1998年11月30日Ver.B
三菱的LSI
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化。
M5M54R16AJ,ATP-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M54R16A是一个家庭的262144字×16位
静态RAM ，制造的高性能CMOS
处理而设计的高速应用。这些
器件在3.3V单电源供电，并直接
TTL兼容。
它们包括降低功能的电源也是如此。在写
和读周期中，下部和上部的字节是能够
要得以控制的togethe要么单独或通过LB
和UB 。
芯片选择
输入
数据
输入/
输出
地址
输入
引脚配置（顶视图）
特点
快速存取时间
M5M54R16AJ ， ATP - 10 ...为10ns （最大值）
M5M54R16AJ ， ATP - 12 ...为12ns （最大值）
M5M54R16AJ ， ATP - 15 ...为15ns （最大值）
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
S
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
(3.3V)
(0V)
V
CC
A
17
地址
A
16
输入
A
15
产量
OE
使能输入
字节
UB
控制
LB
输入
DQ
16
DQ
15数据
输入/
DQ
14将
DQ
13
GND
(0V)
+ 3.3V单电源供电
全静态操作：无时钟，无刷新
通用数据的I / O
易于内存扩张
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
直接TTL兼容：所有输入和输出
由LB和UB上下字节独立控制
GND
DQ
5
数据
DQ
6
输入/
DQ
7
输出
DQ
8
写
控制输入
W
A
5
A
6
地址
输入
A
7
A
8
A
9
V
CC
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
N.C
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
(3.3V)
数据
输入/
输出
地址
输入
概要
44P0K
应用
高速存储系统
包
M5M54R16AJ .......... 44针400mil SOJ
M5M54R16ATP .......... 44针400mil TSOP （ II ）
状态。 （ LB和/或UB = L，S = L）的
当设定的LB在高电平和其他的管脚都
激活状态，上层字节是一个可选择的方式
在读取和写入都能够和
低字节是在非选择的模式。而当
设置UB在高电平和其它引脚处于
激活状态时，较低的字节是在一个可选择的模式
其读取和写入都能够和上层
字节都处于不可选状态。
当设定的LB和UB在高电平或S在高
电平，该芯片是在非选择的模式，其中
读取和写入都被禁止。在这种模式下，
输出级处于高阻抗状态，
允许或领带与其他芯片和内存
扩张LB ， UB和S.
信号-S控制的省电特性。当S
变高，功率dissapation极度降低。
从S中的访问时间等同于地址
访问时间。
功能
该M5M54R16A的操作模式被确定
由该装置的控制输入端S的组合，W ，OE
LB和UB 。每个模式中总结了该函数
表。
执行写入周期时的水平低W
低级别的LB和/或低电平UB和低重叠
级别S.地址必须建立写周期之前
并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到上的traling边缘的小区
W， LB ， UB或S ，以先到为准，要求
建立和保持时间上相对于这些边缘是
维护。输出直接使能输入OE
控制所述输出级。设置在OE在一个较高的水平，
输出级处于高阻抗状态，并且
在写周期的数据总线争用的问题是
消除了。
读周期由在较高的水平设置W excuted
和OE为低电平而LB和/或UB和S是在
活跃
三菱
电
1
三菱的LSI
M5M54R16AJ,ATP-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能表
S
L
L
L
L
L
L
L
L
H
W
H
H
H
L
L
L
H
X
X
OE
L
L
L
X
X
X
H
X
X
LB
L
H
L
L
H
L
X
H
X
UB
L
L
H
L
L
H
X
H
X
模式
读周期的所有字节
读周期较高的字节
读周期较低的字节
写周期的所有字节
写周期较高的字节
写周期较低的字节
输出禁用
非选择
DQ1~8
D
OUT
高阻抗
D
OUT
D
IN
高阻抗
D
IN
高阻抗
高阻抗
DQ9~16
D
OUT
D
OUT
高阻抗
D
IN
D
IN
高阻抗
高阻抗
高阻抗
ICC
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
支持
框图
地址
输入
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
S
W
OE
UB
LB
1
2
3
4
5
18
19
20
21
22
存储阵列
1024行
4096柱
7
8
9
10
13
14
15
16
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
数据
输入/
输出
芯片
选择输入
写
控制输入
产量
使能输入
高字节
控制输入
低字节
控制输入
6
17
列I / O电路
列地址
解码器
COLUMN输入缓冲器
29
30
31
32
35
36
37
38
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
DQ
16
数据
输入/
输出
41
40
11
33
12
V
CC
(3.3V)
39
23 24 25 26 27 42 43 44
34
GND
(0V)
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
地址输入
三菱
电
2
三菱的LSI
M5M54R16AJ,ATP-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
V
cc
V
I
V
O
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于GND
Ta=25°C
评级
- 2.0
*
~ 4.6
- 2.0
*
VCC + 0.5
- 2.0
*
= VCC
1000
0 ~ 70
- 10 ~ 85
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
mW
°C
°C
°C
P
d
T
OPR
T
STG （偏置）
存储温度（偏置）
T
英镑
*脉冲宽度
≤3ns,
如果是DC ： - 0.5V
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（ TTL电平）
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V
条件
+10%
-5%
除非
另有说明）
民
2.0
2.4
0.4
2
2
范围
典型值
最大
Vcc+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
uA
uA
I
OH
= - 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
I
= 0 Vcc的
V
我（S）
= V
IH
V
O
= 0 Vcc的
V
我（S）
= V
IL
其他投入V
IH
或V
IL
输出开（占空比100 ％ ）
AC（周期为10ns ）
AC（周期为12ns ）
AC（ 15ns的周期）
DC
AC（周期为10ns ）
AC（周期为12ns ）
AC（ 15ns的周期）
DC
I
CC1
I
CC2
待机电源电流
（ TTL电平）
待机电流
（ MOS级）
V
我（S）
= V
IH
V
我（S）
=
VCC - 0.2V
其他投入V
I
≤0.2V
或V
I
-vcc
- 0.2V
260
250
230
120
90
70
60
40
10
mA
mA
I
CC3
mA
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
电容
符号
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V
参数
+10%
-5%
中，除非另有说明）
测试条件
民
极限
典型值
最大
7
8
单位
pF
pF
C
I
输入电容
V
I
= GND ，V
i
=25mVrms,f=1MHz
C
O
输出电容
V
o
= GND ，V
o
=25mVrms,f=1MHz
注2 ：C
I
,C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
AC电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=3.3V
+10%
中，除非另有说明）
-5%
（1）测定条件
输入脉冲电平
...................................
V
IH
=3.0V,V
IL
=0.0V
输入上升和下降时间
...................................................
3ns
输入定时基准水平
......................
V
IH
=1.5V,V
IL
=1.5V
输出时序参考电平
................
V
OH
=1.5V, V
OL
=1.5V
输出负载
.......................................................
Fig1 ， Fig2
产量
Z0=50
5.0V
480
DQ
RL=50
VL=1.5V
图1输出负载
DQ
255
5pF
INCLUDING
范围，夹具
(
)
图2输出负载在t
en
, t
DIS
三菱
电
3
三菱的LSI
M5M54R16AJ,ATP-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
读周期
范围
符号
参数
M5M54R16AJ ， ATP - 10 M5M54R16AJ ， ATP - 12M5M54R16AJ ， ATP - 15单元
民
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
（ OE）的
t
a
(B)
t
DIS
(S)
t
DIS
（ OE）的
t
DIS
(B)
t
en
(S)
t
en
（ OE）的
t
en
(B)
t
v
(A)
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
LB ， UB访问时间
之后的高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
输出禁止时间后， LB ， UB高
之后的低输出使能时间
OE后低输出使能时间
经过LB ， UB低输出使能时间
地址更改后的数据有效时间
芯片的选择上电后的时间
片选后掉电时间
最大
10
10
5
5
5
5
5
民
12
最大
12
12
6
6
6
6
6
民
15
最大
15
15
7
7
7
7
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
0
0
0
2
0
0
2
0
0
0
0
3
1
1
3
0
0
0
0
3
1
1
3
0
10
12
15
写周期
范围
符号
参数
M5M54R16AJ ， ATP - 10 M5M54R16AJ ， ATP - 12 M5M54R16AJ ， ATP - 15单元
民
t
CW
t
w
(W)
t
w
(W)
t
su
(B)
t
su
(A)
1
t
su
(A)
2
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(B)
t
su
（ A- WH ）
t
su
（ A- SH ）
t
su
（ A- BH ）
写周期时间
把脉冲宽度（ OE低）
把脉冲宽度（ OE高）
LB ， UB安装时间
地址建立时间（W ）
地址建立时间（ S）
片选建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
后W低输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
输出使能后， W高时间
OE后低输出使能时间
经过LB ， UB低输出使能时间
地址W高
地址向S高
地址， LB ， UB高
最大
10
10
8
8
0
0
8
5
0
1
0
0
0
0
0
8
8
8
5
5
民
12
12
10
10
0
0
10
6
0
1
0
0
0
0
0
10
10
10
最大
民
15
15
10
10
0
0
10
7
0
1
0
0
0
0
0
10
10
10
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
6
7
7
三菱
电
4
三菱的LSI
M5M54R16AJ,ATP-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期1
A
0~17
V
IH
V
IL
t
CR
ta
(A)
tv
(A)
tv
(A)
未知
数据有效
以前的数据有效
DQ
1~16
V
OH
V
OL
窝
= L1
OE = L
LB = L
UB = L
读周期2
（注3）
t
CR
S
V
IH
V
IL
ta
(S)
TEN
(S)
（注4 ）
t
DIS
(S)
（注4 ）
DQ
1~16
V
OH
V
OL
未知
数据有效
t
PU
t
PD
50%
50%
ICC
I
CC
1
I
CC
2
窝
UB = L
OE = L LB = L
注3.地址有效之前或与S期低重合。
4.转换测量±从稳态电压为500mV与指定装载在图2中。
读周期3
（注5 ）
OE
V
IH
V
IL
t
CR
（注4 ）
ta
（ OE）的
（注4 ）
t
DIS
（ OE）的
TEN
（ OE）的
未知
数据有效
DQ
1~16
V
OH
V
OL
窝
= L1
UB = L
LB = L
注5.地址和（ TA （A ） -ta （ OE ） ）S前有效OE过渡低， （ TA （ S） -ta （ OE ） ）
三菱
电
5
QQ：2881677436 复制
