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ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
LAY -UP细节
4层
丝印层(TOP SIDE )
0.062
$
0.007
第1层(TOP SIDE )
罗杰斯4003在0.008
第2层(地面和VEE面P1 ) 1盎司
FR-4在0.020
第3层(地面和VCC平面P2 ) 1盎司
FR-4在0.025
第4层(底部)
图2.评估板糊
电路板布局
8引脚SOIC评估板被设计成
多才多艺,适应多种不同的配置。
的输入,输出和电源引脚的评价布局
板示于图3.评价板具有至少
11可能的配置选项。表1.清单
的设备和利用该印刷电路板相关的配置
板。组件和简单的原理图的列表位于
图4通过J1 14.将SMA连接器
通过J7 , 50
W
通过R7 R1上贴片电阻和芯片
通过电容C4根据配置C1
数字。 ( C1和C2是0.01
mF
和C3和C4是0.1
MF) 。
顶视图
底部视图
图3.评估板布局
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2
ECLSOIC8EVB
表1.配置列表
ECLinPS LiteE
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL04D/MC100EL04D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL07D/MC100EL07D
MC10EL11D/MC100EL11D
MC10EL12D/MC100EL12D
MC10EL16D/MC100EL16D*
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL32D/MC100EL32D
MC10EL33D/MC100EL33D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC10EL58D/MC100EL58D
MC10EL89D/MC100EL89D
MC10ELT20D/
MC100ELT20D
MC10ELT21D/
MC100ELT21D
MC10ELT22D/
MC100ELT22D
MC100ELT23D
MC10ELT26D/
MC100ELT26D
MC10ELT28D/
MC100ELT28D
评论
参见图4
参见图5
参见图4
参见图5
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
见图14
CON组fi guration
1
2
1
2
3
3
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
11
MC100EP16FD*
MC10EP16TD/
MC100EP16TD*
MC100EP16VAD*
MC100EP16VBD*
MC100EP16VCD*
MC100EP16VSD*
MC100EP16VTD*
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP32D/MC100EP32D
MC10EP33D/MC100EP33D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
MC10EP58D/MC100EP58D
MC100EP89D
MC10EPT20D/
MC100EPT20D
MC100EPT21D*
MC100EPT22D
低电压ECLinPSE
设备
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL11D
MC100LVEL12D
MC100LVEL16D*
MC100LVEL31D
MC100LVEL32D
MC100LVEL33D
MC100LVEL51D
MC100LVEL58D
MC100LVELT22D
MC100LVELT23D
评论
参见图4
参见图4
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图8
见图11
见图12
CON组fi guration
1
1
3
3
2
1
4
4
1
5
8
9
NB6L11D
NB6L16D
设备
ECLinPS MAXE
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100LVEP11D
MC100LVEP16D*
低电压ECLinPS加
设备
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100EPT23D*
MC100EPT26D*
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
参见图8
参见图5
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
2
2
2
2
5
2
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
设备
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP11D/MC100EP11D
MC10EP16D/
MC100EP16D*
ECLinPS PLUSE
评论
参见图4
参见图4
参见图4
参见图6
参见图5
CON组fi guration
1
1
1
3
2
*请参阅附录的补充或修改,以当前
配置。
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3
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
ECLSOIC8EVB
CON连接gurations
V
CC
GND
C4
0.1
mF
R1
50
W
J1
R2
50
W
J2
R3
50
W
J3
R4
50
W
J4
C1
0.01
mF
DUT
J5
C2
0.01
mF
J6
C3
0.1
mF
V
EE
GND
图4.配置1示意图
表4.配置1
销1
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL31D
MC100LVEL51D
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
是的
J1
R1
销2
J2
R2
3脚
J3
R3
引脚4
J4
R4
5脚
C2
C3
引脚6
J6
R6
7针
J7
R7
引脚8
C1
C4
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5
MC10EP58 , MC100EP58
3.3V / 5V ECL 2 : 1多路复用器
描述
在MC10 / 100EP58是一个2:1复用器。该器件的引脚,
功能等效EL58和LVEL58设备。
100系列包含温度补偿。
特点
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标记DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
8
HEP58
ALYW
G
8
KEP58
ALYW
G
310 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围: V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围: V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
Q输出将默认低,输入开路或在V
EE
无铅包可用
1
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HP58
ALYWG
G
8
KP58
ALYWG
G
1
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H
K
5U
3P
M
= MC10
= MC100
= MC10
= MC100
=日期代码
1
5U MG
G
4
1
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
启示录6
1
出版订单号:
MC10EP58/D
MG 3P
G
4
MC10EP58 , MC100EP58
表1.引脚说明
NC
1
8
V
CC
DA * ,分贝*
Da
2
1
MUX
Db
3
0
6
Q
7
Q
SEL *
Q, Q
V
CC
V
EE
NC
EP
SEL
4
5
V
EE
功能
ECL数据输入
ECL选择输入
ECL输出数据
正电源
负电源
无连接
裸露焊盘必须被连接到一
足够的热导管。电
连接到负电源
或离开浮开放。
图1. 8引脚引脚
( TOP VIEW )
和逻辑图
*当悬空引脚默认为低电平。
表2.真值表
SEL
H
L
数据
a
b
表3,属性
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
不适用
& GT ; 4千伏
& GT ; 200 V
& GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数:28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
41设备
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2
MC10EP58 , MC100EP58
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
表5. 10EP直流特性, PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V (注2)
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注3 )
输出低电压(注3 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
输入低电平电流
0.5
20
2165
1365
2090
1365
典型值
28
2290
1490
最大
37
2415
1615
2415
1690
150
0.5
20
2230
1430
2155
1460
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
39
2480
1680
2480
1755
150
0.5
22
2290
1490
2215
1490
85°C
典型值
31
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
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3
MC10EP58 , MC100EP58
表6. 10EP直流特性, PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V (注4 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注5 )
输出低电压(注5 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
输入低电平电流
0.5
20
3865
3065
3790
3065
典型值
28
3990
3190
最大
37
4115
3315
4115
3390
150
0.5
20
3930
3130
3855
3130
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
39
4180
3380
4180
3455
150
0.5
22
3990
3190
3915
3190
85°C
典型值
31
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
5.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
表7. 10EP直流特性, NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
=
5.5
V到
3.0
V(注6 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注7 )
输出低电压(注7 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
输入低电平电流
0.5
20
1135
1935
1210
1935
典型值
28
1010
1810
最大
37
885
1685
885
1610
150
0.5
20
1070
1870
1145
1870
25°C
典型值
30
945
1745
最大
39
820
1620
820
1545
150
0.5
22
1010
1810
1085
1810
85°C
典型值
31
885
1685
最大
40
760
1560
760
1485
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
6.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
.
7.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
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4
MC10EP58 , MC100EP58
表8. 100EP直流特性, PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V (注8 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注9 )
输出低电压(注9 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
输入低电平电流
0.5
20
2155
1355
2075
1355
典型值
28
2280
1480
最大
37
2405
1605
2420
1675
150
0.5
20
2155
1355
2075
1355
25°C
典型值
31
2280
1480
最大
39
2405
1605
2420
1675
150
0.5
25
2155
1355
2075
1355
85°C
典型值
33
2280
1480
最大
42
2405
1605
2420
1675
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
表9. 100EP直流特性, PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V (注10 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注11 )
输出低电压(注11 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
输入低电平电流
0.5
20
3855
3055
3775
3055
典型值
28
3980
3180
最大
37
4105
3305
4120
3375
150
0.5
20
3855
3055
3775
3055
25°C
典型值
31
3980
3180
最大
39
4105
3305
4120
3375
150
0.5
25
3855
3055
3775
3055
85°C
典型值
33
3980
3180
最大
42
4105
3305
4120
3375
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
10.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
11.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
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5
MC10EP58 , MC100EP58
3.3V / 5V ECL 2 : 1多路复用器
在MC10 / 100EP58是一个2:1复用器。该器件的引脚,
功能等效EL58和LVEL58设备。
100系列包含温度补偿。
310 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围: VCC = 3.0 V至5.5 V
与VEE = 0V
NECL模式经营范围: VCC = 0 V
与VEE = -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
HEP58
ALYW
1
1
8
KEP58
ALYW
8
Q输出将默认低,输入开路或在VEE
8
1
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
8
HP58
ALYW
1
8
KP58
ALYW
1
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
订购信息
设备
MC10EP58D
MC10EP58DR2
MC100EP58D
MC100EP58DR2
MC10EP58DT
MC10EP58DTR2
MC100EP58DT
MC100EP58DTR2
SO–8
SO–8
SO–8
SO–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
TSSOP - 8 2500磁带&卷轴
TSSOP–8
100单位/铁
TSSOP - 8 2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年6月 - 第4版
出版订单号:
MC10EP58/D
MC10EP58 , MC100EP58
引脚说明
NC
1
8
VCC
DA * ,分贝*
SEL *
Da
2
1
MUX
Db
3
0
6
Q
7
Q
Q, Q
VCC
VEE
NC
ECL输出数据
正电源
负电源
无连接
功能
ECL数据输入
ECL选择输入
*当悬空引脚默认为低电平。
SEL
4
5
VEE
SEL
真值表
数据
a
b
图1. 8引脚引脚
( TOP VIEW )
和逻辑图
H
L
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
& GT ; 4千伏
& GT ; 200 V
& GT ; 2千伏
LEVEL 1
UL - 94码V- 0 1/8“
28至34
41设备
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
可燃性等级
氧指数
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
最大额定值
(注2 )
符号
VCC
VEE
VI
IOUT
伊布
TA
TSTG
θ
JA
θ
JC
θ
JA
θ
JC
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
VBB吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
VEE = 0V
VCC = 0 V
VEE = 0V
VCC = 0 V
连续
浪涌
VI

VCC
VI

VEE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
TSOL
波峰焊
与2至3秒@ 248 ℃下
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
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2
MC10EP58 , MC100EP58
10EP直流特性, PECL
VCC = 3.3 V , VEE = 0V (注3 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注4 )
输出低电压(注4 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
2165
1365
2090
1365
典型值
28
2290
1490
最大
37
2415
1615
2415
1690
150
20
2230
1430
2155
1460
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
39
2480
1680
2480
1755
150
22
2290
1490
2215
1490
85°C
典型值
31
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 : 1与VCC 。 VEE可以改变+0.3 V至-2.2 V.
4.具有50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
10EP直流特性, PECL
VCC = 5.0 V , VEE = 0V (注5 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注6 )
输出低电压(注6 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
3865
3065
3790
3065
典型值
28
3990
3190
最大
37
4115
3315
4115
3390
150
20
3930
3130
3855
3130
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
39
4180
3380
4180
3455
150
22
3990
3190
3915
3190
85°C
典型值
31
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
5.输入和输出参数的变化1: 1与VCC连接。 VEE可以改变+2.0 V至-0.5 V.
6.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
10EP直流特性, NECL
VCC = 0 V , VEE = -5.5 V至-3.0 V(注7 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注8 )
输出低电压(注8 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
–1135
–1935
–1210
–1935
典型值
28
–1010
–1810
最大
37
–885
–1685
–885
–1610
150
20
–1070
–1870
–1145
–1870
25°C
典型值
30
–945
–1745
最大
39
–820
–1620
–820
–1545
150
22
–1010
–1810
–1085
–1810
85°C
典型值
31
–885
–1685
最大
40
–760
–1560
–760
–1485
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
7.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。
8.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
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3
MC10EP58 , MC100EP58
100EP直流特性, PECL
VCC = 3.3 V , VEE = 0V (注9 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注10)。
输出低电压(注10 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
2155
1355
2075
1355
典型值
28
2280
1480
最大
37
2405
1605
2420
1675
150
20
2155
1355
2075
1355
25°C
典型值
31
2280
1480
最大
39
2405
1605
2420
1675
150
25
2155
1355
2075
1355
85°C
典型值
33
2280
1480
最大
42
2405
1605
2420
1675
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。 VEE可以改变+0.3 V至-2.2 V.
10.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
100EP直流特性, PECL
VCC = 5.0 V , VEE = 0V (注11 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注12 )
输出低电压(注12 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
3855
3055
3775
3055
典型值
28
3980
3180
最大
37
4105
3305
4120
3375
150
20
3855
3055
3775
3055
25°C
典型值
31
3980
3180
最大
39
4105
3305
4120
3375
150
25
3855
3055
3775
3055
85°C
典型值
33
3980
3180
最大
42
4105
3305
4120
3375
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
11.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。 VEE可以改变+2.0 V至-0.5 V.
12.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
100EP直流特性, NECL
VCC = 0 V , VEE = -5.5 V至-3.0 V(注13 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注14 )
输出低电压(注14 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
–1145
–1945
–1225
–1945
典型值
28
–1020
–1820
最大
37
–895
–1695
–880
–1625
150
20
–1145
–1945
–1225
–1945
25°C
典型值
31
–1020
–1820
最大
39
–895
–1695
–880
–1625
150
25
–1145
–1945
–1225
–1945
85°C
典型值
33
–1020
–1820
最大
42
–895
–1695
–880
–1625
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
13.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。
14.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
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4
MC10EP58 , MC100EP58
AC特性
VCC = 0 V ; VEE = -3.0 V至-5.5 V或VCC = 3.0 V至5.5 V ; VEE = 0V (注15 )
–40°C
符号
FMAX
tPLH的,
的TPH1
tjitter
VPP
特征
最大频率
(参见图2的Fmax /抖动)
传播延迟
差分输出
D到Q ,Q
SEL为Q,Q
200
典型值
>3
最大
25°C
典型值
>3
最大
85°C
典型值
>3
最大
单位
GHz的
ps
280
0.2
150
800
380
<2
1200
150
210
310
0.2
800
410
<2
1200
150
220
340
0.2
800
150
420
<2
1200
200
ps
mV
ps
周期到周期抖动
(参见图2的Fmax /抖动)
输入电压摆幅(差分)
tr
输出上升/下降时间
Q, Q
70
120
170
80
130
180
100
tf
(20% – 80%)
15.使用一个750毫伏源, 50%占空比的时钟源进行测定。所有装载有50欧姆到V CC- 2.0 V.
1000
900
800
VOUTpp (毫伏)
700
600
500
400
300
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
5000
6000
JITTERout PS ( RMS)
100
0
0
1000
2000
3000
5
200
(抖动)
4000
频率(MHz)
图2.最大频率/抖动
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MC10EP58 , MC100EP58
3.3V / 5V ECL 2 : 1多路复用器
在MC10 / 100EP58是一个2:1复用器。该器件的引脚,
功能等效EL58和LVEL58设备。
100系列包含温度补偿。
310 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围: VCC = 3.0 V至5.5 V
与VEE = 0V
NECL模式经营范围: VCC = 0 V
与VEE = -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
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标记DIAGRAMS *
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
HEP58
ALYW
1
1
8
KEP58
ALYW
8
Q输出将默认低,输入开路或在VEE
8
1
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
8
HP58
ALYW
1
8
KP58
ALYW
1
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
订购信息
设备
MC10EP58D
MC10EP58DR2
MC100EP58D
MC100EP58DR2
MC10EP58DT
MC10EP58DTR2
MC100EP58DT
MC100EP58DTR2
SO–8
SO–8
SO–8
SO–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
TSSOP - 8 2500磁带&卷轴
TSSOP–8
100单位/铁
TSSOP - 8 2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年6月 - 第4版
出版订单号:
MC10EP58/D
MC10EP58 , MC100EP58
引脚说明
NC
1
8
VCC
DA * ,分贝*
SEL *
Da
2
1
MUX
Db
3
0
6
Q
7
Q
Q, Q
VCC
VEE
NC
ECL输出数据
正电源
负电源
无连接
功能
ECL数据输入
ECL选择输入
*当悬空引脚默认为低电平。
SEL
4
5
VEE
SEL
真值表
数据
a
b
图1. 8引脚引脚
( TOP VIEW )
和逻辑图
H
L
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
& GT ; 4千伏
& GT ; 200 V
& GT ; 2千伏
LEVEL 1
UL - 94码V- 0 1/8“
28至34
41设备
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
可燃性等级
氧指数
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
最大额定值
(注2 )
符号
VCC
VEE
VI
IOUT
伊布
TA
TSTG
θ
JA
θ
JC
θ
JA
θ
JC
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
VBB吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
VEE = 0V
VCC = 0 V
VEE = 0V
VCC = 0 V
连续
浪涌
VI

VCC
VI

VEE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
TSOL
波峰焊
与2至3秒@ 248 ℃下
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
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2
MC10EP58 , MC100EP58
10EP直流特性, PECL
VCC = 3.3 V , VEE = 0V (注3 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注4 )
输出低电压(注4 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
2165
1365
2090
1365
典型值
28
2290
1490
最大
37
2415
1615
2415
1690
150
20
2230
1430
2155
1460
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
39
2480
1680
2480
1755
150
22
2290
1490
2215
1490
85°C
典型值
31
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 : 1与VCC 。 VEE可以改变+0.3 V至-2.2 V.
4.具有50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
10EP直流特性, PECL
VCC = 5.0 V , VEE = 0V (注5 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注6 )
输出低电压(注6 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
3865
3065
3790
3065
典型值
28
3990
3190
最大
37
4115
3315
4115
3390
150
20
3930
3130
3855
3130
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
39
4180
3380
4180
3455
150
22
3990
3190
3915
3190
85°C
典型值
31
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
5.输入和输出参数的变化1: 1与VCC连接。 VEE可以改变+2.0 V至-0.5 V.
6.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
10EP直流特性, NECL
VCC = 0 V , VEE = -5.5 V至-3.0 V(注7 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注8 )
输出低电压(注8 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
–1135
–1935
–1210
–1935
典型值
28
–1010
–1810
最大
37
–885
–1685
–885
–1610
150
20
–1070
–1870
–1145
–1870
25°C
典型值
30
–945
–1745
最大
39
–820
–1620
–820
–1545
150
22
–1010
–1810
–1085
–1810
85°C
典型值
31
–885
–1685
最大
40
–760
–1560
–760
–1485
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
7.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。
8.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
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3
MC10EP58 , MC100EP58
100EP直流特性, PECL
VCC = 3.3 V , VEE = 0V (注9 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注10)。
输出低电压(注10 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
2155
1355
2075
1355
典型值
28
2280
1480
最大
37
2405
1605
2420
1675
150
20
2155
1355
2075
1355
25°C
典型值
31
2280
1480
最大
39
2405
1605
2420
1675
150
25
2155
1355
2075
1355
85°C
典型值
33
2280
1480
最大
42
2405
1605
2420
1675
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。 VEE可以改变+0.3 V至-2.2 V.
10.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
100EP直流特性, PECL
VCC = 5.0 V , VEE = 0V (注11 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注12 )
输出低电压(注12 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
3855
3055
3775
3055
典型值
28
3980
3180
最大
37
4105
3305
4120
3375
150
20
3855
3055
3775
3055
25°C
典型值
31
3980
3180
最大
39
4105
3305
4120
3375
150
25
3855
3055
3775
3055
85°C
典型值
33
3980
3180
最大
42
4105
3305
4120
3375
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
11.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。 VEE可以改变+2.0 V至-0.5 V.
12.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
100EP直流特性, NECL
VCC = 0 V , VEE = -5.5 V至-3.0 V(注13 )
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
IIH
特征
电源电流
输出高电压(注14 )
输出低电压(注14 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电流
20
–1145
–1945
–1225
–1945
典型值
28
–1020
–1820
最大
37
–895
–1695
–880
–1625
150
20
–1145
–1945
–1225
–1945
25°C
典型值
31
–1020
–1820
最大
39
–895
–1695
–880
–1625
150
25
–1145
–1945
–1225
–1945
85°C
典型值
33
–1020
–1820
最大
42
–895
–1695
–880
–1625
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
IIL
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
13.输入和输出参数发生变化的1:1的VCC 。
14.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
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4
MC10EP58 , MC100EP58
AC特性
VCC = 0 V ; VEE = -3.0 V至-5.5 V或VCC = 3.0 V至5.5 V ; VEE = 0V (注15 )
–40°C
符号
FMAX
tPLH的,
的TPH1
tjitter
VPP
特征
最大频率
(参见图2的Fmax /抖动)
传播延迟
差分输出
D到Q ,Q
SEL为Q,Q
200
典型值
>3
最大
25°C
典型值
>3
最大
85°C
典型值
>3
最大
单位
GHz的
ps
280
0.2
150
800
380
<2
1200
150
210
310
0.2
800
410
<2
1200
150
220
340
0.2
800
150
420
<2
1200
200
ps
mV
ps
周期到周期抖动
(参见图2的Fmax /抖动)
输入电压摆幅(差分)
tr
输出上升/下降时间
Q, Q
70
120
170
80
130
180
100
tf
(20% – 80%)
15.使用一个750毫伏源, 50%占空比的时钟源进行测定。所有装载有50欧姆到V CC- 2.0 V.
1000
900
800
VOUTpp (毫伏)
700
600
500
400
300
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
5000
6000
JITTERout PS ( RMS)
100
0
0
1000
2000
3000
5
200
(抖动)
4000
频率(MHz)
图2.最大频率/抖动
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