数据表
MOS集成电路
MC-4532DA727
32M - WORD 72 - BIT同步动态RAM模块
登记注册类型
描述
在MC- 4532DA727是33554432字由72比特同步其中18件动态RAM模块
128M SDRAM ：
PD45128441组装。
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
33554432字由72位企业（环保型）
时钟频率和从CLK访问时间。
产品型号
/ CAS延时
时钟频率
（ MAX 。 ）
MC-4532DA727EF-A75
CL = 3
CL = 2
MC-4532DA727PF-A75
CL = 3
CL = 2
133兆赫
100兆赫
133兆赫
100兆赫
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
5.4纳秒
6.0纳秒
5.4纳秒
6.0纳秒
5
5
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
5
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
所有的DQ有10个
±10
％串联电阻
采用3.3 V单
±0.3
V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
登记注册类型
串行PD
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
M14210EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期2000年2月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999
MC-4532DA727
订购信息
产品型号
MC-4532DA727EF-A75
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
133兆赫
包
168针的双列直插式内存模块
（插座式）
边缘连接器：镀金
43.18毫米高度
安装设备
18件中
PD45128441G5 （修订版E）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
18件中
PD45128441G5 （修订版P）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
5
MC-4532DA727PF-A75
2
数据表M14210EJ3V0DS00
MC-4532DA727
引脚配置
168针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
VCC
/ CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/ RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0 （ A13 ）
A11
VCC
CLK1
NC
V
SS
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
NC
雷杰
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
VCC
/ WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1(A12)
VCC
VCC
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
VCC
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
NC
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
A0 - A11
：地址输入
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ， A11 ]
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ） ： SDRAM存储区选择
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ：数据输入/输出
CLK0 - CLK3
CKE0
WP
/ CS0 ， / CS2
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQMB0 - DQMB7
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
雷杰
NC
：时钟输入
：时钟使能输入
：写保护
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
： DQ面膜能
：地址输入用于EEPROM
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：地面
：注册/缓冲启用
：无连接
数据表M14210EJ3V0DS00
3
MC-4532DA727
框图
/RCS0
RDQMB0
RDQMB4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
RDQMB1
DQ 0
DQM
DQ 1
D0
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D1
DQ 2
DQ 3
/ CS
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
RDQMB5
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D9
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D10
DQ 2
DQ 3
V
CC
C
V
SS
D1 - D17
寄存器1，寄存器，寄存器3 ，
PLL
/ CS
D1 - D17
寄存器1，寄存器，寄存器3 ，
PLL
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 15
DQ 14
DQ 12
DQ 13
CB 2
CB 3
CB 0
CB 1
/RCS2
RDQMB2
DQ 0
DQM
DQ 1
D2
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D3
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D4
DQ 2
DQ 3
/ CS
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 45
DQ 44
DQ 46
DQ 47
CB 5
CB 4
CB 7
CB 6
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D11
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D12
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D13
DQ 2
DQ 3
/ CS
串行PD
SCL
A0
A1
A2
SDA
WP
/ CS
47 k
SA0 SA1 SA2
RDQMB6
DQ 18
DQ 19
DQ 17
DQ 16
DQ 23
DQ 22
DQ 21
DQ 20
RDQMB3
DQ 0
DQM
DQ 1
D5
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D6
DQ 2
DQ 3
/ CS
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
RDQMB7
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D14
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D15
DQ 2
DQ 3
10
CLK1 - CLK3
/ CS
12 pF的
5
DQ 27
DQ 26
DQ 25
DQ 24
DQ 31
DQ 30
DQ 29
DQ 28
10
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D16
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D17
DQ 2
DQ 3
CLK0
PLL
CLK ： D0，D1， D9
CLK ： D2 ，D10， D11
CLK ： D3，D4， D12
CLK ： D5 ， D13 ， D14
CLK ： D6 ， D7 ， D15
CLK ： D8 ， D16 ， D17
CLK ：寄存器1，寄存器，寄存器3
DQ 0
DQM
DQ 1
D7
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D8
DQ 2
DQ 3
/ CS
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
/ CS
A0 - A3, A10
BA0 ， BA1
A4 - A9, A11
/ RAS
Register1
/ CAS
CKE0
RA0A - RA3A ， RA10A
RBA0A ， RBA1A
RA4A - RA9A ， RA11A
/ RRASA
/ RCASA
RCKE0A
RCKE0B
A0 - A3 ， A10 ： D0 - D3 ， D9 - D13
BA0 ， BA1
A4 - A9 ， A11 ： D4 - D8 ， D14 - D17
A0 - A3,A10
BA0 ， BA1
A4 - A9, A11
/ RAS
Register2
/ CAS
RA0B - RA3B ， RA10B
RBA0B ， RBA1B
RA4B - RA9B ， RA11B
/ RRASB
/ RCASB
A0 - A3 ， A10 ： D4 - D8 ， D14 - D17
BA0 ， BA1
A4 - A9 ， A11 ： D0 - D3 ， D9 - D13
/ RAS ： D0 - D3 ， D9 - D13
/ CAS ： D0 - D3 ， D9 - D13
CKE ： D0 - D4 ， D9 - D12
CKE ： D5 - D8 ， D13 - D17
/ RAS ： D4 - D8 ， D14 - D17
/ CAS ： D4 - D8 ， D14 - D17
/ LE
DQMB0 - DQMB7
/ CS0 ， / CS2
Register3
/ WE
RDQMB0 - RDQMB7
/ RCS0 ， / RCS2
/ RWEA
/ RWEB
/ LE
/ WE ： D0 - D3 ， D9 - D13
CKE ： D4 - D8 ， D14 - D17
雷杰
/ LE
V
CC
10 k
5
备注1 。
的DQ的所有电阻器的值是10
.
2.
D0 - D17:
PD45128441 （ 8M字
×
4位
×
4银行）
3.
雷杰
≤
V
IL
：缓冲模式
雷杰
≥
V
IH
：注册方式
4.
注册： HD74ALVCF162834
PLL ： HD74CDCF2510B ， IDTCSP2510C
4
数据表M14210EJ3V0DS00
MC-4532DA727
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过1毫秒，然后，在顺序执行力和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
22
0到70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
+ 0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
数据输入/输出电容
C
I / O
测试条件
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0
CKE0
/ CS0 ， / CS2
DQMB0 - DQMB7
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
分钟。
7
15
7
4
4
6
典型值。
马克斯。
20
25
20
10
12
13
pF
单位
pF
数据表M14210EJ3V0DS00
5
数据表
MOS集成电路
MC-4532DA727
32 m字72 - BIT同步动态RAM模块
登记注册类型
EO
描述
特点
产品型号
MC-4532DA727EF-A75
MC-4532DA727PF-A75
MC-4532DA727XF-A75
在MC- 4532DA727是33554432字由72比特同步其中18件动态RAM模块
128M SDRAM ：
PD45128441组装。
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
33554432字由72位企业（环保型）
时钟频率和从CLK访问时间。
/ CAS延时
时钟频率
（ MAX 。 ）
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
5.4纳秒
6.0纳秒
5.4纳秒
6.0纳秒
5.4纳秒
6.0纳秒
5.4纳秒
6.0纳秒
MC-4532DA727XFA-A75
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
所有的DQ有10个
±10
％串联电阻
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
一号文件E0073N20 （2.0 ）
发布日期2001年9月（ K）
日本印刷
L
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
本产品成为了EOL于2002年9月。
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
u
od
Pr
CL = 3
CL = 2
133兆赫
100兆赫
133兆赫
CL = 3
CL = 2
100兆赫
133兆赫
CL = 3
CL = 2
100兆赫
133兆赫
CL = 3
CL = 2
100兆赫
ct
MC-4532DA727
采用3.3 V单
±0.3
V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
登记注册类型
串行PD
订购信息
产品型号
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
133兆赫
168针的双列直插式内存模块18件
PD45128441G5 （修订版E）
（插座式）
边缘连接器：镀金
43.18毫米高度
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
18件中
PD45128441G5 （修订版P）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
18件中
PD45128441G5 （修订版X）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
30.48毫米高度
18件中
PD45128441G5 （修订版X）
（ 10.16毫米（400）， TSOP （II） ）
包
安装设备
EO
MC-4532DA727EF-A75
MC-4532DA727PF-A75
MC-4532DA727XF-A75
MC-4532DA727XFA-A75
L
u
od
Pr
ct
2
数据表E0073N20
MC-4532DA727
引脚配置
168针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
VCC
/ CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/ RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0 （ A13 ）
A11
VCC
CLK1
NC
V
SS
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
NC
雷杰
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
VCC
/ WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1(A12)
VCC
VCC
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
VCC
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
NC
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
*
WP
SDA
SCL
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
EO
L
A0 - A11
：地址输入
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ， A11 ]
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ） ： SDRAM存储区选择
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ：数据输入/输出
CLK0 - CLK3
CKE0
WP *
：时钟输入
：时钟使能输入
u
od
Pr
/ CS0 ， / CS2
/ RAS
/ WE
/ CAS
DQMB0 - DQMB7
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
NC
：地面
雷杰
数据表E0073N20
：写保护
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
： DQ面膜能
：地址输入用于EEPROM
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：注册/缓冲启用
：无连接
*
： 81引脚MC- 4532DA727XFA是NC引脚。
ct
3
MC-4532DA727
框图
/RCS0
RDQMB0
RDQMB4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
RDQMB1
DQ 0
DQM
DQ 1
D0
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D1
DQ 2
DQ 3
/ CS
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
RDQMB5
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D9
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D10
DQ 2
DQ 3
V
CC
C
V
SS
D1 - D17
寄存器1，寄存器，寄存器3 ，
PLL
/ CS
D1 - D17
寄存器1，寄存器，寄存器3 ，
PLL
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 15
DQ 14
DQ 12
DQ 13
CB 2
CB 3
CB 0
CB 1
DQ 0
DQM
DQ 1
D2
DQ 2
DQ 3
/ CS
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 45
DQ 44
DQ 46
DQ 47
CB 5
CB 4
CB 7
CB 6
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D11
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D12
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D13
DQ 2
DQ 3
EO
/RCS2
RDQMB2
DQ 0
DQM
DQ 1
D3
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D4
DQ 2
DQ 3
/ CS
串行PD
SCL
A0
A1
A2
SDA
WP
/ CS
47 k
SA0 SA1 SA2
RDQMB6
MC-4532DA727XFA
没有这个电路。
L
DQ 0
DQM
DQ 1
D5
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D6
DQ 2
DQ 3
/ CS
/ CS
DQ 18
DQ 19
DQ 17
DQ 16
DQ 23
DQ 22
DQ 21
DQ 20
RDQMB3
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D14
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D15
DQ 2
DQ 3
10
CLK1 - CLK3
12 pF的
u
od
Pr
RDQMB7
DQ 27
DQ 26
DQ 25
DQ 24
DQ 31
DQ 30
DQ 29
DQ 28
10
DQ 0
DQM
DQ 1
D7
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D8
DQ 2
DQ 3
/ CS
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D16
DQ 2
DQ 3
CLK0
PLL
/ CS
DQ 0
DQM
/ CS
DQ 1
D17
DQ 2
DQ 3
CLK ： D0，D1， D9
CLK ： D2 ，D10， D11
CLK ： D3，D4， D12
CLK ： D5 ， D13 ， D14
CLK ： D6 ， D7 ， D15
CLK ： D8 ， D16 ， D17
CLK ：寄存器1，寄存器，寄存器3
A0 - A3, A10
BA0 ， BA1
A4 - A9, A11
/ RAS
Register1
/ CAS
CKE0
RA0A - RA3A ， RA10A
RBA0A ， RBA1A
A0 - A3 ， A10 ： D0 - D3 ， D9 - D13
BA0 ， BA1
A0 - A3,A10
BA0 ， BA1
A4 - A9, A11
RA0B - RA3B ， RA10B
RBA0B ， RBA1B
RA4B - RA9B ， RA11B
/ RRASB
/ RCASB
A0 - A3 ， A10 ： D4 - D8 ， D14 - D17
BA0 ， BA1
RA4A - RA9A ， RA11A
/ RRASA
/ RCASA
RCKE0A
RCKE0B
A4 - A9 ， A11 ： D4 - D8 ， D14 - D17
A4 - A9 ， A11 ： D0 - D3 ， D9 - D13
/ RAS ： D0 - D3 ， D9 - D13
/ RAS
/ CAS
/ RAS ： D4 - D8 ， D14 - D17
/ CAS ： D4 - D8 ， D14 - D17
Register2
/ CAS ： D0 - D3 ， D9 - D13
CKE ： D0 - D4 ， D9 - D12
CKE ： D5 - D8 ， D13 - D17
/ LE
雷杰
/ LE
DQMB0 - DQMB7
RDQMB0 - RDQMB7
V
CC
10 k
/ CS0 ， / CS2
/ WE
/ RCS0 ， / RCS2
/ RWEA
/ RWEB
Register3
/ WE ： D0 - D3 ， D9 - D13
CKE ： D4 - D8 ， D14 - D17
/ LE
ct
备注1 。
的DQ的所有电阻器的值是10
.
2.
D0 - D17:
PD45128441 （ 8M字
×
4位
×
4银行）
3.
雷杰
≤
V
IL
：缓冲模式
雷杰
≥
V
IH
：注册方式
4
数据表E0073N20
MC-4532DA727
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过1毫秒，然后，在顺序执行力和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
22
0到70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
EO
储存温度
工作环境温度
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
2.0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
+ 0.8
70
单位
V
V
V
°C
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
数据输入/输出电容
L
u
od
Pr
–0.3
0
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
测试条件
分钟。
7
典型值。
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0
20
15
7
25
CKE0
20
/ CS0 ， / CS2
4
10
DQMB0 - DQMB7
3
12
C
I / O
DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7
5
13
数据表E0073N20
马克斯。
单位
pF
pF
ct
5
QQ：2880707522 复制
