MC100EP16VC
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器，具有高
增益和输出使能
该EP16VC是一个差分接收器/驱动器。该装置是
功能等效EP16和LVEP16器件，但具有较高的
增益和输出使能。
该EP16VC提供一个EN输入，它与同步
数据输入（D）中的方式信号，它提供的无毛刺选通
QHG和QHG输出。
当EN信号为低电平时，输入端传递到输出端，并
的数据输出等于输入的数据。当数据输入是高电平，
EN为高电平时，它会迫使Q
HG
低和Q
HG
上高
输入的数据的下一个负向翻转。如果输入的数据为低
当EN变为高电平，在下一个数据转换到高电平，则忽略
和Q
HG
仍然很低， Q
HG
仍然很高。下一个正
数据输入的过渡下不传递到数据输出端
这些条件。在Q
HG
和Q
HG
输出保持在其禁用
国家只要EN输入保持高电平。 EN输入没有
在Q输出和输入数据的影响（倒）来传递
是否EN这个输出是高还是低。这种构造是理想的
用于晶体振荡器的应用，其中该振荡器可以是自由
无需增加额外的运行和选通和关断同步地
计数到输出端。
在V
BB
/ D引脚在内部专用，并提供差异
互连。 V
BB
/ D可以rebias AC耦合输入。当使用时，
脱钩V
BB
/ D和V
CC
通过0.01
mF
电容和限流
采购或下沉到1.5毫安。当不使用时，V
BB
/ D应留
开。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
KEP66
ALYW
1
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
KP66
ALYW
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
310 ps的典型传播延迟Q， 380 ps的典型传播延迟QHG ， QHG
获得> 200
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
订购信息
设备
MC100EP16VCD
MC100EP16VCDR2
MC100EP16VCDT
包
SO8
SO8
TSSOP8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
Q
HG
输出将默认的低配D输入开路或在V
EE
V
BB
产量
MC100EP16VCDTR2 TSSOP - 8 2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
九月， 2003-第2版
出版订单号：
MC100EP16VC/D
MC100EP16VC
Q
1
8
V
CC
引脚说明
针
功能
ECL数据输入
ECL数据输出
ECL高增益输出数据
ECL使能输入
参考电压输出/ ECL数据输入
正电源
负电源
D
2
7
Q
HG
D*
Q
Q
HG
, Q
HG
V
BB
/D
3
OE
6
Q
HG
EN *
V
BB
/D
V
CC
LEN
V
BB
EN
4
Q
LATCH
D
5
V
EE
V
EE
*当悬空引脚默认为低电平。
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
167设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
1.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
http://onsemi.com
2
MC100EP16VC
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
D
0.5
民
25
2105
1305
2075
1355
1725
2.0
1825
40°C
典型值
36
2230
1430
最大
45
2355
1555
2420
1675
1925
3.3
150
0.5
民
30
2105
1305
2075
1355
1700
2.0
1800
25°C
典型值
40
2230
1430
最大
50
2355
1555
2420
1675
1900
3.3
150
0.5
民
32
2105
1305
2075
1355
1675
2.0
1775
85°C
典型值
42
2230
1430
最大
52
2355
1555
2420
1675
1875
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
0.5
民
25
3805
3005
3775
3055
3425
2.0
3525
40°C
典型值
36
3930
3130
最大
45
4055
3255
4120
3375
3625
5.0
150
0.5
民
30
3805
3005
3775
3055
3400
2.0
3500
25°C
典型值
40
3930
3130
最大
50
4055
3255
4120
3375
3600
5.0
150
0.5
民
32
3805
3005
3775
3055
3375
2.0
3475
85°C
典型值
42
3930
3130
最大
52
4055
3255
4120
3375
3575
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
0.5
民
25
1195
1995
1225
1945
1575
1475
V
EE
+2.0
40°C
典型值
36
1070
1870
最大
45
945
1745
880
1625
1375
0.0
150
0.50
民
30
1195
1995
1225
1945
1600
1500
V
EE
+2.0
25°C
典型值
40
1070
1870
最大
50
945
1745
880
1625
1400
0.0
150
0.5
民
32
1195
1995
1225
1945
1625
1525
V
EE
+2.0
85°C
典型值
42
1070
1870
最大
52
945
1745
880
1625
1425
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC100EP16VC
AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
= -3.0 V至-5.5 V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
特征
最大频率
（参见图2 F
最大
/抖动）
传播延迟
（差分） Q
（差分） QHG ， QHG
（单端） Q
（单端） QHG ， QHG
建立时间
保持时间
占空比歪斜（注13 ）
RMS的随机时钟抖动
（参见图2 F
最大
/抖动）
输入电压摆幅
（差分配置）
输出上升/下降时间
(20% 80%)
HG
Q
Q
QHG ， QHG
25
150
200
70
EN = L到D
EN = H到D
EN = L到D
EN = H到D
200
250
250
300
50
100
100
50
民
典型值
>3
280
360
330
410
15
60
50
15
5.0
0.2
800
800
300
130
20
<1
1200
1200
400
220
25
150
250
80
350
450
400
500
250
300
300
350
50
100
100
50
最大
民
25°C
典型值
>3
310
380
360
430
5
40
40
20
5.0
0.2
800
800
350
150
20
<1
1200
1200
450
240
25
150
250
100
400
500
450
550
275
325
325
375
50
100
100
50
最大
民
85°C
典型值
>3
340
430
390
480
18
10
5
20
5.0
0.2
800
800
350
170
20
<1
1200
1200
500
270
425
525
475
575
最大
单位
GHz的
ps
t
S
t
H
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
ps
ps
ps
ps
mV
ps
12.使用一个750毫伏源， 50％占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
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4
MC100EP16VC
3.3V / 5V ECL差分
接收器/驱动器，具有高
增益和输出使能
描述
该EP16VC是一个差分接收器/驱动器。该装置是
功能等效EP16和LVEP16器件，但具有较高的
增益和输出使能。
该EP16VC提供一个EN输入，它与同步
数据输入（D）中的方式信号，它提供的无毛刺选通
QHG和QHG输出。
当EN信号为低电平时，输入端传递到输出端，并
的数据输出等于输入的数据。当数据输入是高电平，
EN为高电平时，它会迫使Q
HG
低和Q
HG
上高
输入的数据的下一个负向翻转。如果输入的数据为低
当EN变为高电平，在下一个数据转换到高电平，则忽略
和Q
HG
仍然很低， Q
HG
仍然很高。下一个正
数据输入的过渡下不传递到数据输出端
这些条件。在Q
HG
和Q
HG
输出保持在其禁用
国家只要EN输入保持高电平。 EN输入没有
在Q输出和输入数据的影响（倒）来传递
是否EN这个输出是高还是低。这种构造是理想的
用于晶体振荡器的应用，其中该振荡器可以是自由
无需增加额外的运行和选通和关断同步地
计数到输出端。
在V
BB
/ D引脚在内部专用，并提供差异
互连。 V
BB
/ D可以rebias AC耦合输入。当使用时，
脱钩V
BB
/ D和V
CC
通过0.01
mF
电容和限流
采购或下沉到1.5毫安。当不使用时，V
BB
/ D应留
开。
100系列包含温度补偿。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
KEP66
ALYW
G
1
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
1
KP66
ALYWG
G
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
1
A
L
Y
W
M
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
310 ps的典型传播延迟Q，
380 ps的典型传播延迟QHG ， QHG
获得> 200
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
Q
HG
输出将默认的低配D输入开路或在V
EE
V
BB
产量
无铅包可用
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年12月，
启5
1
出版订单号：
MC10EP16VC/D
3G MG
G
4
MC100EP16VC
表1.引脚说明
Q
1
8
V
CC
D*
Q
D
2
7
Q
HG
Q
HG
, Q
HG
EN *
V
BB
/D
V
BB
/D
3
LEN
V
BB
EN
4
Q
OE
6
Q
HG
V
CC
V
EE
EP
5
V
EE
针
ECL数据输入
ECL数据输出
ECL高增益输出数据
ECL使能输入
参考电压输出/ ECL数据输入
正电源
负电源
裸露焊盘必须被连接到一个足够
热导管。电连接到所述最
负电源或离开浮开放。
功能
LATCH
D
*当悬空引脚默认为低电平。
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
逻辑
图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
167设备
http://onsemi.com
2
MC100EP16VC
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
1.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表4. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模范围
（差分配置） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
0.5
民
25
2125
1305
2075
1355
1730
2.0
1845
典型值
36
2250
1400
最大
45
2375
1555
2420
1675
1960
3.3
150
0.5
民
30
2125
1305
2075
1355
1730
2.0
1845
25°C
典型值
40
2250
1400
最大
50
2375
1555
2420
1675
1960
3.3
150
0.5
民
32
2125
1305
2075
1355
1730
2.0
1845
85°C
典型值
42
2250
1400
最大
52
2375
1555
2420
1675
1960
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC100EP16VC
表5. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模范围
（差分配置） （注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
0.5
民
25
3825
3005
3775
3055
3430
2.0
3545
典型值
36
3950
3100
最大
45
4075
3255
4120
3375
3660
5.0
150
0.5
民
30
3825
3005
3775
3055
3430
2.0
3545
25°C
典型值
40
3950
3100
最大
50
4075
3255
4120
3375
3660
5.0
150
0.5
民
32
3825
3005
3775
3055
3430
2.0
3545
85°C
典型值
42
3950
3100
最大
52
4075
3255
4120
3375
3660
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表6. 100EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注8）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
25
1175
1995
1225
1945
1570
1455
V
EE
+ 2.0
典型值
36
1050
1900
最大
45
925
1745
880
1625
1340
0.0
民
30
1175
1995
1225
1945
1570
1455
V
EE
+ 2.0
25°C
典型值
40
1050
1900
最大
50
925
1745
880
1625
1340
0.0
民
32
1175
1995
1225
1945
1570
1455
V
EE
+ 2.0
85°C
典型值
42
1050
1900
最大
52
925
1745
880
1625
1340
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC100EP16VC
表7. AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
=
3.0
V到
5.5
V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
特征
最大频率（图2）
传播延迟
（差分） Q
（差分） QHG ， QHG
（单端） Q
（单端） QHG ， QHG
建立时间
保持时间
占空比歪斜（注12 ）
RMS的随机时钟抖动（图2）
输入电压摆幅
（差分配置）
输出上升/下降时间
(20%
80%)
HG
Q
Q
QHG ， QHG
25
150
200
70
EN = L到D
EN = H到D
EN = L到D
EN = H到D
200
250
250
300
50
100
100
50
民
典型值
>3
280
360
330
410
15
60
50
15
5.0
0.2
800
800
300
130
20
<1
1200
1200
400
220
25
150
250
80
350
450
400
500
250
300
300
350
50
100
100
50
最大
民
25°C
典型值
>3
310
380
360
430
5
40
40
20
5.0
0.2
800
800
350
150
20
<1
1200
1200
450
240
25
150
250
100
400
500
450
550
275
325
325
375
50
100
100
50
最大
民
85°C
典型值
>3
340
430
390
480
18
10
5
20
5.0
0.2
800
800
350
170
20
<1
1200
1200
500
270
425
525
475
575
最大
单位
GHz的
ps
t
S
t
H
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
ps
ps
ps
ps
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.使用一个750毫伏源， 50％占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
12.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
900
800
V
OUTpp
（毫伏）
700
600
500
400
300
200
100
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
抖动
OUT
PS （ RMS）
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
图2 F
最大
/抖动QHG ， QHG输出
http://onsemi.com
5
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