摩托罗拉
半导体技术资料
低阻抗驱动器
MC100LVEL12
该MC100LVEL12是一个低阻抗驱动器缓冲区。两对
OR / NOR输出设备非常适合于高驱动应用
如存储器寻址。该装置等效于一个函数
EL12设备和工作于低电压电源。同
传播延迟等价于EL12 ,所述LVEL12非常适合
对于那些需要极致的AC性能的应用
低电压的环境。
445ps传输延迟
双输出为25Ω驱动应用
75KΩ内部输入下拉电阻
>2000V ESD保护
后缀
8引脚塑料SOIC封装
CASE 751-05
逻辑框图和引脚转让
Qa
1
8
VCC
引脚说明
Qb
2
7
D0
针
功能
数据输入
数据输出
Qa
3
6
D1
D0, D1
QA , QB
Qb
4
5
VEE
DC特性
( VEE = VEE (分钟)至VEE (最大值) ; VCC = GND)的
–40°C
符号
IEE
VEE
IIH
特征
电源电流
电源电压
输入高电流
–3.0
民
典型值
17
最大
24
–3.8
150
–3.0
民
0°C
典型值
17
最大
24
–3.8
150
–3.0
民
25°C
典型值
17
最大
24
–3.8
150
–3.0
民
85°C
典型值
18
最大
25
–3.8
150
单位
mA
V
A
AC特性
( VEE = VEE (分钟)至VEE (最大值) ; VCC = GND)的
–40°C
符号
TPLH
的TPH1
tr
tf
特征
传播延迟
产量
输出上升/下降时间Q
(20% – 80%)
民
310
230
400
典型值
最大
580
550
民
310
230
400
0°C
典型值
最大
580
550
民
310
230
25°C
典型值
445
400
最大
580
550
民
320
230
400
85°C
典型值
最大
590
550
单位
ps
ps
6/97
摩托罗拉1997年公司
3–1
REV 0
MC100LVEL12
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-05
ISSUE S
A
8
D
5
C
E
1
4
H
0.25
M
B
M
h
B
C
e
A
座位
飞机
X 45
_
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.尺寸以毫米为单位。
3.尺寸D和E不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
5.尺寸b不包括模型
前伸。允许的dambar
突出应该0.127总数过量
THE B尺寸为最大材料的
条件。
暗淡
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
MILLIMETERS
民
最大
1.35
1.75
0.10
0.25
0.35
0.49
0.18
0.25
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27 BSC
5.80
6.20
0.25
0.50
0.40
1.25
0
_
7
_
q
L
0.10
A1
0.25
B
M
C B
S
A
S
q
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其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
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机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
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日本:
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互联网:
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摩托罗拉
3–2
MC100LVEL12/D
ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
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评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
MC100EPT24
3.3V LVTTL / LVCMOS到
差分LVECL翻译
描述
LVECL的MC100EPT24是LVTTL / LVCMOS到差分
翻译。由于LVECL水平和LVTTL / LVCMOS电平
使用时,
3.3
5V,+ 3.3V和接地线。小外形
8引脚封装和EPT24的单栅使得它非常适合
那些应用空间,性能和低功耗是在一
溢价。
特点
8
1
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标记DIAGRAMS *
8
SOIC8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
KA24
ALYWG
G
KPT24
ALYW
G
1
A
L
Y
W
M
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
启8
1
出版订单号:
MC100EPT24/D
3U MG
G
4
350 ps的典型传播延迟
最大输入时钟频率> 1.0 GHz的典型
100系列包含温度补偿
经营范围: V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;
V
EE
=
3.6
V到
3.0
V ; GND = 0 V
PNP LVTTL输入最小的负载
Q输出将默认高,输入打开
无铅包可用
MC100EPT24
表1.引脚说明
针
Q, Q
7
LVECL
NC
3
6
Q
Q
D
V
CC
GND
V
EE
NC
NC
4
5
GND
EP
功能
差分LVECL输出
LVTTL输入
正电源
地
负电源
无连接
裸露焊盘必须连接
到足够的热导管。
电连接到所述最
负电源或悬空
开。
V
EE
1
LVTTL
8
V
CC
D
2
图1. 8引脚引脚
( TOP VIEW )
和逻辑图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
不适用
不适用
& GT ; 4千伏
& GT ; 200 V
& GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数:28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
181设备
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2
MC100EPT24
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
正电源。
负电源
输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
条件2
V
EE
=
3.3V
V
CC
= 3.3V
V
I
v
V
CC
等级
3.8
3.8
0到V
CC
50
100
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
表4. LVTTL输入直流特性
V
CC
= 3.3 V, V
EE
=
3.6
V到
3.0
5V,GND = 0.0 V ,牛逼
A
=
40°C
至85℃
符号
I
IH
I
IHH
I
IL
V
IK
V
IH
V
IL
特征
输入高电流
输入大电流高电压
输入低电平电流
输入钳位电压
输入高电压
输入低电压
条件
V
IN
= 2.7 V
V
CC
= V
IN
= 3.8 V
V
IN
= 0.5 V
I
IN
=
18
mA
2.0
0.8
民
典型值
最大
20
100
0.6
1.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
表5. NECL输出直流特性
V
CC
= 3.3 V, V
EE
=
3.3
5V,GND = 0.0 V(注2 )
40°C
符号
V
OH
V
OL
I
CC
I
EE
特征
输出高电压(注3 )
输出低电压(注3 )
电源电流
负电源电流
20
民
-1145
-1945
典型值
1020
1820
2.0
30
最大
-895
-1695
4.0
38
20
民
-1145
-1945
25°C
典型值
1020
1820
2.0
30
最大
-895
-1695
4.0
38
20
民
-1145
-1945
85°C
典型值
1030
1820
2.0
30
最大
-895
-1695
4.0
38
单位
mV
mV
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输出电平将发生变化1: 1与GND连接。 V
EE
可以改变
±
0.3 V.
3.输出通过一个50终止
W
电阻到GND
2 V.
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3
MC100EPT24
表6. AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
=
3.0
V到
5.5
V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V (注4 )
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
抖动
t
r
t
f
特征
最大输入时钟频率(图 -
URE 2 )
传播延迟
输出差分(注5 )
RMS的随机时钟抖动(图2)
输出上升/下降时间
(20%
80%) @ 50兆赫
Q, Q
70
300
民
典型值
>1
500
0.2
125
800
<1
170
80
300
最大
民
25°C
典型值
>1
530
0.2
130
800
<1
180
100
300
最大
民
85°C
典型值
>1
560
0.2
150
800
<1
200
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.使用LVTTL电源, 50%占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到GND
2.0 V.
5.规范标准的TTL输入信号。
900
800
输出电压振幅(毫伏)
700
600
500
400
300
200
(抖动)
100
9
RMS的随机时钟抖动( PS )
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100
300
500
700
900
1100
1300
输入时钟频率(MHZ )
图2.输出电压幅值(V
OUTpp
) / RMS抖动
与输入时钟频率在环境温度
Q
司机
设备
Q
Z
o
= 50
W
D
接收器
设备
Z
o
= 50
W
50
W
50
W
D
V
TT
V
TT
= V
CC
2.0 V
图3.典型的终端的输出驱动器和设备评估
(参见应用笔记AND8020 / D
终止ECL逻辑器件)。
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4
MC100EPT24
订购信息
设备
MC100EPT24D
MC100EPT24DG
MC100EPT24DR2
MC100EPT24DR2G
MC100EPT24DT
MC100EPT24DTG
MC100EPT24DTR2
MC100EPT24DTR2G
MC100EPT24MNR4
MC100EPT24MNR4G
包
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
TSSOP8
TSSOP8
(无铅)
TSSOP8
TSSOP8
(无铅)
DFN8
DFN8
(无铅)
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
100单位/铁
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
应用笔记的资源引用
AN1405/D
AN1406/D
AN1503/D
AN1504/D
AN1568/D
AN1672/D
AND8001/D
AND8002/D
AND8020/D
AND8066/D
AND8090/D
ECL时钟分配技术
与PECL ( ECL在+ 5.0V)设计
ECLinPSt I / O SPICE建模工具
亚稳态和ECLinPS系列
接口之间LVDS和ECL
该ECL翻译指南
奇数计数器设计
标志和日期代码
终止ECL逻辑器件
与ECLinPS接口
ECL器件的交流特性
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5