MC14001B系列
B-后缀系列CMOS门
MC14001B ， MC14011B ， MC14023B ，
MC14025B ， MC14071B ， MC14073B ，
MC14081B ， MC14082B
B系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
设备
MC14001B
MC14011B
MC14023B
MC14025B
MC14071B
MC14073B
MC14081B
MC14082B
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
14
MC140xxB
AWLYWW
14
0xxB
ALYW
140xxB
AWLYWW
MC140xxBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围。
对所有的输入，除了双二极管保护：三重二极管
保护对MC14011B和MC14081B
引脚对引脚替代相应的CD4000系列
B后缀设备
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
设备信息
描述
四2输入或非门
四2输入与非门
三路3输入与非门
三路3输入或非门
四2输入或门
三路3输入与门
四2输入与门
双4输入与门
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
1
2005年2月 - 第4版
出版订单号：
MC14001B/D
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流
(3) (4)
（动态加静态，
每门，C
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
MC14001B系列
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.9
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
民
3.5
7.0
11
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值
(2)
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
3
MC14001B系列
B系列门开关时间
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
民
典型值
(6)
100
50
40
最大
200
100
80
单位
ns
输出上升时间，所有的B系列门
t
TLH
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
TLH
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
TLH
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
输出下降时间，所有的B系列门
t
THL
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
THL
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
THL
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
5.0
10
15
t
THL
ns
5.0
10
15
100
50
40
200
100
80
传播延迟时间
只有MC14001B ， MC14011B
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 80纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 32纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 27纳秒
所有其他的2 ，3和4的输入门
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 115纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 47纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 37纳秒
8输入门（ MC14068B ， MC14078B ）
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 155纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 62纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 47纳秒
t
PLH
, t
PHL
ns
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
125
50
40
160
65
50
200
80
60
250
100
80
300
130
100
350
150
110
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
14
脉冲
发电机
输入
产量
*
C
L
产量
反相
V
DD
20纳秒
输入
t
PHL
90%
50%
10%
t
THL
t
PLH
90%
50%
10%
t
TLH
t
PHL
90%
50%
10%
t
PLH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
20纳秒
V
DD
0V
7
V
SS
*与，与非门的所有未使用的输入必须连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须连接到V
SS
.
产量
非反相
t
TLH
t
THL
开关特性
(5)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
图1.开关时间测试电路和波形
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
B-后缀系列CMOS门
B系列逻辑门与P和N沟道构造
（在一个单一的整体结构增强型器件互为
tary MOS ） 。它们的主要用途是需要低功耗和/或高
抗噪声能力是需要的。
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围。
所有输入双二极管保护除：三重保护二极管
在MC14011B和MC14081B
引脚对引脚替代相应的CD4000系列B后缀
设备（例外： MC14068B和MC14078B ）
四路2输入NOR门
双4输入或非门
四路2输入与非门
两个4输入与非门
三路3输入与非门
三路3输入NOR门
8输入与非门
四2输入或门
双路4输入或门
三路3输入与门
三路3输入或门
8输入NOR门
四2输入与门
两个4输入与门
MC14001B
MC14002B
MC14011B
MC14012B
MC14023B
MC14025B
MC14068B
MC14071B
MC14072B
MC14073B
MC14075B
MC14078B
MC14081B
MC14082B
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
500
VIN，VOUT
林，糊涂人
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
- 65至+ 150
_
C
TL
焊接温度（ 8秒焊接）
260
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14001B
7
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率，而k每行使门= 0.001 x中的数
封装。
电气特性
（电压参考VSS）
总电源电流**
（动态加静态，
每门， CL = 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
MC14001B
10
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输入电压= 0或Vdd的
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值＃
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = （ 0.3
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.6
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.9
μA /千赫）
F + IDD / N
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
B系列门开关时间
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
民
—
—
—
—
—
—
典型值＃
100
50
40
100
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
单位
ns
输出上升时间，所有的B系列门
tTLH = （ 1.35纳秒/ PF ） CL + 33纳秒
tTLH = （ 0.60纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
tTLH = （ 0.40纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
输出下降时间，所有的B系列门
TTHL = （ 1.35纳秒/ PF ） CL + 33纳秒
TTHL = （ 0.60纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
TTHL = （ 0.40纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
5.0
10
15
5.0
10
15
TTHL
ns
传播延迟时间
只有MC14001B ， MC14011B
tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 80纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 32纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 27纳秒
所有其他的2 ，3和4的输入门
tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 115纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 47纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 37纳秒
8输入门（ MC14068B ， MC14078B ）
tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 155纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 62纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 47纳秒
tPLH的，的TPH1
ns
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
50
40
160
65
50
200
80
60
250
100
80
300
130
100
350
150
110
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
14
输入
产量
*
CL
VDD
20纳秒
输入
的TPH1
产量
反相
90%
50%
10%
TTHL
TPLH
90%
50%
10%
tTLH
的TPH1
90%
50%
10%
TPLH
VOH
VOL
VOH
VOL
20纳秒
VDD
0V
脉冲
发电机
7
VSS
*与所有未使用的输入与非门必须连接到VDD 。
部分或全部未使用的输入，或非门必须连接到VSS 。
产量
非反相
tTLH
TTHL
图1.开关时间测试电路和波形
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14001B
11
摩托罗拉
半导体技术资料
B-后缀系列CMOS门
B系列逻辑门与P和N沟道构造
（在一个单一的整体结构增强型器件互为
tary MOS ） 。它们的主要用途是需要低功耗和/或高
抗噪声能力是需要的。
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围。
所有输入双二极管保护除：三重保护二极管
在MC14011B和MC14081B
引脚对引脚替代相应的CD4000系列B后缀
设备（例外： MC14068B和MC14078B ）
四路2输入NOR门
双4输入或非门
四路2输入与非门
两个4输入与非门
三路3输入与非门
三路3输入NOR门
8输入与非门
四2输入或门
双路4输入或门
三路3输入与门
三路3输入或门
8输入NOR门
四2输入与门
两个4输入与门
MC14001B
MC14002B
MC14011B
MC14012B
MC14023B
MC14025B
MC14068B
MC14071B
MC14072B
MC14073B
MC14075B
MC14078B
MC14081B
MC14082B
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
500
VIN，VOUT
林，糊涂人
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
- 65至+ 150
_
C
TL
焊接温度（ 8秒焊接）
260
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14001B
7
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率，而k每行使门= 0.001 x中的数
封装。
电气特性
（电压参考VSS）
总电源电流**
（动态加静态，
每门， CL = 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
MC14001B
10
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输入电压= 0或Vdd的
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值＃
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = （ 0.3
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.6
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.9
μA /千赫）
F + IDD / N
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
B系列门开关时间
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
民
—
—
—
—
—
—
典型值＃
100
50
40
100
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
单位
ns
输出上升时间，所有的B系列门
tTLH = （ 1.35纳秒/ PF ） CL + 33纳秒
tTLH = （ 0.60纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
tTLH = （ 0.40纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
输出下降时间，所有的B系列门
TTHL = （ 1.35纳秒/ PF ） CL + 33纳秒
TTHL = （ 0.60纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
TTHL = （ 0.40纳秒/ PF ） CL + 20纳秒
5.0
10
15
5.0
10
15
TTHL
ns
传播延迟时间
只有MC14001B ， MC14011B
tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 80纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 32纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 27纳秒
所有其他的2 ，3和4的输入门
tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 115纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 47纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 37纳秒
8输入门（ MC14068B ， MC14078B ）
tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 155纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 62纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 47纳秒
tPLH的，的TPH1
ns
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
50
40
160
65
50
200
80
60
250
100
80
300
130
100
350
150
110
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
14
输入
产量
*
CL
VDD
20纳秒
输入
的TPH1
产量
反相
90%
50%
10%
TTHL
TPLH
90%
50%
10%
tTLH
的TPH1
90%
50%
10%
TPLH
VOH
VOL
VOH
VOL
20纳秒
VDD
0V
脉冲
发电机
7
VSS
*与所有未使用的输入与非门必须连接到VDD 。
部分或全部未使用的输入，或非门必须连接到VSS 。
产量
非反相
tTLH
TTHL
图1.开关时间测试电路和波形
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14001B
11
MC14001B系列
B-后缀系列CMOS门
MC14001B ， MC14011B ， MC14023B ，
MC14025B ， MC14071B ， MC14073B ，
MC14081B ， MC14082B
B系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
设备
MC14001B
MC14011B
MC14023B
MC14025B
MC14071B
MC14073B
MC14081B
MC14082B
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
xx
=具体设备守则
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
MC140xxB
ALYWG
14
0xxB
ALYWG
G
140xxBG
AWLYWW
MC140xxBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围。
对所有的输入，除了双二极管保护：三重二极管
保护对MC14011B和MC14081B
引脚对引脚替代相应的CD4000系列
B后缀设备
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
设备信息
描述
四2输入或非门
四2输入与非门
三路3输入与非门
三路3输入或非门
四2输入或门
三路3输入与门
四2输入与门
双4输入与门
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录6
1
出版订单号：
MC14001B/D
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
50 ） VFK
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流
(3) (4)
（动态加静态，
每门，C
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
I
OL
C
in
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
MC14001B系列
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.9
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.0005
0.0010
0.0015
典型值
(2)
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
3
MC14001B系列
B系列门开关时间
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
(6)
100
50
40
100
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
单位
ns
输出上升时间，所有的B系列门
t
TLH
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
TLH
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
TLH
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
输出下降时间，所有的B系列门
t
THL
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
THL
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
THL
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
THL
ns
传播延迟时间
只有MC14001B ， MC14011B
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 80纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 32纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 27纳秒
所有其他的2 ，3和4的输入门
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 115纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 47纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 37纳秒
8输入门（ MC14068B ， MC14078B ）
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 155纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 62纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 47纳秒
t
PLH
, t
PHL
ns
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
125
50
40
160
65
50
200
80
60
250
100
80
300
130
100
350
150
110
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
14
输入
产量
*
C
L
V
DD
20纳秒
输入
t
PHL
产量
反相
产量
非反相
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
t
PLH
90%
50%
10%
t
TLH
t
PHL
90%
50%
10%
t
PLH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
20纳秒
V
DD
0V
脉冲
发电机
7
V
SS
*与，与非门的所有未使用的输入必须连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须连接到V
SS
.
t
THL
开关特性
(5)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
图1.开关时间测试电路和波形
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