MBRB2535CTL
首选设备
SWITCHMODE
电力整流器
D
2
PAK表面贴装功率封装
对D
2
PAK电源整流器采用肖特基势垒原则
在一个大的金属与硅功率二极管。几何体国家的最先进的
拥有外延建设与氧化物钝化和金属
覆盖接触。非常适合用在低电压，高频率
开关电源，续流二极管和极性
保护二极管。国家的最先进的，这些设备具有以下
产品特点：
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
25安培， 35伏
1
4
3
中心抽头配置
Guardring应力保护
低正向电压
125°C的工作结温
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
短散热器制造标签 - 未剪绒
在类似规模的工业标准TO- 220封装
无铅包可用
4
1
3
D
2
PAK
CASE 418B
方式3
标记图
机械特性
案例：环氧树脂，模压，环氧符合UL 94 V- 0
重量： 1.7克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
器件符合MSL1要求
ESD额定值：机器型号，C （ >400 V）
人体模型， 3B （ >8000 V）
A
Y
WW
B2535L
G
AKA
AYWW
B2535LG
AKA
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
=二极管极性
订购信息
设备
MBRB2535CTL
MBRB2535CTLG
MBRB2535CTLT4
MBRB2535CTLT4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
800磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年1月 - 修订版6
出版订单号：
MBRB2535CTL/D
MBRB2535CTL
最大额定值
（每站）
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流正向电流（额定V
R
, T
C
= 110°C)
峰值重复正向电流（额定V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 90°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（ 2.0
女士，
1.0千赫）
存储温度范围
工作结温
变化的电压率（额定V
R
)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
T
英镑
T
J
dv / dt的
价值
35
单位
V
12.5
25
150
1.0
-65到+150
-65到+125
10,000
A
A
A
A
°C
°C
V / ms的
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
（每站）
特征
热阻，
结到外壳
结到环境（注1 ）
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.0
84
单位
° C / W
电气特性
（每站）
最大正向电压（注2 ）
(i
F
= 25 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 12.5 A，T
J
= 125°C)
(i
F
= 12.5 A，T
J
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
1.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.55
0.41
0.47
I
R
500
10
mA
V
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2
MBRB2535CTL
I F ，正向电流（ AMP ）
1000
I R ，反向漏电流（mA）
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
v
F
，瞬时电压（伏）
0.9
10
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
100
10
1
0.1
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
V
R
，反向电压（伏）
30
35
图1.典型正向电压，每支架
PF （ AV ）正向平均功耗（瓦）
图2.典型的反向电流，每支架
35
30
25
20
15
10
5
0
0
T
J
= 125°C
方
WAVE
正弦波
（阻性负载）
DC
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
40
32
28
24
20
16
12
8
4
0
85
95
105
115
T
C
，外壳温度（ ° C）
125
DC
方
（额定V
r
应用）
R
QJC
= 2 ° C / W
5
10
15
20
25
30
35
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
40
图3.典型的前向功率耗散
图4.电流降额，案例
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3
MBRB2535CTL
包装尺寸
D
2
PAK
CASE 418B -04
ISSUE
B
4
C
E
V
W
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，
新标准418B -04 。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
英寸
民
最大
0.340 0.380
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018 0.025
0.090
0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575 0.625
0.045 0.055
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65 10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14
1.40
1
2
3
S
A
T
座位
飞机
G
K
D
3 PL
0.13 (0.005)
M
W
J
H
T B
M
变量
CON组fi guration
区
L
M
R
N
U
L
P
L
M
M
方式3 ：
PIN 1.阳极
2.阴极
3.阳极
4.阴极
F
VIEW的W-W
1
F
VIEW的W-W
2
F
VIEW的W-W
3
焊接足迹*
8.38
0.33
10.66
0.42
1.016
0.04
5.08
0.20
3.05
0.12
17.02
0.67
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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4
MBRB2535CTL
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安森美半导体
和
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