
设备总
（引脚3 ）
欠压锁定
（引脚3 ）
启动控制
（引脚1）
过流比较
（引脚16 ）
开关
（引脚16 ）
PWM比较器
（引脚7,9）
过压检测
（引脚11 ）
误差放大器器
（插针9,10）
电源电流
启动（V
CC
= 10 V ， 1脚打开）
操作
最低工作电压在导通之后
启动阈值（V
CC
增加）
断态泄漏电流（V
in
= 50 V, V
CC
= 20 V)
峰值启动电流（V
in
= 50 V） （T
J
=
25°C
至100℃ ）
V
CC
= 0 V
V
CC
= (V
TH （ON）的
0.2 V)
电流限制阈值（R
T
= 10 k)
下降时间
上升时间
漏源断态泄漏电流（V
DS
= 500 V)
漏源导通电阻（我
D
= 200 mA）的
T
J
= 25°C
T
J
= T
低
给T
高
占空比
最大（V
FB
= 0 V)
最小（V
FB
= 2.7 V)
输入偏置电流（V
in
= 2.6 V)
输入阈值电压
输出电压摆幅
高邦（我
来源
= 100
毫安，
V
FB
< 2.0 V）
低状态（我
SINK
= 100
毫安，
V
FB
> 3.0V）
增益带宽积（ F = 100千赫，T
J
= 25°C)
开环电压增益（T
J
= 25°C)
特征
http://onsemi.com
MC33362
3
V
CC（分钟）
DC
（最大）
DC
（分钟）
符号
R
DS （ ON）
V
TH （ON）的
GBW
I
D（关闭）
I
D（关闭）
A
VOL
V
OH
V
OL
I
开始
I
CC
V
th
I
LIM
I
IB
t
r
t
f
2.47
民
7.5
2.0
2.0
0.7
4.0
48
11
14.5
典型值
100
0.3
3.6
9.5
5.0
5.0
0.9
0.2
4.4
2.6
5.3
0.2
1.0
40
50
50
50
0
82
2.73
0.35
最大
11.5
200
500
0.5
5.0
8.0
8.0
1.1
6.0
12
18
50
52
0
兆赫
单位
mA
mA
nA
dB
mA
mA
ns
ns
%
W
V
V
A
V
V
QQ：2880707522 复制
