NPN - MPS650 ， MPS651 ;
PNP - MPS750 ， MPS751
MPS651和MPS751是首选设备
放大器晶体管
特点
无铅包可用*
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MPS650 ; MPS750
MPS651 ; MPS751
集电极基极电压
MPS650 ; MPS750
MPS651 ; MPS751
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
CE
40
60
V
CB
60
80
V
EB
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
5.0
2.0
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
风格1
12
1
VDC
价值
单位
VDC
2
BASE
NPN
1
辐射源
集热器
3
2
BASE
PNP
1
辐射源
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
V
CE
V
CB
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
MPS
xxx
AYWW
G
G
XXX = 650 ， 750 ， 651 ，或751
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年4月 - 第3版
出版订单号：
MPS650/D
NPN - MPS650 ， MPS651 ; PNP - MPS750 ， MPS751
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0 )
发射-Base击穿电压
(I
C
= 0, I
E
= 10
MADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
(I
C
= 50 mA时， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 200 mA）的
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 100 mA时）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
基地发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 100 mA时）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
2. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
75
兆赫
h
FE
75
75
75
40
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
0.5
0.3
1.0
1.2
VDC
VDC
VDC
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
I
EBO
V
（ BR ） CEO
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V
（ BR ） CBO
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V
（ BR ） EBO
I
CBO
0.1
0.1
0.1
MADC
60
80
5.0
VDC
MADC
40
60
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
NPN
300
270
的hFE ， DC电流增益
240
210
180
150
120
90
60
30
0
10
20
50
100 200
500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
10 20
55
°C
25°C
T
J
= 125°C
PNP
V
CE
= 2.0 V
55
°C
50 100 200 500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
图1. MPS650 ， MPS651
典型的直流电流增益
图2. MPS750 ， MPS751
典型的直流电流增益
http://onsemi.com
2
NPN - MPS650 ， MPS651 ; PNP - MPS750 ， MPS751
2.0
1.8
1.6
V，电压（V ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
200
500
1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V，电压（V ）
1.4
NPN
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
PNP
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
200
500 1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
图3. MPS650 ， MPS651
在电压
图4. MPS750 ， MPS751
在电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
B
，基极电流（毫安）
50 100 200 500
I
C
= 10毫安我
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 2.0 A
T
J
= 25°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
NPN
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I
C
= -10毫安
PNP
T
J
= 25°C
I
C
= -500毫安
I
C
= -100毫安
I
C
= 2.0 A
0
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
B
，基极电流（毫安）
50 100 200 500
图5. MPS650 ， MPS651
集电极饱和区
NPN
图6. MPS750 ， MPS751
集电极饱和区
PNP
10
4.0
IC ，集电极电流
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
T
A
= 25°C
10
4.0
1.0毫秒
100
ms
2.0
1.0
0.5
T
C
= 25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
100
0.01
1.0
T
A
= 25°C
1.0毫秒
MPS75
0
MPS75
1
100
ms
MPS65
0
MPS65
1
T
C
= 25°C
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图7. MPS650 ， MPS651 SOA ，
安全工作区
图8. MPS750 ， MPS751 SOA ，
安全工作区
http://onsemi.com
3
NPN - MPS650 ， MPS651 ; PNP - MPS750 ， MPS751
订购信息
设备
MPS650
MPS650G
MPS650RLRAG
MPS650ZL1G
MPS651
MPS651G
MPS651RLRAG
MPS651RLRM
MPS651RLRMG
MPS750G
MPS750RLRAG
MPS750RLRP
MPS750RLRPG
MPS751
MPS751G
MPS751RLRA
MPS751RLRAG
MPS751RLRP
MPS751RLRPG
MPS751ZL1G
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
NPN - MPS650 ， MPS651 ; PNP - MPS750 ， MPS751
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
直引线
散装
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
2N6515/D
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MPS651
特点
开关和放大器应用
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
记号
代码： MPS651
051
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
工作结温
储存温度
等级
器件总功耗
等级
60
80
5.0
2
-55到+150
-55到+150
最大
625
单位
V
V
V
A
O
C
O
C
单位
mW
C
NPN封装
晶体管
TO-92
A
E
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
符号
P
D
B
热特性
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100uAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10uAdc ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80VDC ，我
E
=0)
基地截止电流
(V
EB
= 4Vdc电压，我
C
=0)
直流电流增益
(V
CE
= 2.0Vdc ，我
C
=50mAdc)
(V
CE
= 2.0Vdc ，我
C
=100mAdc)
(V
CE
= 2.0Vdc ，我
C
=1Adc)
(V
CE
= 2.0Vdc ，我
C
=2Adc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2Adc ，我
B
=200mAdc)
(I
C
= 1Adc ，我
B
=100mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 1Adc ，我
B
=100mA)
基射极电压上
(I
C
= 1Adc ，V
CE
=2.0Vdc)
跃迁频率
(I
C
= 50mAdc ，V
CE
=5Vdc,f=100MHz)
民
60
80
5.0
---
---
最大
---
---
---
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
E
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
D
75
75
75
40
0.5
0.3
1.2
1.0
75
VDC
VDC
VDC
VDC
兆赫
暗淡
A
B
C
D
E
G
G
B
C
尺寸
英寸
民
.170
.170
.550
.010
.130
.096
MM
最大
.190
.190
.590
.020
.160
.104
民
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
最大
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
记
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
www.mccsemi.com
修订版：A
1第3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-AP
型号-BP
填料
弹药包装：
2Kpcs/Ammo
箱
BULK ：
100Kpcs/Carton
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3 3
2011/01/01
3
小信号晶体管
TO- 92案例（续）
TO-92
型号
描述
LEAD VCBO VCEO
CODE
(V)
(V)
* VCES
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
民
35
35
50
50
50
50
70
70
120
160
60
45
30
25
40
40
250
300
350
250
300
350
80
80
80
70
40
60
80
60
80
25
25
25
25
25
25
40
50
40
30
30
民
25
25
40
40
40
40
60
60
100
140
60
45
30
25
40
40
250
300
350
250
300
350
60
60
60
60
35
40
60
40
60
25
25
25
25
25
25
25
30
20
30
30
VEBO ICBO @ VCB
（ nA的）
(V)
* ICES
(V)
* ICEV
最大
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
8.0
8.0
8.0
5.0
12
12
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
10
10
10
5.0
25
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
最大
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
2.0
2.0
2.0
100
50
50
50
50
50
50
50
50
100
100
100
10
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
25
25
25
25
25
25
25
25
100
120
60
45
30
25
30
30
150
200
250
150
200
250
60
60
60
25
10
60
80
60
80
18
18
18
18
18
25
20
20
20
20
20
的hFE
*的hFE
(1kHZ)
民
150
150
100
100
150
150
100
100
80
80
170
600
1,200
100
20,000
14,000
45
40
20
45
40
20
1,000
4,000
10,000
100
100
40
40
40
40
150
150
90
55
55
180
60
100
30
100
45
最大
500
500
200
200
300
300
200
200
500
500
700
1,400
2,000
500
200,000
140,000
220
200
100
220
200
100
--
--
--
300
400
--
--
--
--
300
500
500
500
800
540
300
300
600
400
660
@ VCE
(V)
@ IC
（MA ）
VCE （ SAT ） @ IC玉米棒
(V)
（MA ）
TO-92-18R
fT
NF
花花公子
（ pF）的（兆赫） （ dB）的
* CRB * TYP
最大最小
15
135
15
15
15
15
15
15
15
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
13
7.0
7.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
--
--
--
10
40
--
--
--
--
10
10
10
10
10
--
12
12
12
4.0
--
135
120
120
135
135
120
120
100
100
100
100
150
200*
150
130
40
40
40
40
40
40
--
--
--
105
--
75
75
75
75
--
--
--
--
--
--
100
100
100
--
--
MAX MAX
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
3.0
3.0
3.0
--
10
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
400
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2N5812
2N5813
2N5816
2N5817
2N5818
2N5819
2N5822
2N5823
2N5830
2N5831
2N5961
2N5962
2N5963
2N6076
2N6426
2N6427
2N6515
2N6516
2N6517
2N6518
2N6519
2N6520
BCX38A
BCX38B
BCX38C
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN高压
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
PNP低噪声
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN高压
NPN高压
NPN高压
PNP高压
PNP高压
PNP高压
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
10
10
10
10
10
10
5.0
5.0
5.0
1.0
0.15
2.0
2.0
2.0
2.0
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.0
2.0
2.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
10
10
10
10
10
10
500
500
50
50
50
50
50
50
500
500
500
10
12
2,000
2,000
2,000
2,000
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
50
50
0.10
1.0
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.25
0.25
0.20
0.20
0.20
0.25
1.50
1.50
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.25
1.25
1.25
0.50
0.15
0.50
0.50
0.50
0.50
--
--
--
--
--
0.30
0.25
0.60
1.0
1.0
1.0
500
500
500
500
500
500
500
500
50
50
10
10
10
10
500
500
50
50
50
50
50
50
800
800
800
500
12
2,000
2,000
2,000
2,000
--
--
--
--
--
50
50
100
100
10
10
GES6014
NPN幅度/ SWITCH
MPS404A
PNP CHOPPER
MPS650
MPS651
MPS750
MPS751
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
MPS3392
NPN幅度/ SWITCH
MPS3395
NPN幅度/ SWITCH
MPS3396
NPN幅度/ SWITCH
MPS3397
NPN幅度/ SWITCH
MPS3398
NPN幅度/ SWITCH
MPS3415
NPN低噪声
MPS3702
PNP幅度/ SWITCH
MPS3704
NPN幅度/ SWITCH
MPS3706
NPN幅度/ SWITCH
MPS3707
NPN低噪声
MPS3708
NPN低噪声
74
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
器件可形成领先优势，
有关详细信息，请参阅第216页通219 。
此外，在Ammopack或磁带&卷可用，
有关详细信息，请参阅第230页通235 。
TO- 92-18R
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MPS650 / D
放大器晶体管
集热器
3
2
BASE
NPN
1
辐射源
2
BASE
PNP
1
辐射源
集热器
3
NPN
MPS650
MPS651 *
PNP
MPS750
MPS751 *
电压和电流
阴性PNP晶体管
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCE
VCB
VEB
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
MPS650
MPS750
40
60
5.0
2.0
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
MPS651
MPS751
60
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IC = 0 ，IE = 10
μAdc ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（VEB = 4.0V时， IC = 0）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
IEBO
V（ BR ） CEO
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V（ BR ） CBO
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V（ BR ） EBO
ICBO
—
—
—
0.1
0.1
0.1
μAdc
60
80
5.0
—
—
—
VDC
μAdc
40
60
—
—
VDC
VDC
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
NPN MPS650 MPS651 PNP MPS750 MPS751
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 50 mA时， VCE = 2.0 V）
（ IC = 500 mA时， VCE = 2.0 V）
（ IC = 1.0 A， VCE = 2.0 V）
（ IC = 2.0 A ， VCE = 2.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 2.0 A ， IB = 200 mA）的
（ IC = 1.0 A， IB = 100 mA时）
基射极电压上（IC = 1.0 A， VCE = 2.0 V）
基地 - 发射极饱和电压（ IC = 1.0 A， IB = 100 mA时）
的hFE
75
75
75
40
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
VBE （ SAT ）
—
—
0.5
0.3
1.0
1.2
VDC
VDC
—
—
—
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
fT
75
—
兆赫
NPN
300
270
240
的hFE ， DC电流增益
210
180
150
120
90
60
30
0
10
20
50
100 200
500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
IC ，集电极电流（毫安）
– 55°C
25°C
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
VCE = 2.0 V
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
–10 – 20
– 55°C
25°C
TJ = 125°C
PNP
VCE = -2.0 V
– 50 –10 – 200 – 500 –1.0 A –2.0 A –4.0 A
0
IC ，集电极电流（毫安）
图1. MPS650 ， MPS651
典型的直流电流增益
NPN
2.0
1.8
1.6
V，电压（V ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
200
500
1.0 A
IC ，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
V，电压（V ）
–2.0
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–50
图2. MPS750 ， MPS751
典型的直流电流增益
PNP
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–10
–20
–50
–1.0 A
0 IC ，集电极电流（毫安）
0
0
–2.0 A
–4.0 A
图3. MPS650 ， MPS651
在电压
图4. MPS750 ， MPS751
在电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MPS650 MPS651 PNP MPS750 MPS751
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
NPN
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
IB ，基极电流（毫安）
50 100 200 500
IC = 10毫安IC = 100毫安IC = 500毫安
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
PNP
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
IC = -10毫安
IC = -100毫安
–50 –100 –200 –500
IC = -500毫安
IC = -2.0
TJ = 25°C
0
–0.0 –0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
5
IB ，基极电流（毫安）
图5. MPS650 ， MPS651
集电极饱和区
NPN
10
4.0
IC ，集电极电流
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
TA = 25°C
1.0毫秒
MPS65
0
MPS65
1
TC = 25°C
100
s
–10
–4.0
–2.0
–1.0
–0.5
–0.2
–0.1
–0.05
–0.02
100
–0.01
–1.0
图6. MPS750 ， MPS751
集电极饱和区
PNP
100
s
1.0毫秒
MPS75
0
MPS75
1
TC = 25°C
TA = 25°C
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–100
图7. MPS650 ， MPS651 SOA ，
安全工作区
图8. MPS750 ， MPS751 SOA ，
安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
NPN MPS650 MPS651 PNP MPS750 MPS751
包装尺寸
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
MPS650/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPS650/D*
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MPS650 / D
放大器晶体管
集热器
3
2
BASE
NPN
1
辐射源
2
BASE
PNP
1
辐射源
集热器
3
NPN
MPS650
MPS651 *
PNP
MPS750
MPS751 *
电压和电流
阴性PNP晶体管
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCE
VCB
VEB
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
MPS650
MPS750
40
60
5.0
2.0
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
MPS651
MPS751
60
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IC = 0 ，IE = 10
μAdc ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（VEB = 4.0V时， IC = 0）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
IEBO
V（ BR ） CEO
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V（ BR ） CBO
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V（ BR ） EBO
ICBO
—
—
—
0.1
0.1
0.1
μAdc
60
80
5.0
—
—
—
VDC
μAdc
40
60
—
—
VDC
VDC
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
NPN MPS650 MPS651 PNP MPS750 MPS751
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 50 mA时， VCE = 2.0 V）
（ IC = 500 mA时， VCE = 2.0 V）
（ IC = 1.0 A， VCE = 2.0 V）
（ IC = 2.0 A ， VCE = 2.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 2.0 A ， IB = 200 mA）的
（ IC = 1.0 A， IB = 100 mA时）
基射极电压上（IC = 1.0 A， VCE = 2.0 V）
基地 - 发射极饱和电压（ IC = 1.0 A， IB = 100 mA时）
的hFE
75
75
75
40
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
VBE （ SAT ）
—
—
0.5
0.3
1.0
1.2
VDC
VDC
—
—
—
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
fT
75
—
兆赫
NPN
300
270
240
的hFE ， DC电流增益
210
180
150
120
90
60
30
0
10
20
50
100 200
500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
IC ，集电极电流（毫安）
– 55°C
25°C
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
VCE = 2.0 V
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
–10 – 20
– 55°C
25°C
TJ = 125°C
PNP
VCE = -2.0 V
– 50 –10 – 200 – 500 –1.0 A –2.0 A –4.0 A
0
IC ，集电极电流（毫安）
图1. MPS650 ， MPS651
典型的直流电流增益
NPN
2.0
1.8
1.6
V，电压（V ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
200
500
1.0 A
IC ，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
V，电压（V ）
–2.0
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–50
图2. MPS750 ， MPS751
典型的直流电流增益
PNP
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–10
–20
–50
–1.0 A
0 IC ，集电极电流（毫安）
0
0
–2.0 A
–4.0 A
图3. MPS650 ， MPS651
在电压
图4. MPS750 ， MPS751
在电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MPS650 MPS651 PNP MPS750 MPS751
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
NPN
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
IB ，基极电流（毫安）
50 100 200 500
IC = 10毫安IC = 100毫安IC = 500毫安
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
PNP
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
IC = -10毫安
IC = -100毫安
–50 –100 –200 –500
IC = -500毫安
IC = -2.0
TJ = 25°C
0
–0.0 –0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
5
IB ，基极电流（毫安）
图5. MPS650 ， MPS651
集电极饱和区
NPN
10
4.0
IC ，集电极电流
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
TA = 25°C
1.0毫秒
MPS65
0
MPS65
1
TC = 25°C
100
s
–10
–4.0
–2.0
–1.0
–0.5
–0.2
–0.1
–0.05
–0.02
100
–0.01
–1.0
图6. MPS750 ， MPS751
集电极饱和区
PNP
100
s
1.0毫秒
MPS75
0
MPS75
1
TC = 25°C
TA = 25°C
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–100
图7. MPS650 ， MPS651 SOA ，
安全工作区
图8. MPS750 ， MPS751 SOA ，
安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
NPN MPS650 MPS651 PNP MPS750 MPS751
包装尺寸
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
MPS650/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPS650/D*
半导体
技术参数
电压调节器，继电器，
RAMP驱动器，工业用
B
MPS651
外延平面NPN晶体管
C
特点
高电流：I
C
(Max.)=1A.
高转换频率：F
T
=150MHz(Typ.).
安全运行的广域。
补充MPS751 。
K
D
G
N
E
A
高电压： V
首席执行官
=60V(Min.).
H
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DC
脉冲
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
80
60
5
1
2
625
150
-55
150
单位
L
F
F
1
2
3
V
V
V
A
mW
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出Capacitanc
注：H
FE
（ 1 ）分类
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
Y： 100 200 ， GR ： 160 320
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=50mA
V
CE
= 2V ，我
C
=1A
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
-
100
30
60
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.15
0.85
150
12
马克斯。
100
100
320
-
-
0.5
1.2
-
-
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
nA
1999. 11. 30
版本号： 2
1/3
MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0 )
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
C
= 0, I
E
= 10
MADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
(I
C
= 50 mA时， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 200 mA）的
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 100 mA时）
基射极电压上（我
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 1.0 A，I
B
= 100 mA时）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积（注2 ）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
2. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
75
兆赫
h
FE
75
75
75
40
0.5
0.3
1.0
1.2
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V
（ BR ） CEO
40
60
60
80
5.0
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
I
CBO
VDC
MADC
0.1
0.1
0.1
I
EBO
MADC
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
NPN
300
270
的hFE ， DC电流增益
240
210
180
150
120
90
60
30
0
10
20
50
100 200
500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
10 20
50 100 200 500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
55
°C
25°C
T
J
= 125°C
PNP
V
CE
= 2.0 V
55
°C
图1. MPS650 ， MPS651
典型的直流电流增益
2.0
1.8
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
200
500
1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
图2. MPS750 ， MPS751
典型的直流电流增益
PNP
NPN
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
200
500 1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
图3. MPS650 ， MPS651
在电压
图4. MPS750 ， MPS751
在电压
http://onsemi.com
3
MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
B
，基极电流（毫安）
50 100 200 500
I
C
= 10毫安我
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 2.0 A
T
J
= 25°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
NPN
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I
C
= -10毫安
PNP
T
J
= 25°C
I
C
= -500毫安
I
C
= -100毫安
I
C
= 2.0 A
0
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
B
，基极电流（毫安）
50 100200 500
图5. MPS650 ， MPS651
集电极饱和区
NPN
图6. MPS750 ， MPS751
集电极饱和区
PNP
10
4.0
IC ，集电极电流
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
T
A
= 25°C
10
4.0
1.0毫秒
100
ms
2.0
1.0
0.5
T
C
= 25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
100
0.01
1.0
T
A
= 25°C
1.0毫秒
MPS75
0
MPS75
1
100
ms
MPS65
0
MPS65
1
T
C
= 25°C
0.05
0.02
0.01
1.0
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图7. MPS650 ， MPS651 SOA ，
安全工作区
图8. MPS750 ， MPS751 SOA ，
安全工作区
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4
MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
订购信息
设备
MPS650
MPS650G
MPS650RLRA
MPS650RLRAG
MPS650ZL1
MPS650ZL1G
MPS651
MPS651G
MPS651RLRA
MPS651RLRAG
MPS651RLRBG
MPS651RLRM
MPS651RLRMG
MPS750
MPS750G
MPS750RLRA
MPS750RLRAG
MPS750RLRP
MPS750RLRPG
MPS751
MPS751G
MPS751RLRA
MPS751RLRAG
MPS751RLRP
MPS751RLRPG
MPS751ZL1
MPS751ZL1G
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
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ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
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QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
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MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
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可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
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