摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF5P20180 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为W- CDMA基站应用1930频率
至1990年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器应用。
要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL应用。
为V（典型） 2载波W- CDMA性能
DD
= 28伏，
I
DQ
= 2 * 800毫安， F1 = 1955兆赫， F2 = 1965兆赫，
信道带宽= 3.84 MHz时，相邻信道测过
3.84 MHz带宽@ F1 - 5 MHz和F2 + 5兆赫。失真产物
测过一个3.84 MHz的带宽@ F1 - 10 MHz和F2 + 10 MHz时，
每个载波峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 38瓦的魅力。
功率增益 - 14分贝
效率 - 26 ％
IM3 - -37.5 dBc的
ACPR - -41 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 120瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
资格高达32 V ，最大
DD
手术
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
N沟道增强模式横向MOSFET
MRF5P20180R6
1990年兆赫， 38 W AVG 。 ，
2× W- CDMA ， 28 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 375D -04 ，风格1
NI–1230
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
65
–0.5, +15
407
2.3
-65到+150
200
120
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
瓦
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 120瓦CW
外壳温度80 ° C， 38 W CW
符号
R
θJC
最大
0.43
0.43
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 1
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MRF5P20180R6
1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C7 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 850 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.7
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
—
2.7
3.6
0.26
5
3.5
—
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） （ 2 ） 2载波W- CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商， ACPR和
IM3测量3.84 MHz的带宽。峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫; IM3测过3.84 MHz带宽@ F1 -10兆赫
和f2 10 MHz的参考载波信道功率）。
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫; ACPR测量在3.84 MHz的带宽@ F1 - 5兆赫
和f2 5兆赫）。
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫）
G
ps
12.5
14
—
dB
η
23
26
—
%
IM3
—
–37.5
–35
dBc的
ACPR
—
–41
–38
dBc的
IRL
—
–16
–9
dB
（1）设备的每一侧分别测得。部分是输入和输出内部匹配两种。
（2）测量取得与设备中的推挽配置。
MRF5P20180R6
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
R1
R2
+
C14
C10
C8
Z13
Z7
Z1
Z3
Z2
Z4
C1
Z5
Z6
C2
DUT
Z8
C3
Z14
Z10
Z12
Z16
Z20
C5
R4
+
C15
Z18
C11
C9
C7
C13
+
C18
+
C19
+
C21
V
DD
Z22
Z9
Z11
Z15
Z19
C4
Z21
Z23
Z17
C6
C12
+
C16
+
C17
+
C20
V
DD
RF
输入
Z24
Z25
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
V
GG
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z24
Z6, Z23
Z7, Z8
Z9, Z10
0.081 “× 1.126 ”微带
0.079 “× 0.138 ”微带
0.081 “× 0.091 ”微带
0.081 “× 0.117 ”微带
0.134 “× 0.874 ”微带
0.081 “× 2.269 ”微带
0.081 “× 0.118 ”微带
0.081 “× 0.079 ”微带
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z21, Z22
Z25
PCB
0.341 “× 0.945 ”微带
0.035 “× 0.913 ”微带
0.581 “× 0.823 ”微带
0.059 “× 1.057 ”微带
0.081 “× 0.046 ”微带
0.081 “× 0.126 ”微带
0.081 “× 0.793 ”微带
Taconic的TLX8-0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5P20180测试电路原理图
表1. MRF5P20180测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C4, C5, C6, C7
C8, C9
C10, C11, C12, C13
C14, C15, C16, C17, C18, C19
C20, C21
R1, R2, R3, R4
描述
1.8 pF的100B贴片电容
10 pF的100B贴片电容
6.8 pF的100B贴片电容
10 nF的200B贴片电容
22
F,
35 V钽电容器
220
F,
63 V电解电容器
10千瓦的贴片电阻（ 1206 ）
值， P / N或DWG
100B1R8BW
100B100GW
100B6R8CW
200B103MW
TAJE226M035
13668221
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
AVX
飞利浦
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3
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
2400毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
9
8
7
6
IM3
ACPR
IRL
10
G
ps
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W（平均） ，我
DQ
= 1600毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
40
35
30
25
20
-20
-25
-30
-35
-40
5
-45
1840 1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3. 2载波W-CDMA的宽带性能
16
15.5
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11.5
11
1
14.5
13.5
12.5
I
DQ
= 2400毫安
2000毫安
1600毫安
1200毫安
800毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
100
1000
IM3 ，三阶
互调失真（ DBC）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
I
DQ
= 800毫安
2000毫安
1200毫安
10
1600毫安
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图4.双音功率增益与
输出功率
图5.三阶互调
失真与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
0.1
五阶
7阶
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 180 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1600毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
1
10
100
3阶
噘嘴，输出功率（dBm ）
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
P3dB = 54 dBm的（ 251 W）
的P1dB = 53.5 dBm的（ 224 W）
理想
实际
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安
脉冲CW ， 5
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
30
32
34
36
38
40
42
44
46
TWO- TONE间隔（MHz ）
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
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射频功率场效应晶体管
专为W- CDMA基站应用1930频率
至1990年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器应用。
要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL应用。
为V（典型） 2载波W- CDMA性能
DD
= 28伏，
I
DQ
= 2 * 800毫安， F1 = 1955兆赫， F2 = 1965兆赫，
信道带宽= 3.84 MHz时，相邻信道测过
3.84 MHz带宽@ F1 - 5 MHz和F2 + 5兆赫。失真产物
测过一个3.84 MHz的带宽@ F1 - 10 MHz和F2 + 10 MHz时，
每个载波峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 38瓦的魅力。
功率增益 - 14分贝
效率 - 26 ％
IM3 - -37.5 dBc的
ACPR - -41 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 120瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
资格高达32 V ，最大
DD
手术
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
N沟道增强模式横向MOSFET
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1990年兆赫， 38 W AVG 。 ，
2× W- CDMA ， 28 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
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最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
65
–0.5, +15
407
2.3
-65到+150
200
120
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
瓦
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 120瓦CW
外壳温度80 ° C， 38 W CW
符号
R
θJC
最大
0.43
0.43
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
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ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C7 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 850 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.7
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
—
2.7
3.6
0.26
5
3.5
—
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
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功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） （ 2 ） 2载波W- CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商， ACPR和
IM3测量3.84 MHz的带宽。峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫; IM3测过3.84 MHz带宽@ F1 -10兆赫
和f2 10 MHz的参考载波信道功率）。
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫; ACPR测量在3.84 MHz的带宽@ F1 - 5兆赫
和f2 5兆赫）。
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W的魅力。我
DQ
= 2 * 800毫安，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫，
F2 = 1987.5兆赫）
G
ps
12.5
14
—
dB
η
23
26
—
%
IM3
—
–37.5
–35
dBc的
ACPR
—
–41
–38
dBc的
IRL
—
–16
–9
dB
（1）设备的每一侧分别测得。部分是输入和输出内部匹配两种。
（2）测量取得与设备中的推挽配置。
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飞思卡尔半导体公司
V
GG
R1
R2
+
C14
C10
C8
Z13
Z7
Z1
Z3
Z2
Z4
C1
Z5
Z6
C2
DUT
Z8
C3
Z14
Z10
Z12
Z16
Z20
C5
R4
+
C15
Z18
C11
C9
C7
C13
+
C18
+
C19
+
C21
V
DD
Z22
Z9
Z11
Z15
Z19
C4
Z21
Z23
Z17
C6
C12
+
C16
+
C17
+
C20
V
DD
RF
输入
Z24
Z25
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
V
GG
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z24
Z6, Z23
Z7, Z8
Z9, Z10
0.081 “× 1.126 ”微带
0.079 “× 0.138 ”微带
0.081 “× 0.091 ”微带
0.081 “× 0.117 ”微带
0.134 “× 0.874 ”微带
0.081 “× 2.269 ”微带
0.081 “× 0.118 ”微带
0.081 “× 0.079 ”微带
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z21, Z22
Z25
PCB
0.341 “× 0.945 ”微带
0.035 “× 0.913 ”微带
0.581 “× 0.823 ”微带
0.059 “× 1.057 ”微带
0.081 “× 0.046 ”微带
0.081 “× 0.126 ”微带
0.081 “× 0.793 ”微带
Taconic的TLX8-0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5P20180测试电路原理图
表1. MRF5P20180测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C4, C5, C6, C7
C8, C9
C10, C11, C12, C13
C14, C15, C16, C17, C18, C19
C20, C21
R1, R2, R3, R4
描述
1.8 pF的100B贴片电容
10 pF的100B贴片电容
6.8 pF的100B贴片电容
10 nF的200B贴片电容
22
F,
35 V钽电容器
220
F,
63 V电解电容器
10千瓦的贴片电阻（ 1206 ）
值， P / N或DWG
100B1R8BW
100B100GW
100B6R8CW
200B103MW
TAJE226M035
13668221
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
AVX
飞利浦
摩托罗拉RF设备数据
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MRF5P20180R6
3
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
2400毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
9
8
7
6
IM3
ACPR
IRL
10
G
ps
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W（平均） ，我
DQ
= 1600毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
40
35
30
25
20
-20
-25
-30
-35
-40
5
-45
1840 1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3. 2载波W-CDMA的宽带性能
16
15.5
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11.5
11
1
14.5
13.5
12.5
I
DQ
= 2400毫安
2000毫安
1600毫安
1200毫安
800毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
100
1000
IM3 ，三阶
互调失真（ DBC）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
I
DQ
= 800毫安
2000毫安
1200毫安
10
1600毫安
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图4.双音功率增益与
输出功率
图5.三阶互调
失真与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
0.1
五阶
7阶
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 180 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1600毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
1
10
100
3阶
噘嘴，输出功率（dBm ）
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
P3dB = 54 dBm的（ 251 W）
的P1dB = 53.5 dBm的（ 224 W）
理想
实际
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安
脉冲CW ， 5
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
30
32
34
36
38
40
42
44
46
TWO- TONE间隔（MHz ）
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
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MRF5P20180R6
5
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