MBR4045WTPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 2× 20 A
BASE
常见
阴极
2
特点
150 ° （C T）
J
手术
中心抽头TO- 247封装
无铅
可用的
极低的正向电压降
RoHS指令*
高频率运行
柔顺
高
纯度，
高
温度
环氧树脂
封装提高机械强度和
耐湿性
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和工业级合格
TO-247AC
1
3
阳极
阳极
2
1
2
常见
阴极
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
I
RM
2× 20 A
45 V
85毫安在125°C
该MBR4045WTPbF中心抽头肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。专有的阻隔技术允许
可靠运行高达150 ℃的结温。典型
应用在开关电源，转换器，
续流二极管，反向电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
20 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
矩形波形（每个装置）
T
C
= 125°C （每站）
值
40
40
45
1020
0.56
- 55 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
MBR4045WTPbF
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
每腿
每个器件
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
测试条件
T
C
= 125 ℃， 50％的占空比，矩形波形
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 125 °C
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
20
40
40
1020
265
20
3
mJ
A
A
单位
每腿重复峰值正向电流
最大峰值一个周期
每腿不重复浪涌电流
参见图。 7
每腿非重复性雪崩能量
每腿重复雪崩电流
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3 A，L = 4.40 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94295
修订： 14 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
MBR4045WTPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 2× 20 A
电气规格
参数
符号
20 A
最大正向电压降
V
调频（1）
40 A
20 A
40 A
T
J
= 25 °C
最大瞬时反向电流
I
RM （ 1 ）
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
阈值电压
正向斜率电阻
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
从测量终端的顶部安装平面
为V
R
额定直流电压
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.59
0.78
0.56
0.72
1.75
50
85
0.29
10.3
900
7.5
10 000
V
mΩ
pF
nH
V / μs的
mA
V
单位
T
J
= 125 °C
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结每包区分
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
机箱样式TO- 247AC （ JEDEC ）
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 55 150
- 55 175
1.4
° C / W
0.7
6
0.21
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
安装力矩
器件标识
MBR4045WT
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94295
修订： 14 - 8 - 08
MBR4045WTPbF
肖特基整流器， 2× 20 A
日前，Vishay高功率产品
1000
1000
I
R
- 反向电流（mA ）
100
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
100
1
0.1
0.01
0.001
T
J
= 75 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
40
50
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
t
1
t
2
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94295
修订： 14 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
MBR4045WTPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 2× 20 A
160
20
允许外壳温度（ ℃）
140
DC
平均功耗（ W）
15
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
120
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
10
100
5
DC
见注（ 1 ）
80
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
1000
I
FSM
- 非重复性
浪涌电流（ A）
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
(1)
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94295
修订： 14 - 8 - 08
MBR4045WTPbF
肖特基整流器， 2× 20 A
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
MBR
1
40
2
45
3
WT
4
PBF
5
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
肖特基MBR系列
额定电流（ 40 = 40 A）
电压额定值（ 45 = 45 V）
电路配置：
中心抽头（ DUAL ） TO- 247
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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SPICE模型
http://www.vishay.com/doc?95223
http://www.vishay.com/doc?95226
http://www.vishay.com/doc?95297
文档编号： 94295
修订： 14 - 8 - 08
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5
MBR4045WTPbF
公告PD- 20677转。 B 11/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
45
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBR4045WTPbF
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
Max.AverageForward
（ PerLeg ）
当前
（ PERDEVICE ）
I
FRM
峰值重复正向
当前
（每站）
I
FSM
E
AS
I
AR
Max.Peak单周期非重复性
浪涌电流（每腿）参见图7
非重复性雪崩能量
（每站）
重复性雪崩电流
（每站）
值单位
20
40
40
1020
265
20
3
A
A
条件
@ T
C
= 125 ℃， 50％的占空比，矩形波形
为V
R
，方波， 20kHz的
T
C
= 125° C
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲发生任何评级
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3安培， L = 4.40 mH的
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
A
mJ
A
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
I
RM
马克斯。 Instantaneus反向电流
(1)
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
马克斯。结电容
典型的串联电感
值
0.59
0.78
0.56
0.72
1.75
50
85
0.29
10.3
900
7.5
10000
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
mΩ
pF
nH
V/
μs
@ 20A
@ 40A
@ 20A
@ 40A
T
J
= 25 °C
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 ℃，额定直流电压
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
从测量终端的顶部安装平面
（额定V
R
)
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
dv / dt的最大值。变化的电压率
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
值
-55到150
-55至175
1.4
0.7
6 (0.21)
分钟。
马克斯。
6 (5)
12 (10)
单位
°C
°C
条件
R
thJC
马克斯。热阻
结到外壳（每包）
R
乡镇卫生院
典型热阻
案件散热器
wt
T
大约重量
安装力矩
机箱样式
器件标识
° C / W DC操作
° C / W安装表面，光滑，润滑
克（盎司）。
公斤 - 厘米
（磅力英寸）
JEDEC
TO-247AC(TO-3P)
MBR4045WT
2
www.irf.com
MBR4045WTPbF
公告PD- 20677转。 B 11/06
概要表
符合JEDEC的外形TO - 247AC （ TO- 3P ）
尺寸以毫米（英寸）
标识信息
示例：这是一个MBR4045WT
汇编
批号5657
组装WW 35 ， 2000
装配线"H"
国际
整流器器
标志
装配
批号
产品型号
MBR4045WT
P035H
56
57
日期代码
P = LEAD -FREE
0年= 2000
35周
线H
www.irf.com
5
VS- MBR4045WTPbF ， VS- MBR4045WT -N3
www.vishay.com
威世半导体
肖特基整流器， 2× 20 A
BASE
常见
阴极
2
特点
150 ° （C T）
J
手术
极低的正向电压降
??高频工作
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
TO-247AC
1
3
阳极
阳极
2
1
2
常见
阴极
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据JEDEC - JESD47设计和合格
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -N 3只）
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
TO-247AC
2× 20 A
45 V
0.56 V
85毫安在125°C
150 °C
共阴极
20兆焦耳
描述
在VS- MBR4045WT ...中心抽头肖特基整流器
被优化的非常低的正向电压降，以
中度泄漏。专有的阻隔技术允许
可靠运行最多至150℃的结温。
典型的应用是在开关电源，
器，续流二极管，反向电池
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
20 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
矩形波形（每个装置）
T
C
= 125°C （每站）
值
40
40
45
1020
0.56
- 55 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-MBR4045WTPbF
45
VS-MBR4045WT-N3
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
每腿
每个器件
符号
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
测试条件
T
C
= 125 ℃， 50％的占空比，矩形波形
为V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 125 °C
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
20
40
40
1020
265
20
3
mJ
A
A
单位
每腿重复峰值正向电流
最大峰值一个周期
每腿不重复浪涌电流
参见图。 7
每腿非重复性雪崩能量
每腿重复雪崩电流
修订： 30 - 8 - 11
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3 A，L = 4.40 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
文档编号： 94295
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- MBR4045WTPbF ， VS- MBR4045WT -N3
www.vishay.com
威世半导体
电气规格
参数
符号
20 A
最大正向电压降
V
调频（1）
40 A
20 A
40 A
T
J
= 25 °C
最大瞬时反向电流
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
阈值电压
正向斜率电阻
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
从测量终端的顶部安装平面
为V
R
额定直流电压
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
值
0.59
0.78
0.56
0.72
1.75
50
85
0.29
10.3
900
7.5
10 000
V
m
pF
nH
V / μs的
mA
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结每包区分
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
机箱样式TO- 247AC （ JEDEC ）
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 55 150
- 55 175
1.4
° C / W
0.7
6
0.21
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
安装力矩
器件标识
MBR4045WT
修订： 30 - 8 - 11
文档编号： 94295
2
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- MBR4045WTPbF ， VS- MBR4045WT -N3
www.vishay.com
威世半导体
1000
1000
I
R
- 反向电流（mA ）
100
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
100
1
0.1
0.01
0.001
T
J
= 75 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
40
50
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
t
1
t
2
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
修订： 30 - 8 - 11
文档编号： 94295
3
您所在区域内的技术问题：
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VS- MBR4045WTPbF ， VS- MBR4045WT -N3
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威世半导体
20
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
允许外壳温度（ ℃）
160
140
DC
平均功耗（ W）
15
120
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
10
100
5
DC
见注（ 1 ）
80
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
1000
I
FSM
- 非重复性
浪涌电流（ A）
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+
V
d
= 25
V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
修订： 30 - 8 - 11
文档编号： 94295
4
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS- MBR
1
2
40
3
45
4
WT
5
PBF
6
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
威世半导体产品
肖特基MBR系列
额定电流（ 40 = 40 A）
电压额定值（ 45 = 45 V）
电路配置：
中心抽头（ DUAL ） TO- 247
环境位数
PBF =铅（ Pb），并且符合RoHS标准
N 3 =无卤素，符合RoHS标准，而且完全无铅（Pb ） - 免费
-
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-MBR4045WTPbF
VS-MBR4045WT-N3
QUANTITY PER T / R
25
25
最小起订量
500
500
包装说明
防静电塑料管
防静电塑料管
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TO- 247AC的PbF
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修订： 30 - 8 - 11
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5
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