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膜生物反应器（F ， B） 30H35CT通MBR （F ， B） 30H60CT
www.vishay.com
威世通用半导体
双共阴极肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
TO-220AB
ITO-220AB
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
??高频工作
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
245 ° C（用于TO- 263AB封装）
焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，每
JESD 22 - B106 （用于TO- 220AB和ITO - 220AB封装）
AEC- Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
2
MBR30HxxCT
销1
3脚
销2
例
3
1
MBRF30HxxCT
销1
3脚
销2
2
3
1
TO-263AB
K
2
1
MBRB30HxxCT
销1
销2
K
散热器
典型应用
适用于低电压，切换高频整流用
模式电源，续流二极管， DC / DC
转换器或极性保护应用程序。
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
2× 15 A
35 V至60 V
150 A
0.56 V, 0.59 V
80 μA, 60 μA
175 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HE3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流（图1）
设备总
每二极管
符号
MBR30H35CT MBR30H45CT MBR30H50CT MBR30H60CT
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
1.0
25
35
35
35
45
45
45
30
15
150
0.5
20
50
50
50
60
60
60
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加每个二极管的额定载荷
每个二极管的反向重复峰值浪涌电流
在T
p
= 2微秒， 1千赫
峰值不重复反向能量
（ 8/20微秒波形）
修订： 24 - OCT- 12
文档编号： 88866
1
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膜生物反应器（F ， B） 30H35CT通MBR （F ， B） 30H60CT
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威世通用半导体
符号
MBR30H35CT MBR30H45CT MBR30H50CT MBR30H60CT
E
AS
V
C
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
80
25
10 000
- 65 + 175
1500
单位
mJ
kV
V / μs的
°C
V
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管非重复性雪崩能量
在25℃下，我
AS
= 4 A，L = 10毫亨
静电放电电容电压人类
人体模型： C = 100 pF的， R = 1.5 kΩ的
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 15 A
最大正向电压
每二极管
(1)
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A
每个二极管的最大反向电流
工作峰值反向电压
(2)
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
40毫秒
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
R
V
F
符号
MBR30H35CT
MBR30H45CT
-
0.49
-
0.62
-
5.0
0.62
0.56
0.73
0.67
80
15
MBR30H50CT
MBR30H60CT
-
0.55
-
0.68
-
4.0
0.68
0.59
0.83
0.71
60
15
μA
mA
V
单位
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻结到
情况下每二极管
符号
R
θJC
MBR
1.5
MBRF
4.5
MBRB
1.5
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
首选的P / N
MBR30H45CT-E3/45
MBRF30H45CT-E3/45
MBRB30H45CT-E3/45
MBRB30H45CT-E3/81
MBR30H45CTHE3/45
(1)
MBRF30H45CTHE3/45
(1)
MBRB30H45CTHE3/45
(1)
MBRB30H45CTHE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.85
1.99
1.35
1.35
1.85
1.99
1.35
1.35
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/teel
50/tube
50/tube
50/tube
800/teel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
修订： 24 - OCT- 12
文档编号： 88866
2
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膜生物反应器（F ， B） 30H35CT通MBR （F ， B） 30H60CT
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威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
40
100
瞬时反向漏
电流（mA ）
平均正向电流（ A）
MBR ， MBRB
30
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1
20
MBRF
0.1
MBR30H35CT - MBR30H45CT
MBR30H50CT - MBR30H60CT
T
J
= 25 °C
0.01
10
0.001
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0001
0
20
40
60
80
100
外壳温度（ ° C）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 1 - 前降额曲线
图。 4 - 典型的反向特性每二极管
150
10 000
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单一正弦半波
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
100
75
结电容（pF ）
125
1000
50
25
MBR30H35CT - MBR30H45CT
MBR30H50CT - MBR30H60CT
0
1
10
100
100
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向电压（ V）
图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌
目前每二极管
图。 5 - 典型结电容每二极管
100
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
1
T
J
= 125 °C
0.1
MBR30H35CT - MBR30H45CT
MBR30H50CT - MBR30H60CT
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
1
0.1
0.01
0.1
1
10
正向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 3 - 典型的正向特性每二极管
图。 6 - 每二极管典型的瞬态热阻抗
修订： 24 - OCT- 12
文档编号： 88866
3
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包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
威世通用半导体
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
修订： 24 - OCT- 12
文档编号： 88866
4
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日前，Vishay
放弃
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可靠性，功能，设计或其他原因。
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产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
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材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为无卤素产品遵循无卤
要求按照JEDEC JS709A标准。请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考
在IEC 61249-2-21定义。我们确认所有的产品确定为符合IEC 61249-2-21
符合JEDEC JS709A标准。
修订： 02 - OCT- 12
1
文档编号： 91000
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M381L6523DUM-LCC
MCP73811T-420I/OT
MA100L
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    -
    -
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