数据表
高效率功率肖特基整流器
概述
高效率的双肖特基整流器适用于
开关电源和其它电源变流
ERS 。本装置适用于中压用
操作，并且特别地，在高频电路
其中，低开关损耗和低噪声是必需的。
MBR2045C可在TO- 220-3和TO - 220F - 3
包。
MBR2045C
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
T
J
V
F
（最大）
2*10A
45V
150
o
C
0.57V
特点
·
·
·
·
·
·
·
低正向电压： 0.57V @ 125
o
C
低功耗/高效率
150
o
C
工作结温
20 A总（ 10A每个二极管腿）
保护环应力保护
高浪涌能力
无铅封装
机械特性
·
·
·
·
·
·
案例：环氧树脂，模压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
重量（大约）：
1.9克（TO- 220-3 ，TO- 220F -3）的
表面处理：所有外部表面耐腐蚀
和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260
o
Maximumfor 10秒
应用
·
·
·
电源输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220-3
TO-220F-3
MBR2045C图1.包装类型
2008年7月修订版1.1
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高效率功率肖特基整流器
引脚配置
T / TFPackage
(TO-220-3/TO-220F-3)
MBR2045C
3
2
1
A2
K
A1
A2
K
A1
（前视图）
图MBR2045C 2.引脚配置
MBR2045C图3.内部结构
订购信息
MBR2045C
电路类型
包
T： TO- 220-3
TF ： TO- 220F - 3
-
E1 ：无铅
空白：管
包
TO-220-3
TO-220F-3
产品型号
MBR2045CT-E1
MBR2045CTF-E1
标记ID
MBR2045CT-E1
MBR2045CTF-E1
包装类型
管
管
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2008年7月修订版1.1
2
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数据表
高效率功率肖特基整流器
绝对最大额定值（每个二极管腿） （注1 ）
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
=139
o
C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
45
单位
V
MBR2045C
10
20
150
1.0
150
-65到150
10000
>400
>8000
A
A
A
A
o
C
o
C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫）T
C
=137
o
C
非重复峰值浪涌电流（浪涌应用在额定
负载条件下的半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（在2.0μs ， 1.0kHz ）
工作结温（注2 ）
存储温度范围
变化的电压率（额定V
R
)
ESD （机器型号= C ）
ESD（人体模型= 3B）
V / μs的
V
V
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 ：产生必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
θ
JA
.
热特性
参数
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
条件
结到外壳
结到环境
TO-220-3
TO-220F-3
TO-220-3
价值
2.2
4.5
60
o
C / W
单位
最大热阻
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3
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高效率功率肖特基整流器
电气特性（每个二极管腿）
参数
条件
I
F
= 10 A，T
C
=25
o
C
最大正向我
F
= 10 A，T
C
=125
o
C
电压降（注3 ）
I
F
= 20 A，T
C
=25
o
C
I
F
= 20 A，T
C
=125
o
C
最大瞬时反转
电流（注3）
额定直流电压，T
C
=125
o
C
额定直流电压，
T
C
=25
o
C
I
R
0.01
0.1
V
F
符号
典型值
0.59
0.50
0.71
0.67
5
最大
0.65
0.57
0.84
0.72
15
mA
V
单位
MBR2045C
注3 ：脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比Cycle≤2.0 ％ 。
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4
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数据表
高效率功率肖特基整流器
概述
高效率的双肖特基整流器适用于
开关电源和其它电源变流
ERS 。本装置适用于中压用
操作，并且特别地，在高频电路
其中，低开关损耗和低噪声是必需的。
MBR2045C可在TO- 220-3 ， TO- 220-3 （ 2 ）
和TO- 220F -3包。
MBR2045C
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
T
J
V
F
（最大）
2×10A
45V
150
o
C
0.57V
特点
·
·
·
·
·
·
·
低正向电压： 0.57V @ 125
o
C
低功耗/高效率
150
o
C的工作结温
20A合计（ 10A每个二极管腿）
保护环应力保护
高浪涌能力
无铅封装
机械特性
·
·
·
案例：环氧树脂，模压
环氧符合UL 94V- 0 @ 0.125英寸
重量（大约）：
1.9Grams （TO- 220-3 ，TO- 220-3 （2）和
TO-220F-3)
表面处理：所有外部表面耐腐蚀
和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260
o
C最大10秒
·
·
·
应用
·
·
·
电源输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220F-3
TO- 220-3 （可选）
TO- 220-3 （2）
MBR2045C图1.包装类型
2011年3月修订版1.5
1
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数据表
高效率功率肖特基整流器
订购信息
MBR2045C
MBR2045C
电路类型
包
T： TO- 220-3 （ 2 ）
TO- 220-3 （可选）
TF ： TO- 220F - 3
-
E1 ：无铅
G1 ：绿
空白：管
包
产品型号
无铅
标记ID
无铅
MBR2045CT-E1
绿色
MBR2045CT-G1
绿色
MBR2045CT-G1
包装类型
管
管
TO- 220-3 （2） MBR2045CT -E1
TO-220F-3
MBR2045CTF -E1 MBR2045CTF -G1
MBR2045CTF -E1 MBR2045CTF -G1
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。与产品
"G1"后缀是绿色封装。
2011年3月修订版1.5
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数据表
高效率功率肖特基整流器
绝对最大额定值（每个二极管腿） （注1 ）
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
) T
C
=139
o
C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20kHz的）T
C
=137
o
C
非重复峰值浪涌电流（浪涌应用在额定
负载条件下半波，单相，60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（在2.0μs ， 1.0kHz ）
工作结温（注2 ）
存储温度范围
变化的电压率（额定V
R
)
ESD （机器型号= C ）
ESD（人体模型= 3B）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
45
单位
V
MBR2045C
10
20
150
1.0
150
-65到150
10000
>400
>8000
A
A
A
A
o
C
o
C
V / μs的
V
V
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 ：产生必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / θ
JA
.
热特性
参数
符号
θ
JC
最大热阻
θ
JA
结到环境
条件
结到外壳
TO-220-3/
TO- 220-3 （2）
TO-220F-3
TO-220-3/
TO- 220-3 （2）
价值
2.2
4.5
60
o
单位
C / W
2011年3月修订版1.5
4
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数据表
高效率功率肖特基整流器
电气特性（每个二极管腿）
参数
条件
I
F
= 10A ，T
C
=25
o
C
最大正向我
F
= 10A ，T
C
=125
o
C
电压降（注3 ）
I
F
= 20A ，T
C
=25
o
C
I
F
= 20A ，T
C
=125
o
C
最大瞬时反转
电流（注3）
额定直流电压，T
C
=125
o
C
额定直流电压，
T
C
=25
o
C
I
R
0.01
0.1
V
F
符号
典型值
0.59
0.50
0.71
0.67
5
最大
0.65
0.57
0.84
0.72
15
mA
V
单位
MBR2045C
注3 ：脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比Cycle≤2.0 ％ 。
2011年3月修订版1.5
5
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