M74HCT75
4位D型锁存器
s
s
s
s
s
s
高速：
t
PD
= 21ns （典型值）在V
CC
= 4.5V
低功耗：
I
CC
= 2μA （最大值）在T
A
=25°C
兼容TTL输出：
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （MAX）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安（ MIN ）
引脚和功能兼容
74系列75
DIP
SOP
TSSOP
订购代码
包
DIP
SOP
TSSOP
管
M74HCT75B1R
M74HCT75M1R
T&R
M74HCT75RM13TR
M74HCT75TTR
描述
该M74HCT75是一个高速CMOS 4位D
型锁存器制造与硅栅
2
MOS
技术。
它包含两个基团通过控制2位锁存
一个使能输入端（G1
2或G3
4）。这两个锁存器
基团可以在不同的电路中使用。每个锁存器
有Q和Q输出（ 1Q - 4季度和1季度 - 第四季度） 。该
施加到数据输入中的数据传送到
当使能输入为Q及输出
高且输出将跟随输入的数据作为
只要使能输入被保持高电平。当
使能输入为低电平时，信息数据
施加到数据输入被保持在所述输出。
该M74HCT75设计为直接连接
HSC
2
MOS系统的TTL和NMOS
组件。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接和IEC逻辑符号
2001年9月
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M74HCT75
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
0到500
单位
V
V
V
°C
ns
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M74HCT75
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
61
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
波形：传播延迟时间，最小脉宽，建立和保持时间
中（f = 1MHz的50 ％占空比）
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