MC14106B
六角施密特触发器
该MC14106B六角施密特触发器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这些设备发现的主要用途,其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。该MC14106B
可代替MC14069UB六角逆变器可用于增强
抗噪声能力或为“方达”慢慢改变波形。
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记号
图表
14
PDIP–14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
1
14
14
106B
ALYW
14106B
AWLYWW
MC14106BCP
AWLYYWW
增加的滞后电压在MC14584B
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD40106B和MM74C14
可以用来更换MC14584B或MC14069UB
最大额定值
(电压参考V
SS
) (注1 )
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,
每包(注2 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
订购信息
设备
MC14106BCP
MC14106BD
MC14106BDR2
MC14106BDT
MC14106BDTR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
航运
2000/Box
55/Rail
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
1.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
2.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
v
v
TSSOP - 14 2500 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号:
MC14106B/D
3.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
4.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
5.计算总电源电流在负载以外50 pF的:
在那里我
T
在
A
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏,女为kHz输入频率, K = 0.001 。
6. V
H =
V
T+
– V
T–
(但是V的最大变化
H
被指定为小于V
T +最大
– V
T-分钟
).
电气特性
(电压参考V
SS
)
总电源电流
(4.) (5.)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
阈值电压
正向
滞后电压
输出电压
V
in
= V
DD
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
V
in
= 0
负向
特征
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
H (6.)
V
OH
V
OL
V
T+
V
T–
I
OH
I
DD
C
in
I
OL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
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– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
MC14106B
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
3
±
0.1
3.6
7.1
10.8
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
2.8
5.2
7.4
2.0
3.4
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
I
T
= (1.8
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (3.6
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (5.4
μA /千赫)
F +我
DD
±
0.00001
典型值
(3.)
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25
_
C
0.88
2.25
8.8
5.0
1.9
3.9
5.8
2.9
5.9
8.8
1.1
1.7
2.1
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
3.6
7.1
10.8
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
2.8
5.2
7.4
2.0
3.4
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
3.6
7.1
10.8
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
2.8
5.2
7.4
2.0
3.4
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MC14106B
VOUT ,输出电压(VDC )
开关特性
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25
_
C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
(7.)
100
50
40
100
50
40
125
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
250
100
80
单位
ns
输出上升时间
输出下降时间
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
ns
7.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
脉冲
发电机
V
DD
14
产量
输入
7
V
SS
C
L
t
PHL
产量
t
f
90%
50%
10%
t
r
20纳秒
输入
90%
50%
10%
t
PLH
20纳秒
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
图1.开关时间测试电路和波形
V
DD
0
0
V
T–
V
H
V
in
,输入电压(VDC )
V
T+
V
DD
图2.典型的传输特性
http://onsemi.com
4