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MC14521B
24级分频器
的MC14521B由一个链中的24个触发器的一个输入
电路允许三种工作模式。输入将作为
一个晶体振荡器, RC振荡器,或作为一个输入缓冲器
外部振荡器。每个触发器划分的频率
以往的触发器由两个,因此这部分将计数到2
24
=
16777216 。上的负边沿计数前进
时钟。可用于添加的最后七个阶段的输出
灵活性。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14521BCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
1
MC14521B
AWLYWW
14521B
AWLYWW
所有阶段都是复式
复位会禁止RC振荡器的低待机功耗
RC和晶体振荡器输出能够驱动外部的
负载
测试模式,以缩短测试时间
V
DD
和V
SS
销带出的晶体振荡器,以逆变器
允许外部电阻器的低功耗连接
手术
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围。
最大额定值
(电压参考V
SS
) (注2 )
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,
每包(注3 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
订购信息
设备
MC14521BCP
MC14521BD
MC14521BDR2
MC14521BF
MC14521BFEL
MC14521BFR2
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
48/Rail
2500 /磁带&卷轴
见注1 。
见注1 。
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
到范围V
SS
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装,请联系您当地的
安森美半导体的代表。
v
v
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号:
MC14521B/D
MC14521B
引脚分配
Q24
RESET
V
SS
输出2
V
DD
IN 2
1
2
3
4
5
6
7
V
SS
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
Q23
Q22
Q21
Q20
Q19
Q18
IN 1
框图
RESET
2
产量
Q18
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
计数能力
2
18
= 262,144
2
19
= 524,288
2
20
= 1,048,576
2
21
= 2,097,152
2
22
= 4,194,304
2
23
= 8,388,608
2
24
= 16,777,216
9
IN 1
6
IN 2
阶段
1 THRU 17
V
DD
= 16 PIN
V
SS
= 8 PIN
阶段
18 THRU 24
Q18 Q19 Q20 Q21 Q22 Q23 Q24
7
出1
5
V
DD
V
SS
3
4
OUT2
10
11
12
13
14
15
1
http://onsemi.com
2
MC14521B
电气特性
(电压参考V
SS
)
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
引脚4 & 7
5.0
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
典型值
(4.)
0
0
0
最大
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
V
IL
2.25
4.50
6.75
V
OH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
(V
OH
= 2.5伏)
来源
(V
OH
= 4.6伏)
引脚1 , 10 ,
(V
OH
= 9.5伏), 11 , 12 , 13 , 14
(V
OH
= 13.5伏)
15
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
(每包)
总电源电流
(5.) (6.)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
SINK
MADC
I
in
C
in
I
DD
μAdc
pF
μAdc
I
T
I
T
= (0.42
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (0.85
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (1.40
μA /千赫)
F +我
DD
μAdc
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的:
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
其中:I
T
A
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏中,f以kHz为输入频率,以及k = 0.003 。
http://onsemi.com
3
MC14521B
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25
_
C)
特征
符号
V
DD
VDC
5.0
10
15
t
PHL
, t
PLH
5.0
10
15
5.0
10
15
t
PHL
5.0
10
15
t
WH ( CL )
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
385
150
120
1400
600
450
30
0
– 40
1300
500
375
140
55
40
3.5
9.0
12
700
300
225
– 200
– 160
– 110
2600
1000
750
2.0
5.0
6.5
15
5.0
4.0
ns
4.5
1.7
1.3
6.0
2.2
1.7
9.0
3.5
2.7
12
4.5
3.5
ns
典型值
(8.)
100
50
40
最大
200
100
80
s
单位
ns
输出上升时间和下降时间(计数器输出)
t
TLH
, t
THL
= ( 1.5纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.75纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.55纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
传播延迟时间
时钟Q18
t
PHL
, t
PLH
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 4415 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 1667 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 1275 NS
时钟Q24
t
PHL
, t
PLH
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 5915 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 2167 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 1675 NS
传播延迟时间
重置为Q
n
t
PHL
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 1215 NS
t
PHL
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 467纳秒
t
PHL
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 350纳秒
时钟脉冲宽度
t
TLH
, t
THL
时钟脉冲频率
f
cl
兆赫
时钟的上升和下降时间
t
TLH
, t
THL
s
复位脉冲宽度
t
WH (注册商标)
ns
复位移走时间
t
REM
ns
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
500
F
V
DD
脉冲
发电机
IN 2
0.01
F
陶瓷的
V
DD
Q18
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
C
L
V
SS
C
L
V
in
20纳秒
90%
10%
占空比为50%
20纳秒
V
DD
0V
I
D
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
50%
R
V
SS
图1.功耗测试电路和波形
http://onsemi.com
4
MC14521B
V
DD
V
DD
脉冲
发电机
IN 2
V
DD
Q18
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
V
SS
C
L
IN 2
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
Q
n
50%
10%
t
WL
90%
10%
t
PLH
t
TLH
t
PHL
t
THL
20纳秒
50%
20纳秒
90%
t
WH
20纳秒
R
V
SS
图2.开关时间测试电路和波形
特征
水晶特点
谐振频率
等效电阻,R
S
V
DD
R
o
V
DD
R*
V
DD
外部电阻/电容值
R
o
C
T
C
S
频率稳定度
频率变化的函数
V的
DD
(T
A
= 25
_
C)
V
DD
从5.0 V变为10 V
V
DD
从10 V变为15 V
频率变化的函数
温度(V
DD
= 10 V)
T
A
改变从 - 55
_
C至+ 25
_
C
只有MC14521
完整的振荡器*
T
A
从+ 25变
_
C至+ 125
_
C
只有MC14521
完整的振荡器*
500千赫
电路
500
1.0
47
82
20
50千赫
电路
50
6.2
750
82
20
单位
千赫
k
k
pF
pF
18 M
C
S
C
T
进1出1
输出2
Q18
Q19
IN 2
Q20
Q21
Q22
Q23
R
Q24
V
SS
V
SS
R*
+ 6.0
+ 2.0
– 4.0
+ 100
+ 2.0
+ 2.0
– 2.0
+ 120
PPM
PPM
PPM
PPM
– 2.0
– 160
– 2.0
– 560
PPM
PPM
图3.晶体振荡器电路
图4.典型的数据为晶体振荡器电路
http://onsemi.com
5
*可选低功耗工作,
10 k
R
70 k.
*完整的振荡器包括晶振,电容,电阻。
MC14521B
24级分频器
的MC14521B由一个链中的24个触发器的一个输入
电路允许三种工作模式。输入将作为一个
晶体振荡器, RC振荡器,或作为外部输入缓冲器
振荡器。各触发器将所述前一触发器的频率
由两个,因此这部分将计数到2
24
= 16777216 。该
计数时钟上的负向边沿的进步。的输出
过去的七阶段为客人提供更多的灵活性。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
MC14521BCP
AWLYYWWG
1
所有阶段都是复式
复位会禁止RC振荡器的低待机功耗
RC和晶体振荡器输出能够驱动外部的
负载
测试模式,以缩短测试时间
V
DD
和V
SS
销带出的晶体振荡器,以逆变器
允许外部电阻器的低功耗运行的连接
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用*
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
14521BG
AWLYWW
1
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
1
MC14521B
ALYWG
最大额定值
(电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度( 8秒焊接)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额:塑料“P和D / DW ”
包: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年6月 - 修订版6
出版订单号:
MC14521B/D
MC14521B
框图
RESET
2
9
IN 1
6
IN 2
5
V
DD
4
OUT2
阶段
1 THRU 17
V
DD
= 16 PIN
V
SS
= 8 PIN
阶段
18 THRU 24
Q18 Q19 Q20 Q21 Q22 Q23 Q24
引脚分配
Q24
RESET
V
SS
输出2
V
DD
IN 2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
Q23
Q22
Q21
Q20
Q19
Q18
IN 1
7
出1
V
SS
3
10
11
12
13
14
15
1
产量
Q18
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
计数能力
2
18
= 262,144
2
19
= 524,288
2
20
= 1,048,576
2
21
= 2,097,152
2
22
= 4,194,304
2
23
= 8,388,608
2
24
= 16,777,216
订购信息
设备
MC14521BCP
MC14521BCPG
MC14521BD
MC14521BDG
MC14521BDR2
MC14521BDR2G
MC14521BF
MC14521BFG
MC14521BFEL
MC14521BFELG
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
2000 /磁带&卷轴
50单位/铁
2500 /磁带&卷轴
48单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MC14521B
电气特性
(电压参考V
SS
)
55_C
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
5.0
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
I
DD
I
DD
I
DD
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
4.95
9.95
14.95
最大
4.95
9.95
14.95
典型值
(注2 )
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
V
OH
VDC
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
来源
(V
OH
= 4.6伏)
引脚4 & 7
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
(V
OH
= 2.5伏)
来源
(V
OH
= 4.6伏)
引脚1 , 10 ,
(V
OH
= 9.5伏), 11 , 12 , 13 , 14
(V
OH
= 13.5伏)
15
(V
OL
= 0.4伏)
SINK
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
(每包)
总电源电流(注3,注4 )
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
V
IL
VDC
MADC
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
I
T
I
T
= (0.42
毫安/千赫)
f +
I
T
= (0.85
毫安/千赫)
f +
I
T
= (1.40
毫安/千赫)
f +
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的:我
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK其中:I
T
mA
(每包) ,C
L
在PF,
V = (V
DD
– V
SS
)在伏中,f以kHz为输入频率,以及k = 0.003 。
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3
MC14521B
开关特性
(注5 ) (C
L
= 50 pF的,T
A
= 25_C)
特征
符号
V
DD
VDC
5.0
10
15
典型值
(注6 )
100
50
40
最大
200
100
80
单位
ns
输出上升时间和下降时间(计数器输出)
t
TLH
, t
THL
= ( 1.5纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.75纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.55纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
传播延迟时间
时钟Q18
t
PHL
, t
PLH
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 4415 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 1667 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 1275 NS
时钟Q24
t
PHL
, t
PLH
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 5915 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 2167 NS
t
PHL
, t
PLH
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 1675 NS
传播延迟时间
重置为Q
n
t
PHL
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 1215 NS
t
PHL
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 467纳秒
t
PHL
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 350纳秒
时钟脉冲宽度
t
TLH
, t
THL
t
PHL
, t
PLH
5.0
10
15
5.0
10
15
t
PHL
5.0
10
15
t
WH ( CL )
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
385
150
120
1400
600
450
30
0
– 40
1300
500
375
140
55
40
3.5
9.0
12
700
300
225
– 200
– 160
– 110
2600
1000
750
2.0
5.0
6.5
15
5.0
4.0
ns
4.5
1.7
1.3
6.0
2.2
1.7
9.0
3.5
2.7
12
4.5
3.5
ns
ms
时钟脉冲频率
f
cl
兆赫
时钟的上升和下降时间
t
TLH
, t
THL
ms
复位脉冲宽度
t
WH (注册商标)
ns
复位移走时间
t
REM
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
500
mF
V
DD
脉冲
发电机
IN 2
I
D
V
DD
Q18
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
V
SS
C
L
C
L
C
L
C
L
C
L
V
in
20纳秒
90%
10%
50%
20纳秒
V
DD
0V
0.01
mF
陶瓷的
占空比为50%
R
V
SS
C
L
C
L
图1.功耗测试电路和波形
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4
MC14521B
V
DD
V
DD
脉冲
发电机
IN 2
V
DD
Q18
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
V
SS
IN 2
C
L
C
L
20纳秒
10%
t
WL
Q
n
50%
90%
10%
t
PLH
t
TLH
t
PHL
t
THL
50%
20纳秒
90%
t
WH
20纳秒
C
L
C
L
C
L
R
V
SS
C
L
C
L
图2.开关时间测试电路和波形
特征
水晶特点
谐振频率
等效电阻,R
S
V
DD
R
o
18 M
V
DD
R*
V
DD
外部电阻/电容值
R
o
C
T
C
S
频率稳定度
频率变化的函数
V的
DD
(T
A
= 25_C)
V
DD
从5.0 V变为10 V
V
DD
从10 V变为15 V
频率变化的函数
温度(V
DD
= 10 V)
T
A
55_C至+ 25_C - 从改变
只有MC14521
完整的振荡器*
T
A
从+ 25_C更改为+ 125_C
只有MC14521
完整的振荡器*
500千赫
电路
500
1.0
47
82
20
50千赫
电路
50
6.2
750
82
20
单位
千赫
kW
kW
pF
pF
C
S
C
T
进1出1
输出2
Q18
Q19
IN 2
Q20
Q21
Q22
Q23
R
Q24
V
SS
V
SS
R*
+ 6.0
+ 2.0
– 4.0
+ 100
+ 2.0
+ 2.0
– 2.0
+ 120
PPM
PPM
PPM
PPM
– 2.0
– 160
– 2.0
– 560
PPM
PPM
图3.晶体振荡器电路
图4.典型的数据为晶体振荡器电路
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5
*可选低功耗工作,
10千瓦
R
70千瓦。
*完整的振荡器包括晶振,电容,电阻。
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联系人:朱经理、张小姐
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ON
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联系人:吴小姐
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联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:雷小姐
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