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飞思卡尔半导体公司
技术参数
MC100ES60T22
第2版, 2005年2月
3.3 V双LVTTL / LVCMOS到
差分LVPECL翻译
该MC100ES60T22是一种低歪斜双LVTTL / LVCMOS到差分
LVPECL翻译。低电压PECL电平,小包装,以及双门
设计是理想的时钟转换应用。
特点
280 ps的典型传播延迟
100ps的最大输出至输出偏斜
LVPECL经营范围: V
CC
= 3.135 V至3.8 V
8引脚SOIC和8引脚TSSOP封装
环境温度范围-40 ° C至+ 85°C
MC100ES60T22
后缀
8引脚SOIC封装
CASE 751-06
DT后缀
8引脚TSSOP封装
案例1640年至1601年
Q0
1
8
V
CC
订购信息
设备
MC100ES60T22D
SOIC-8
SOIC-8
TSSOP-8
TSSOP-8
Q0
2
LVPECL
LVTTL / LVCMOS
7
D0
MC100ES60T22DR2
MC100ES60T22DT
MC100ES60T22DTR2
Q1
3
6
D1
D0, D1
QN,尺寸Qn
引脚说明
功能
LVTTL / LVCMOS输入
LVPECL差分输出
正电源
负电源
Q1
4
5
GND
V
CC
GND
图1. 8引脚引脚(顶视图)和逻辑图
飞思卡尔半导体公司2005年版权所有。
表1.一般规格
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
θ
JA
热阻(结到环境)
人体模型
机器型号
0 LFPM , 8 SOIC
500 LFPM , 8 SOIC
0 LFPM , 8 TSSOP
500 LFPM , 8 TSSOP
价值
75 k
75 k
> 2000伏
& GT ; 200 V
190°C/W
130°C/W
185°C/W
140°C/W
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
V
供应
V
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
等级
电源电压
输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
条件
V之间的区别
CC
&放大器; V
EE
V
CC
– V
EE
3.6 V
连续
浪涌
等级
3.9
V
CC
+ 0.3
V
EE
– 0.3
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的最大值。暴露于这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定值的功能操作
条件是不是暗示。
表3.直流特性
(V
CC
= 3.135 V至3.8 V ; V
EE
= 0 V)
-40°C
符号
V
OH(1)
V
OL(1)
特征
输出高电压
输出低电压
V
CC
– 1150
V
CC
– 1950
典型值
V
CC
– 1020
V
CC
– 1620
最大
V
CC
– 800
V
CC
– 1250
V
CC
– 1200
V
CC
– 2000
0 ° C至85°C
典型值
V
CC
– 970
V
CC
– 1680
最大
V
CC
– 750
V
CC
– 1300
单位
mV
mV
1.输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
- 2伏。
表4. LVTTL / LVCMOS输入直流特性
(V
CC
= 3.135 V至3.8 V)
-40°C
符号
I
IN
V
IK
V
IH
V
IL
特征
输入电流
输入钳位电压
输入高电压
输入低电压
条件
V
IN
= V
CC
I
IN
= -18毫安
2.0
典型值
最大
±150
–1.2
V
CC
+0.3
0.8
2.0
0 ° C至85°C
典型值
最大
±150
–1.2
V
CC
+0.3
0.8
单位
A
V
V
V
MC100ES60T22
2
高级时钟驱动器设备
飞思卡尔半导体公司
表5. AC特性
(V
CC
= 3.134 V至3.8 V ; V
EE
= 0 V)
-40°C
符号
f
最大
t
PLH ,
t
PHL
t
SKEW
特征
最大切换频率
传播延迟
SKEW
部分到第
RMS ( 1σ )
350
50
750
400
100
260
典型值
最大
1
400
300
1
350
50
750
400
100
280
25°C
典型值
最大
1
400
300
1
350
50
750
400
100
280
85°C
典型值
最大
1
450
350
1
单位
GHz的
ps
ps
ps
mV
ps
t
抖动
周期到周期抖动
V
OUTpp
输出峰 - 峰值电压
t
r
/ t
f
输出上升/下降时间( 20 % - 80 % )
Q
司机
设备
Qb
50
50
D
接收器
设备
Db
V TT
图2.典型终端的输出驱动器和设备评估
MC100ES60T22
高级时钟驱动器设备
飞思卡尔半导体公司
3
包装尺寸
A
8
D
5
C
E
1
4
H
0.25
M
B
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.尺寸为毫米。
3.尺寸D和E不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
5.尺寸b不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127总数过量
THE B尺寸为最大材料的
条件。
MILLIMETERS
最大
1.35
1.75
0.10
0.25
0.35
0.49
0.19
0.25
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27 BSC
5.80
6.20
0.25
0.50
0.40
1.25
0
7
h
B
C
e
A
座位
飞机
X 45
θ
L
0.10
A1
B
0.25
M
C B
S
A
S
暗淡
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
θ
SOIC-8
后缀
8引脚SOIC封装
CASE 751-06
ISSUE牛逼
MC100ES60T22
4
高级时钟驱动器设备
飞思卡尔半导体公司
包装尺寸
2X
3
3.00
1.95
1.5
A
2
0.20 C
8
1
D
0.60
0.60 2.45
3
3.00
1.5
4.90
B
2X
B
H
0.20 C D
0.25 C
8
SEE视图C
查看A-A
0.65
0.325
8X
8
0.38
0.25
0.33
0.25
0.18
0.13
0.23
0.13
B
0.38
0.25
0.13
M
C A - B D
0.48最大
详细信息"B"
dambar突出
贱金属
顶视图
A
详细信息"B"
B-B截面
见注6
0.95
0.75
8X
1.10最大
0.15
0.05
A
SIDE VIEW
0.10 C
飞机座位
C
4X
15
5
0.07 MIN
0.25
压力表飞机
飞机座位
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M , 1994年。
2.尺寸以毫米为单位。
3.这个尺寸不包括塑模毛边或突起
并处于原点H,塑模毛边或突起衡量,
不得超过0.15毫米每边。
4.尺寸为端子的焊接到长
基材。
5.铅宽度尺寸不包括dambar突出。
允许的dambar突出应0.08毫米共超过
THE LEAD宽度尺寸最大的物质条件。作者:
密封条不能设在较低的半径或铅
脚下。之间的凸起和邻近铅空间最小化
要0.14毫米具体请参阅"B"和部分BB 。
6.第BB被确定为0.10 0.25毫米从引导提示。
7.这部分是符合JEDEC注册的MO -187 AA 。
8.基准A和B来确定的基准平面H.
6
0
0.70
0.40
4
4X
15
5
C
(0.95)
视图C
TSSOP-8
DT后缀
8引脚TSSOP封装
案例1640年至1601年
发行
MC100ES60T22
高级时钟驱动器设备
飞思卡尔半导体公司
5
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MC100ES60T22D
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21+
16800
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
全新原装正品/质量有保证
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地址:福田区振兴西路109号华康大厦2栋6楼
MC100ES60T22D
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22+
9000
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
【原装正品、现货供应、技术支持】GTL2010PW/N
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MC100ES60T22D
Freescale
1524+
12730
8-SOIC
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