MC12080
1.1 GHz的预分频器
描述
的MC12080是单个模数除以10，20， 40 ， 80分频
对于一个1.1 GHz的高频输入的低功率分频
信号。分频比控制输入SW1 ， SW2和SW3选择
所需的分频比
÷10, ÷20, ÷40,
or
÷80.
外部负载电阻是必要的，以终止输出。一
820
W
电阻建议实现1.2V的
pp
输出摆幅，
当通过率最低鸿沟将一个1.1 GHz的输入信号
10 ，假设8.0 pF负载。输出电流可以被最小化
依赖于如输出频率的条件下，电容性负载
被驱动，所需的输出电压摆幅。典型值
负载电阻器被包括在V
OUT
规范各种鸿沟
比值在1.1 GHz的输入频率。
特点
http://onsemi.com
记号
图
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
A
L
Y
W
G
12080
ALYW
G
1.1 GHz的频率切换
电源电压为4.5 5.5 V
低功耗3.7毫安典型的V
CC
= 5.0 V
工作温度范围
40
至85℃
无铅包可用
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
表1.功能表
SW1
L
L
L
L
H
H
H
H
注意：
SW2
L
L
H
H
L
L
H
H
SW3
L
H
L
H
L
H
L
H
分频比
80
40
40
20
40
20
20
10
引脚连接
In
V
CC
SW1
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
In
SW3
SW2
GND
（ TOP VIEW ）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
SW1，SW2和SW3的：H = V
CC
， L =打开。
表2.最大额定值
等级
电源电压引脚2
工作温度范围
存储温度范围
最大输出电流， 4针
符号
V
CC
T
A
T
英镑
I
O
价值
0.5
7.0
40
85
65
150
10
单位
VDC
°C
°C
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
注：可根据要求提供ESD数据。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年1月，
启示录6
1
出版订单号：
MC12080/D
MC12080
表3.电气特性
(V
CC
= 4.5 5.5 V ;牛逼
A
=
40
至85℃ ，除非另有说明。 ）
特征
切换频率（正弦波）
电源电流输出（引脚2 ）
输入电压灵敏度
100至250兆赫
250至1100兆赫
分频比控制输入高（ SW1 ， SW2 ， SW3 ）
分频比控制输入为低（ SW1 ， SW2 ， SW3 ）
输出电压摆幅（注1 ）
R
L
= 820
W,
I
O
= 4.0毫安
÷10
R
L
= 1.6千瓦，我
O
= 2.1毫安
÷20
R
L
= 3.3千瓦，我
O
= 1.1毫安
÷40
R
L
= 6.2千瓦，我
O
= 0.57毫安
÷80
符号
ft
I
CC
V
in
400
100
V
IH
V
IL
V
OUT
V
CC
0.5 V
开放
0.8
民
0.1
典型值
1.4
3.7
V
CC
开放
1.2
最大
1.1
5.0
1000
1000
V
CC
+ 0.5 V
开放
单位
GHz的
mA
mVpp的
V
V
pp
1.假设8.0 pF负载和1.1 GHz的输入频率（典型值） ，我
O
在V
CC
= 5.0 V和T
A
= 25°C.
D
In
In
C
Q
Q
D
C
Q
Q
D
C
Q
Q
1
D
0
C
SW1
SW3
SW2
Q
C
Q
C
Q
C
Q
OUT
Q
D
Q
D
Q
D
Q
图1.逻辑图
V
CC
= 4.5 5.5 V
C3
正弦波发生器
C1
In
50
W
V
CC
SW1
SW2
SW3
C2
In
GND
OUT
C
L
R
L
外部元件
C1 = C2 = 1000pF的
C3 = 0.1
mF
C
L
= 8.0 pF的（包括范围和夹具电容）
R
L
= 820
W
为
÷10
在1.1 GHz的
图2. AC测试电路
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2
MC12080
+15.0
+10.0
+5.0
0
5.0
振幅（ DBM）
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
45.0
50.0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
频率（MHz）
分频比= 10 ; V
CC
= 5.0 V ;牛逼
A
= 25°C
+1257.40
+707.11
+397.64
800
400
0
1800
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
频率（MHz）
图4.输出幅度与输入频率
订购信息
设备
MC12080D
MC12080DG
MC12080DR2
MC12080DR2G
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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3
mVpp的
操作
窗口
+223.61
+125.74
+70.71
毫伏有效值
+39.76
+22.36
+12.57
+7.07
+3.98
+2.24
+1.26
+0.71
1800
图3.输入信号幅度随输入频率
2000
1600
1200
MC12080
包装尺寸
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
发行公司
X
A
8
5
B
1
S
4
0.25 (0.010)
M
Y
M
Y
G
K
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
民
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
C
Z
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
焊接足迹*
1.52
0.060
7.0
0.275
4.0
0.155
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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4
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