MC14014B ， MC14021B
8位静态移位寄存器
该MC14014B和MC14021B 8位静态移位寄存器
用的MOS P沟道和N沟道增强模式构造
器件在一个单片结构。这些移位寄存器找到主
在并行 - 串行数据转换，同步和异步使用
并行输入，串行输出数据队列;与其它通用
登记要求低功耗和/或高抗干扰应用。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648
16
MC140xxBCP
AWLYYWW
1
同步并行输入/串行输出（ MC14014B ）
异步并行输入/串行输出（ MC14021B ）
同步串行输入/串行输出
全静态操作
从第六，第七和第八级“Q”输出
双二极管输入保护
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
MC14014B引脚对引脚置换CD4014B
MC14021B引脚对引脚置换CD4021B
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
MC140xxB
AWLYWW
140xxB
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14014B/D
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3 & 4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）， “1”电平
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.0015 。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
MC14014B ， MC14021B
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
55_C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
15
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
1.3
3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
I
T
= (0.75
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.50
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (2.25
毫安/千赫）
F +我
DD
3.5
7.0
11
±
0.00001
典型值
（注2 ）
– 4.2
– 0.88
– 2.25
8.8
0.005
0.010
0.015
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
15
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
0.36
– 0.9
2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
3
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
输入时钟上升时间
保持时间
时钟P
n
保持时间
时钟到D
s
建立时间
数据（并行或串行），以
时钟或P / S的
保持时间
时钟P / S
建立时间
P / S到时钟
并行/串行控制脉冲宽度
时钟频率
时钟脉冲宽度
传播延迟时间（时钟到Q， P / S到Q）
t
PHL
, t
PLH
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 315纳秒
t
PHL
, t
PLH
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 137纳秒
t
PHL
, t
PLH
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 90纳秒
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
特征
MC14014B ， MC14021B
http://onsemi.com
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
R（ CL ）
t
WH
t
WH
t
su
t
su
f
cl
t
h
t
h
t
h
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
350
80
60
200
100
80
400
175
135
400
175
135
50
45
45
45
35
35
20
20
25
典型值
（注6 ）
– 2.5
– 10
0
150
50
30
100
50
40
150
75
40
150
75
40
400
170
115
100
50
40
3.0
6.0
8.0
25
20
20
0
0
5
最大
800
340
230
200
100
80
1.5
3.0
4.0
15
5
4
兆赫
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
4
QQ：2880707522 复制
