摩托罗拉
半导体技术资料
MC14029B
二进制/十年上/下
计数器
的MC14029B二进制/十年向上/向下计数器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。该计数器是由D型触发器阶段用的
门控结构，以提供双稳触发器的能力。该计数器可以是
二进制或BCD操作中使用。这种互补MOS计数器
查找/主要用在上下和差异计数和频率
合成器应用中的低功耗和/或高噪声
免疫力是需要的。也正是在A / D和D / A转换和有用
大小和符号生成。
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
内部同步高速
逻辑边缘超频设计 - 伯爵出现在正边沿
时钟
异步预置启用操作
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD4029B
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN，VOUT
林，糊涂人
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
引脚分配
PE
Q3
P3
P0
CIN
Q0
COUT
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
CLK
Q2
P2
P1
Q1
U / D
B / D
_
C
_
C
焊接温度（ 8秒焊接）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
真值表
携带
1
0
0
X
X =无关
上/下
X
1
0
X
预设
启用
0
0
0
1
行动
无计数
计数
倒计时
预设
REV 3
1/94
MC14029B
1995
摩托罗拉公司
120
摩托罗拉CMOS逻辑数据
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.001 。
电气特性
（电压参考VSS）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
摩托罗拉CMOS逻辑数据
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输入电压= 0或Vdd的
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
IT = （ 0.58
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.20
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.70
μA /千赫）
F + IDD
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值＃
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，
必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗
电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ） 。未使用的输出必须
悬空。
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MC14029B
121
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
预设启用脉冲宽度
二进制/十年建立时间
上/下建立时间
开展建立时间
时钟的上升和下降时间
预置移走时间
预置信号之前必须要低一个正向
时钟过渡。
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
传播延迟时间
CLK到Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 230纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 97纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 75纳秒
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
MC14029B
122
PE来清点
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 465纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 192纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 125纳秒
PE到Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 230纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 97纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 75纳秒
CIN到COUT
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 95纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 47纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 35纳秒
CLK到COUT
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 230纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 97纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 75纳秒
特征
符号
总重量（CL ）
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
tTLH ，
TTHL
TR （CL ）
TF （CL ）
TREM
TSU
tW
整箱
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
130
70
50
320
140
100
340
140
100
150
60
40
160
80
60
180
80
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
摩托罗拉CMOS逻辑数据
所有类型
典型值＃
160
70
50
170
70
50
320
145
105
235
100
80
175
50
50
250
130
85
200
100
90
100
50
40
4.0
8.0
10
75
30
20
80
40
30
90
40
30
—
—
—
65
35
25
最大
640
290
210
470
200
160
360
120
100
500
260
190
400
200
180
200
100
80
2.0
4.0
5.0
15
5
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC14029B
二进制/十年上/下
计数器
的MC14029B二进制/十年向上/向下计数器被构造
用的MOS P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。该计数器是由D型触发器
用门控结构的阶段，以提供双稳触发器的能力。
该计数器可以在任一二进制或BCD运算中使用。这
互补型MOS柜台发现主要用在上/下和
不同的计数和频率合成器应用中的低
功耗和/或高的抗噪性是期望的。它也是
在A / D和D / A转换和大小和符号有用
一代。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14029BCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
MC14029B
AWLYWW
1
14029B
AWLYWW
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
内部同步高速
逻辑边缘超频设计 - 伯爵出现在正向
时钟边缘
异步预置启用操作
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD4029B
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
订购信息
设备
MC14029BCP
MC14029BD
MC14029BDR2
MC14029BF
MC14029BFEL
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
2400/Box
2500 /磁带&卷轴
见注1 。
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
v
v
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14029B/D
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：
X =无关
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流
(5.) (6.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
携带
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
X
0
0
1
特征
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
上/下
真值表
X
X
0
1
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
预设
启用
1
0
0
0
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
倒计时
计数
无计数
行动
预设
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
MC14029B
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
2
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
I
T
= (0.58
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.20
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.70
μA /千赫）
F +我
DD
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
典型值
(4.)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
C
OUT
V
SS
C
in
Q0
Q3
PE
P0
P3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
7
6
5
4
3
2
1
引脚分配
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
12
13
14
15
16
10
11
9
125
_
C
B / D
U / D
Q1
P1
P2
Q2
CLK
V
DD
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
预设启用脉冲宽度
二进制/十年建立时间
上/下建立时间
开展建立时间
时钟的上升和下降时间
预置移走时间
预置信号之前必须要低一个正向
时钟过渡。
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
传播延迟时间
CLK到Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
PE为C
OUT
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 465纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 192纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 125纳秒
PE到Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
C
in
到C
OUT
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 95纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 47纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 35纳秒
CLK为C
OUT
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
特征
http://onsemi.com
符号
MC14029B
t
W（ CL）的
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
R（ CL ）
t
F（ CL ）
t
REM
t
su
t
W
f
cl
3
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
130
70
50
320
140
100
340
140
100
150
60
40
160
80
60
180
80
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
所有类型
典型值
(8.)
160
70
50
170
70
50
320
145
105
235
100
80
175
50
50
250
130
85
200
100
90
100
50
40
4.0
8.0
10
75
30
20
80
40
30
90
40
30
—
—
—
65
35
25
最大
640
290
210
470
200
160
360
120
100
500
260
190
400
200
180
200
100
80
2.0
4.0
5.0
15
5
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC14029B
二进制/十年上/下
计数器
的MC14029B二进制/十年向上/向下计数器被构造
用的MOS P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。该计数器是由D型触发器
用门控结构的阶段，以提供双稳触发器的能力。
该计数器可以在任一二进制或BCD运算中使用。这
互补型MOS柜台发现主要用在上/下和
不同的计数和频率合成器应用中的低
功耗和/或高的抗噪性是期望的。它也是
在A / D和D / A转换和大小和符号有用
一代。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648
16
MC14029BCP
AWLYYWWG
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
MC14029B
ALYWG
14029BG
AWLYWW
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
内部同步高速
逻辑边缘超频设计 - 伯爵出现在正边沿
时钟
异步预置启用操作
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD4029B
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
引脚分配
mA
mW
°C
°C
°C
PE
Q3
P3
P0
C
in
Q0
C
OUT
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
CLK
Q2
P2
P1
Q1
U / D
B / D
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
出版订单号：
MC14029B/D
1
2005年8月 - 修订版6
MC14029B
真值表
携带
1
0
0
X
X =无关
上/下
X
1
0
X
可以预设
0
0
0
1
行动
无计数
计数
倒计时
预设
订购信息
设备
MC14029BCP
MC14029BCPG
MC14029BDR2
MC14029BDR2G
MC14029BFEL
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOEIAJ16
航运
500单位/铁
500单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
55_C
25_C
125_C
民
—
—
—
最大
民
—
—
—
典型值
（注2 ）
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
0.05
0.05
0.05
—
—
—
0.05
0.05
0.05
—
—
—
“1”电平
V
OH
V
in
= 0或V
DD
4.95
9.95
14.95
—
—
—
4.95
9.95
14.95
—
—
—
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
—
—
—
VDC
输入电压
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
“0”电平
V
IL
VDC
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
2.75
5.50
8.25
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
“1”电平
V
IH
VDC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
I
OH
MADC
来源
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
5.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
SINK
I
OL
MADC
输入电流
I
in
±
0.1
5.0
10
20
±
0.00001
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
±
1.0
150
300
600
MADC
pF
MADC
输入电容（V
in
= 0)
静态电流
（每包）
C
in
I
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
总电源电流（注3 & 4 ）
（动态加静态，每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，所有缓冲区
切换）
I
T
I
T
= (0.58
毫安/千赫）
f +
I
T
= (1.20
毫安/千赫）
f +
I
T
= (1.70
毫安/千赫）
f +
I
DD
I
DD
I
DD
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
电气特性
（电压参考V
SS
)
http://onsemi.com
2
1.给出的公式仅用于在25_C的典型特征。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
(1.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
预设启用脉冲宽度
二进制/十年建立时间
上/下建立时间
开展建立时间
时钟的上升和下降时间
预置移走时间
预置信号之前必须要低一个正向
时钟过渡。
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
传播延迟时间
CLK到Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
PE为C
OUT
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 465纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 192纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 125纳秒
PE到Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
C
in
到C
OUT
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 95纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 47纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 35纳秒
CLK为C
OUT
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
特征
http://onsemi.com
符号
MC14029B
t
W（ CL）的
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
R（ CL ）
t
F（ CL ）
t
REM
t
su
t
W
f
cl
3
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
130
70
50
320
140
100
340
140
100
150
60
40
160
80
60
180
80
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
所有类型
典型值
(2.)
160
70
50
170
70
50
320
145
105
235
100
80
175
50
50
250
130
85
200
100
90
100
50
40
4.0
8.0
10
75
30
20
80
40
30
90
40
30
—
—
—
65
35
25
最大
640
290
210
470
200
160
360
120
100
500
260
190
400
200
180
200
100
80
2.0
4.0
5.0
15
5
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
QQ：2881677436 复制
