M27V405
4兆位（ 512KB ×8 ）低电压OTP EPROM
s
低电压读操作：
3V至3.6V
快速存取时间： 120ns的
低功耗：
- 主动电流，15mA在5MHz
- 待机电流20μA
s
s
s
s
编程电压： 12.75V ± 0.25V。
编程时间：
- 典型48sec 。 （ PRESTO II算法）
- 典型27sec 。 （板载编程）
PLCC32 （ K）
TSOP32 （ N）
8 ×20mm的
s
引脚兼容的4兆比特，
单电压闪存
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： B4
图1.逻辑图
s
描述
该M27V405是一个低电压4兆比特的EPROM OF-
fered在OTP范围（一次性可编程） 。
它非常适合于微处理器系统重
quiring大数据或程序存储，是奥尔加
由8位nised为524288 。
该M27V405操作与读出模式
电源电压低至3V 。在OP-减少
展业务的功率允许使用减小的尺寸的
电池或之间的增加的时间的
电池充电。
表1.信号名称
A0-A18
Q0-Q7
E
G
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目供应
电源电压
地
VCC
VPP
19
A0-A18
8
Q0-Q7
E
G
M27V405
VSS
AI01800
1998年5月
1/13
M27V405
图2A 。 LCC引脚连接
图2B中。 TSOP引脚连接
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
9
M27V405
25
17
Q1
Q2
VSS
Q3
Q4
Q5
Q6
AI01801
A11
A9
A8
A13
A14
A17
VPP
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A12
A15
A16
A18
VCC
VPP
A17
1
32
8
9
M27V405
（普通）
25
24
16
17
AI01802
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VSS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关qua-
lity文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
2/13
M27V405
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
或V
SS
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
Q0-Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
0
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
B4h
该M27V405是引脚兼容业界
标准的4兆位单电压闪存。它
可以被认为是一个动画低成本的解决方案
生产量。
该M27V405也可以作为标准操作
4兆比特的OTP EPROM （类似于M27C405 ）与
5V电源。该M27V405提供的
PLCC32和TSOP32 （12 ×20mm的）封装。
设备操作
在M27V405的操作模式是列表 -
ED的操作模式表。单电源
供给中需要的读出模式。所有的输入都是
TTL电平，除了V
pp
和12V的A9的Elec-
TRONIC签名。
读取模式
该M27V405具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚， indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的，地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据可在一个延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27V405具有待机模式，该模式减少了
从15毫安有功电流为20μA的低电压
年龄操作V
CC
≤
3.6V ，看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27V405是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗状态，
独立对G输入。
3/13
M27V405
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -20℃至70℃， -20℃至85 ℃或-40至85℃ ; V
CC
= 3.3V ± 10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
输出高电压CMOS
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
I
OH
= –100A
2.4
V
CC
– 0.7V
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
F = 5MHz时，V
CC
≤
3.6V
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V, V
CC
≤
3.6V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
民
最大
±10
±10
15
1
20
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -20℃至70℃， -20℃至85 ℃或-40至85℃ ; V
CC
= 3.3V ± 10%; V
PP
= V
CC
)
M27V405
符号
ALT
参数
测试条件
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出
过渡
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
0
0
0
-120
最大
120
120
60
50
50
0
0
0
-150
民
最大
150
150
80
50
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只，而不是100 ％测试。
通过E的上升沿和下降沿的大小
的瞬时峰值电流是依赖于
该装置的电容性和电感性负载
的输出。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个0.1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高频电容
低固有电感与器应
尽可能靠近器件摆放。此外
化，一个4.7μF的大容量电解电容应该是
V之间使用
CC
和V
SS
对于每一个8 devic-
ES 。大容量电容应靠近
的电源连接point.The目的
大容量电容器是克服电压降
引起PCB走线电感的影响。
5/13
M27V402
4兆位（ 256Kb的×16 ）低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
低电压读操作：
3V至3.6V
快速存取时间： 120ns的
低功耗：
- 主动电流，15mA在5MHz
- 待机电流20μA
40
40
s
s
s
s
s
编程电压： 12.75V
±
0.25V
编程时间： 100μS /字节（典型值）
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 8DH
1
1
FDIP40W （ F）
PDIP40 （ B）
描述
该M27V402是一个低电压，低功耗4兆位
紫外线可擦除和可编程电
EPROM ，非常适用于手持式和便携式
微处理器系统需要大的项目。
它是由16位组织为262,144 。
该M27V402操作与读出模式
电源电压低至3V 。在OP-减少
展业务的功率允许使用减小的尺寸的
电池或之间的增加的时间的
电池充电。
该FDIP40W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
表1.信号名称
A0-A17
Q0-Q15
E
G
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目供应
电源电压
地
PLCC44 （ K）
TSOP40 （ N）
10 ×20mm的
图1.逻辑图
VCC
VPP
18
A0-A17
16
Q0-Q15
E
G
M27V402
VSS
AI01819
1998年5月
1/15
M27V402
图2A 。 DIP引脚连接
VPP
E
Q15
Q14
Q13
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
G
1
40
2
39
3
38
4
37
5
36
6
35
7
34
8
33
9
32
10
31
M27V402
11
30
12
29
13
28
14
27
15
26
16
25
17
24
18
23
19
22
20
21
AI01862
图2B中。 LCC引脚连接
VCC
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
NC
Q7
Q6
Q5
Q4
Q13
Q14
Q15
E
VPP
NC
VCC
A17
A16
A15
A14
1 44
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
NC
A8
A7
A6
A5
12
M27V402
34
23
Q3
Q2
Q1
Q0
G
NC
A0
A1
A2
A3
A4
AI01820
警告：
NC =未连接。
图2C 。 TSOP引脚连接
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
VCC
VPP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
1
40
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
G
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27V256提供的PDIP40 ， PLCC44和
TSOP40 （10 ×20mm的）封装。
设备操作
该M27V402的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V水平
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27V402具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，
独立的设备选择。假设
地址是稳定的，该地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据可在一个延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址已
稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
10
11
M27V402
（普通）
31
30
20
21
AI01821
2/15
M27V402
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
或V
SS
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
Q0-Q15
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
8Dh
待机模式
该M27V402具有待机模式，该模式减少了
电源电流从20mA至20μA低
工作电压V
CC
≤
3.6V ，看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27V402是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗状态，
独立对G输入。
3/15
M27V402
表7.读模式DC特性
(1)
值（TA = 0 70℃ ， -20℃至70℃， -20℃至85 ℃或-40至85℃ ; V
CC
= 3.3V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
I
OH
= –100A
2.4
V
CC
–0.7V
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
F = 5MHz时，V
CC
= 3.6V
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V, V
CC
= 3.6V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
民
最大
±10
±10
20
1
20
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
，有三段
中进行的，所关心的系统设计师
待机电流水平，活性电流电平，
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
瞬态电流的峰值是依赖于
输出电容和DE-的感性负载
副。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个0.1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高频电容
低固有电感与器应
尽可能靠近器件摆放。此外
化，一个4.7μF的大容量电解电容应该是
V之间使用
CC
和V
SS
对于每一个8 devic-
ES 。大容量电容应靠近
的电源连接point.The目的
大容量电容器是克服电压降
引起PCB走线电感的影响。
程序设计
当传送（每个擦除的紫外线后，
EPROM）的M27V402的所有位都在'1'
状态。数据是通过选择性地编程引入
明'0'到所需的位的位置。虽然
只有'0'将被编程，既'1'和'0'即可
存在于该数据字。以唯一的办法
改变一个'0'到'1'，是通过模具暴露在紫外线
光（ UV EPROM ） 。该M27V402是亲
编程模式时， V
PP
输入为12.75V ，G IA
在V
IH
和E是脉冲到V
IL
。数据被亲
编程加到16位并行数据
输出管脚。
所需要的地址和数据的水平IN-
看跌期权是TTL 。 V
CC
被指定为6.25V
±
0.25V.
5/15
QQ：2881677436 复制
