MC14066B
四路模拟开关/四核
多路复用器
该MC14066B包括能够四个独立开关
控制数字或模拟信号。这四双边开关
是在信号选通,斩波器,调制器,解调器和有用
CMOS逻辑实现。
的MC14066B被设计成针对引脚与兼容
MC14016B ,但现在的导通电阻要低得多。输入电压波动
一样大的整个电源电压可以通过各控制
独立的控制输入。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
14066B
AWLYWW
MC14066BCP
AWLYYWW
在所有的控制输入三重保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性传输特性
低噪声 - 12内华达州/ √Cycle ,女
≥
1.0 kHz的典型
引脚对引脚替代的CD4016 , CD4016 , MC14016B
对于较低
ON
,使用HC4066高速CMOS器件
最大额定值
(电压参考V
SS
) (注2 )
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
I
SW
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入电流( DC或瞬态)
每个控制引脚
通过开关电流
功耗,
每包(注3 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
±
25
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ–14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
14
066B
ALYW
MC14066B
AWLYWW
订购信息
设备
MC14066BCP
MC14066BD
MC14066BDR2
MC14066BDT
MC14066BDTEL
MC14066BDTR2
MC14066BF
MC14066BFEL
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
航运
2000/Box
55/Rail
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
v
v
TSSOP - 14 2000 /磁带&卷轴
TSSOP - 14 2500 /磁带&卷轴
SOEIAJ–14
SOEIAJ–14
见注1 。
见注1 。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装,请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号:
MC14066B/D
交换机和OUT
(电压参考V
SS
)
控制输入
(电压参考V
SS
)
供应需求
(电压参考V
EE
)
4.数据标记为“典型值”不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.对于电压降的开关(ΔV
开关
) > 600毫伏( > 300 mV的高温) ,过度V
DD
电流可以被绘制;即
电流从开关可同时含有V
DD
并切换输入组件。该装置的可靠性不会受到影响,除非
最大额定值被超过。 (请参见本数据手册的第一页。 )
电气特性
电容,穿心
(开关OFF)
电容,开关I / O
关信道泄漏
电流(图6)
ΔON
之间的电阻
任意两个通道
在同一个包
抗性
输出失调电压
推荐静态或
在整个动态电压
所述开关( 5 ) (图1)
推荐峰到
峰值电压进入或退出
交换机
输入电容
输入漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
总电源电流
(动态加静态,
每包
静态电流每
包
电源电压
范围
特征
符号
V
开关
I
D( AV )
R
on
V
OO
V
DD
C
I / O
C
I / O
V
I / O
R
on
V
IH
I
DD
C
in
V
IL
I
关闭
I
in
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
控制输入:
V
in
= V
SS
或V
DD
,
V
I / O
开关I / O : V
SS
V
DD
和
V
开关
500毫伏
(5.)
R
on
=每规格,
I
关闭
=每规格
R
on
=每规格,
I
关闭
=每规格
关闭
V
in
= V
IL
或V
IH
(控制)信道来
信道或任何一个
通道
V
开关
500毫伏
(5.)
,
V
in
= V
IL
或V
IH
(对照) ,和V
in
=
0到V
DD
(转)
V
in
= 0 V ,无负载
通道上
打开或关闭通道
V
in
= 0或V
DD
T
A
= 25
_
仅C的
通道部分,
(V
in
– V
OUT
)/R
on
,是
不包括在内)。
v
测试条件
v
v
http://onsemi.com
MC14066B
v
3
民
3.5
7.0
11
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0
– 55
_
C
典型
±100
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
V
DD
800
400
220
600
1.5
3.0
4.0
70
50
45
18
—
—
—
—
—
—
—
民
3.5
7.0
11
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0
(0.07
μA /千赫)
F +我
DD
(0.20
μA /千赫)
F +我
DD
(0.36
μA /千赫)
F +我
DD
±0.00001
典型值
(4.)
±
0.05
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.47
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
250
120
80
5.0
10
25
10
10
10
—
—
—
1050
500
280
±100
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
V
DD
600
7.5
1.5
3.0
4.0
15
70
50
45
18
—
—
—
—
—
民
3.5
7.0
11
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0
125
_
C
±
1000
1200
520
300
±
1.0
最大
V
DD
135
95
65
300
1.5
3.0
4.0
7.5
15
30
18
—
—
—
—
—
—
—
V
p–p
单位
mV
V
A
A
A
nA
pF
pF
pF
V
V
V
6.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
7.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性
(6.)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25
_
C除非另有说明。 )
串扰,控制输入信号输出(图5 )
V
SS
= - 5 VDC
(R
1
= 1千欧,R
L
= 10 kΩ的,控制吨
TLH
= t
THL
= 20纳秒)
声道分离度(图4 )
(V
in
= 5 V
p–p
, R
L
= 1 kΩ的,女
in
= 8.0兆赫)
(交换机A ON ,开关B关)
穿心衰减(开关OFF)
V
SS
= - 5 VDC
(V
in
= 5 V
p–p
, R
L
= 1 kΩ的,女
in
= 1.0兆赫) (图3)
带宽(开关ON) (图3)
V
SS
= - 5 VDC
(R
L
= 1千欧, 20登录(Ⅴ
OUT
/V
in
) = - 3分贝,C
L
= 50 pF的,
V
in
= 5 V
p–p
)
二次谐波失真
V
SS
= - 5 VDC
(V
in
= 1.77伏,中心RMS @ 0.0伏直流电,
R
L
= 10 kΩ的, F = 1.0千赫)
传播延迟时间
输入到输出(R
L
= 10 k)
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.17纳秒/ PF )C
L
+ 15.5纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.08纳秒/ PF )C
L
+ 6.0纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.06纳秒/ PF )C
L
+ 4.0纳秒
控制输出(R
L
= 1千欧) (图2)
输出“ 1 ”为高阻
高阻抗输出“ 0 ”
高阻抗,以输出“1”的
输出“ 0 ”为高阻
特征
V
SS
= - 5 VDC
V
SS
= 0伏
http://onsemi.com
MC14066B
t
PLH
, t
PHL
符号
4
t
PZH
t
PHZ
t
PZL
t
PLZ
—
—
—
—
—
V
DD
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
(7.)
– 50
– 50
300
0.1
20
10
7.0
65
60
20
15
60
20
15
40
35
30
40
35
30
最大
120
40
30
120
40
30
80
70
60
80
70
60
40
20
15
—
—
—
—
—
mV
p–p
兆赫
单位
dB
dB
ns
ns
ns
ns
ns
%
MC14066B
四路模拟开关/四核
多路复用器
该MC14066B包括能够四个独立开关
控制数字或模拟信号。这四双边开关
是在信号选通,斩波器,调制器,解调器和有用
CMOS逻辑实现。
的MC14066B被设计成针对引脚与兼容
MC14016B ,但现在的导通电阻要低得多。输入电压波动
一样大的整个电源电压可以通过各控制
独立的控制输入。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
WL ,L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ,W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
MC14066B
ALYWG
14
066B
ALYWG
G
14066BG
AWLYWW
MC14066BCP
AWLYYWWG
在所有的控制输入三重保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性传输特性
低噪音
12内华达州/ √Cycle ,女
≥
1.0 kHz的典型
引脚对引脚替代的CD4016 , CD4016 , MC14016B
对于较低
ON
,使用HC4066高速CMOS器件
无铅包可用
最大额定值
(电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
I
SW
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入电流( DC或瞬态)
每个控制引脚
通过开关电流
功耗,每包
(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
±
25
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年10月,
启示录7
1
出版订单号:
MC14066B/D
交换机和OUT
(电压参考V
SS
)
控制输入
(电压参考V
SS
)
供应需求
(电压参考V
EE
)
2.数据标记为“典型值”不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.对于在开关两端的电压降(DV
开关
) > 600毫伏( > 300 mV的高温) ,过度V
DD
电流可以被绘制;即
电流从开关可同时含有V
DD
并切换输入组件。该装置的可靠性不会受到影响,除非
最大额定值被超过。 (请参见本数据手册的第一页。 )
电气特性
电容,穿心
(开关OFF)
电容,开关I / O
关信道泄漏
电流(图6)
DON
之间的电阻
任意两个通道
在同一个包
抗性
输出失调电压
推荐静态或
在整个动态电压
所述开关( 3) (图1)
推荐峰到
峰值电压进入或退出
交换机
输入电容
输入漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
总电源电流
(动态加静态,
每包
静态电流每
包
电源电压
范围
特征
DV
开关
符号
I
D( AV )
DR
on
V
OO
V
DD
C
I / O
C
I / O
V
I / O
R
on
V
IH
I
DD
C
in
V
IL
I
关闭
I
in
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
15
—
控制输入:
V
in
= V
SS
或V
DD
,
开关I / O : V
SS
v
V
I / O
v
V
DD
和
DV
开关
v
500毫伏
(3)
关闭
V
in
= V
IL
或V
IH
(控制)信道来
信道或任何一个
通道
DV
开关
v
500毫伏
(3)
,
V
in
= V
IL
或V
IH
(对照) ,和V
in
=
0到V
DD
(转)
V
in
= 0 V ,无负载
通道上
打开或关闭通道
V
in
= 0或V
DD
R
on
=每规格,
I
关闭
=每规格
R
on
=每规格,
I
关闭
=每规格
T
A
= 25_C唯一的
通道部分,
(V
in
– V
OUT
)/R
on
,是
不包括在内)。
测试条件
http://onsemi.com
MC14066B
3
民
3.5
7.0
11
3.0
0
0
55_C
典型
±
0.1
±100
0.25
0.5
1.0
最大
V
DD
800
400
220
600
1.5
3.0
4.0
70
50
45
18
民
3.5
7.0
11
3.0
0
0
(0.07
毫安/千赫)
F +我
DD
(0.20
毫安/千赫)
F +我
DD
(0.36
毫安/千赫)
F +我
DD
±0.00001
典型值
(2)
±
0.05
0.005
0.010
0.015
25_C
0.47
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
250
120
80
5.0
10
25
10
10
10
±
0.1
±100
1050
500
280
0.25
0.5
1.0
最大
V
DD
600
7.5
1.5
3.0
4.0
15
70
50
45
18
民
3.5
7.0
11
3.0
0
0
125_C
±
1000
±
1.0
1200
520
300
最大
V
DD
135
95
65
300
1.5
3.0
4.0
7.5
15
30
18
V
p–p
单位
mV
nA
mV
mA
mA
mA
pF
pF
pF
W
W
V
V
V
4.给出的公式是只在25_C的典型特征。
5.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性
(注
4)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
串扰,控制输入信号输出(图5 )
V
SS
= - 5 VDC
(R
1
= 1千瓦,R
L
= 10千瓦,控制吨
TLH
= t
THL
= 20纳秒)
声道分离度(图4 )
(V
in
= 5 V
pp
, R
L
= 1千瓦,女
in
= 8.0兆赫)
(交换机A ON ,开关B关)
穿心衰减(开关OFF)
V
SS
= - 5 VDC
(V
in
= 5 V
pp
, R
L
= 1千瓦,女
in
= 1.0兆赫) (图3)
带宽(开关ON) (图3)
V
SS
= - 5 VDC
(R
L
= 1千瓦, 20登录(Ⅴ
OUT
/V
in
) =
3分贝,C
L
= 50 pF的,
V
in
= 5 V
pp
)
二次谐波失真
V
SS
= - 5 VDC
(V
in
= 1.77伏,中心RMS @ 0.0伏直流电,
R
L
= 10千瓦, F = 1.0千赫)
传播延迟时间
输入到输出(R
L
= 10千瓦)
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.17纳秒/ PF )C
L
+ 15.5纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.08纳秒/ PF )C
L
+ 6.0纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.06纳秒/ PF )C
L
+ 4.0纳秒
控制输出(R
L
= 1千瓦) (图2)
输出“ 1 ”为高阻
高阻抗输出“ 0 ”
高阻抗,以输出“1”的
输出“ 0 ”为高阻
特征
V
SS
= - 5 VDC
V
SS
= 0伏
http://onsemi.com
MC14066B
t
PLH
, t
PHL
符号
4
t
PZH
t
PHZ
t
PZL
t
PLZ
V
DD
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
(5)
– 50
– 50
300
0.1
20
10
7.0
65
60
20
15
60
20
15
40
35
30
40
35
30
最大
120
40
30
120
40
30
80
70
60
80
70
60
40
20
15
mV
pp
兆赫
单位
dB
dB
ns
ns
ns
ns
ns
%
MC14066B
订购信息
设备
MC14066BCP
MC14066BCPG
MC14066BD
MC14066BDG
MC14066BDR2
MC14066BDR2G
MC14066BDTR2
MC14066BDTR2G
MC14066BF
MC14066BFG
MC14066BFEL
MC14066BFELG
包
PDIP14
PDIP14
(无铅)
SOIC14
SOIC14
(无铅)
SOIC14
SOIC14
(无铅)
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
(无铅)
SOEIAJ14
SOEIAJ14
(无铅)
2000 /磁带&卷轴
50单位/铁
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
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