LITE -ON
半导体
MBR4030PT通4060PT
反向电压
- 30
to
60
伏
正向电流
- 40
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属，多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
whelling ，和极性保护应用
A
P
G
Q
O
针
1
2
3
TO-3P
F
E
TO-3P
分钟。
马克斯。
15.75
16.25
21.25
21.75
20.10
19.60
3.78
4.38
1.88
2.08
4.87
5.13
4.4TYP.
1.90
2.16
2.93
3.22
1.12
1.22
2.90
3.20
5.20
5.70
2.10
2.40
0.76
0.51
2.18
1.93
B
K
D
H
C
N
机械数据
案例： TO- 3P模压塑料
极性：标明阀体上
重量：0.2盎司， 5.6克
安装位置：任意
J
I
L
销1
3脚
L
M
销2
例
20 （典型值）
10 TYP
在毫米波所有尺寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBR
4030PT
30
21
30
MBR
4035PT
35
24.5
35
MBR
4040PT
40
28
40
40
400
10000
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
0.80
0.70
-
-
MBR
4045PT
45
31.5
45
MBR
4050PT
50
35
50
MBR
4060PT
60
42
60
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参见图1 ）
符号
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
@T
C
=
125 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定VR ）
最大正向
电压（注1 ）
I
FSM
dv / dt的
A
V /美
V
I
F
= 20A @ T
J
=25 C
I
F
= 20A @ T
J
=125 C
I
F
= 40A @ T
J
=25 C
I
F
= 40A @ T
J
=125 C
反向电流最大DC
@T
J
=25 C
在额定阻断电压DC
@T
J
=125 C
典型热阻（注2 ）
典型结电容
每个元素（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
R
0JC
mA
C / W
pF
C
J
T
J
T
英镑
注： 1。 300US脉宽， 2 ％的占空比。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
C
C
REV 。 2 ， 01日-12月2000 KTH11
额定值和特性曲线
MBR4030PT通MBR4060PT
峰值正向浪涌电流，
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
40
图2 - 最大非重复浪涌电流
400
30
300
20
200
10
电阻或
感性负载
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
5
10
20
50
100
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
10
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流（ A）
瞬时
反向电流（毫安）
T
J
= 125 C
1.0
10
MBR4030PT MBR4045PT
0.1
T
J
= 75 C
MBR4050PT MBR4060PT
1.0
0.01
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
百分之额定峰值反向电压（ ％ ）
正向电压，伏
图5 - 典型结电容
10000
电容（PF ）
1000
T
J
= 25°C ， F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压，伏
REV 。 2 ， 01日-12月2000 KTH11
MBR4030PT通MBR4045PT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR4030PT
MBR4035PT
MBR4040PT
MBR4045PT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
40
400
10000
I
F
=20A
I
F
=20A
I
F
=40A
I
F
=40A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
mA
o
C / W
pF
o
o
典型结电容每元（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 247AD模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量：0.2盎司， 5.6克
*安装位置：任意
MBR4035PT-MBR4060PT
MBR4035PT - MBR4060PT
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
0.245(6.2)
0.225(5.7)
0.645(16.4)
0.625(15.9)
0.323(8.2)
0.313(7.9)
0.078(1.98)
10°
30°
0.203(5.16)
0.193(4.90)
TO-3P/
TO-247AD
.17(4.3)
0.84(21.3)
0.82(20.8)
0.134(3.4)
0.114(2.9)
10°
典型值
两旁
1
0.16(4.1)
0.14(3.5)
0.795(20.2)
0.775(19.7)
2
3
0.086(2.18)
0.076(1.93)
0.127(3.22)
0.117(2.97)
0.118(3.0)
0.108(2.7)
销1
+
3脚
例
销2
40安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（重复）
i
F（浪涌）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.048(1.22)
0.044(1.12)
0.225(5.7)
0.205(5.2)
0.030(0.76)
0.020(0.51)
外型尺寸是：英寸（毫米）
参数
平均整流电流
.375 “引线长度@ T
A
= 125
°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） @ T
A
= 120°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
价值
40
单位
A
40
400
3.0
25
1.2
-65到+175
-65到+150
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
P
D
R
θJL
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
4035PT
4045PT
45
31
45
10,000
1.0
100
0.70
0.60
0.80
0.75
2.0
0.72
0.62
-
-
1.0
4050PT
50
35
50
4060PT
60
42
60
35
24
35
单位
V
V
V
V /美
mA
mA
V
V
V
V
A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
变化的电压率（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
I
F =
40 A，T
C
= 25°C
I
F =
40 A，T
C
= 125°C
峰值重复反向浪涌
当前
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR4035PT - MBR4060PT ，版本A
MBR4035PT-MBR4060PT
肖特基势垒整流器
（续）
典型特征
正向电流降额曲线
60
正向电流（ A）
50
40
30
20
10
0
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
400
300
200
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
100
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
50
10
MBR4035PT-MBR4045PT
反向特性
50
反向电流（mA ）
MBR4035PT-MBR4045PT
正向电流（ A）
T
A
= 150
C
T
A
= 25
C
10
T
A
= 125
C
MBR4050PT-MBR4060PT
1
1
MBR4050PT-MBR4060PT
T
A
= 75
C
0.1
MBR4035PT-MBR4045PT
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
MBR4050PT-MBR4060PT
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压（ V）
1
1.2
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
瞬态热阻抗（ C / W ）
典型结电容
5000
结电容（pF ）
瞬态热阻抗
100
2000
1000
500
MBR4050PT-MBR4060PT
MBR4035PT-MBR4045PT
10
1
200
100
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
0.1
0.01
0.1
1
10
T.脉冲持续时间（秒）
100
MBR4035PT - MBR4060PT ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
MBR4030PT通MBR4045PT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C（ TAB ）
A
C
A
C
A
尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR4030PT
MBR4035PT
MBR4040PT
MBR4045PT
符号
I
（AV）
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
40
400
10000
I
F
=20A
I
F
=20A
I
F
=40A
I
F
=40A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定V
R
)
最大正向
电压（注1 ）
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
mA
o
C / W
pF
o
o
典型结电容每元（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
C
C
注： 1。 300US脉冲宽度，占空比2 ％ 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 247AD模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量：0.2盎司， 5.6克
*安装位置：任意
MBR4020PT~MBR40100PT
40安培肖特基二极管
电压
20至100伏特
当前
40安培
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
.126(3.2)
.110(2.8)
.050(1.25)
.045(1.15)
.142(3.6)
.125(3.2)
TO-3P
单位：英寸（毫米）
.640(16.25)
.620(15.75)
.199(5.05)
.175(4.45)
.087(2.2)
.070(1.8)
.600(15.25)
.580(14.75)
.839(21.3)
.819(20.8)
.095(2.4)
.798(20.25)
.777(19.75)
.170(4.3)
.145(3.7)
.030(0.75)
.017(0.45)
.225(5.7)
.204(5.2)
.225(5.7)
.204(5.2)
MECHANICALDATA
案例： TO- 3P模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示。
安装位置：任意
重量：0.2盎司， 5.6克。
AC
CT阳性
AC
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币（S eefig 1 ）
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F orward V oltageat 2 0 ， perleg
M A X I M ü米 C R é ; V。E R 5式C ü R R简吨
Tc
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
c
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM BOLMBR 4 0 2 0 PTMBR 4 0 3 0 PTMBR 4 0 4 0 PTMBR 4 0 4 5 PTMBR 4 0 5 0 PTMBR 4 0 6 0 PTMBR 4 0 8 0 PTMBR 4 0 1 0 0 PTUNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
0 .7
0 .1
20
1 .2
- 5 0到+ 1 5 0
- 5 0到+ 1 7 5
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
3 1 .5
45
40
400
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
0 .8
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
英镑
C / W
O
C
C
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
REV.0-MAR.30.2005
PAGE 。 1
MBR4035PT - MBR40150PT
40.0安培。肖特基势垒整流器
TO-3P/TO-247AD
特点
采用塑料材料进行保险商实验室
分类94V- 0
金属硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
o
260℃ / 10秒0.17 “ （ 4.3毫米）的情况下，
机械数据
案例： JEDEC TO-3P / TO- 247AD模压塑料
体
终端：纯锡电镀，无铅。每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 10 - 磅。最大
重量：0.2盎司， 5.6克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
o
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
MBR膜生物反应器
类型编号
4035
PT
4045
PT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在Tc = 125
O
C
峰值重复正向电流（额定V
R
，广场
波，为20KHz ）在Tc = 120
o
C
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
I
F
= 20A ， TC = 25
o
C
I
F
= 20A ，TC = 125
o
C
I
F
= 40A ， TC = 25
o
C
I
F
= 40A ，TC = 125
o
C
MBR
4050
PT
MBR
4060
PT
MBR
4090
PT
MBR膜生物反应器
40100 40150
PT
PT
单位
V
V
V
A
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
35
24
35
45
31
45
50
35
50
60
42
60
40
40
330
90
63
90
100
70
100
150
105
150
2.0
0.75
0.65
0.80
0.75
0.77
0.67
–
–
1.0
0.84
0.74
–
–
0.95
0.92
1.02
0.98
A
V
最大瞬时反向电流
@ T = 25
o
C
at
R
ated
DC
闭塞
V
oltage
P
er
L
eg
@ T = 125
o
C
（注1 ）
变化的（额定V电压率
R
)
典型热阻每支架（注3 ）
工作结温范围
存储温度范围
I
R
dv / dt的
R
θJC
T
J
1.0
30
20
1,000
1.2
-65到+150
-65到+175
0.5
10
o
mA
mA
V /美
10,000
注意事项：
T
英镑
1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿
C / W
o
C
o
C
版本： A06
额定值和特性曲线（ MBR4035PT THRU MBR40150PT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
50
600
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流每支架
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
峰值正向浪涌电流。 （ A）
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
40
500
400
300
200
100
0
1
30
20
10
0
0
50
100
o
150
外壳温度。 （ C）
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向
特性每支架
50
50
FIG.4-典型的反向特性
每腿
10
Tj=150
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
10
瞬时反向电流。 （MA ）
瞬时正向电流。 （ A）
Tj=125
0
C
1
1
Tj=25
0
C
Tj=75
0
C
0.1
0.1
MBR4035PT-MBR4045PT
MBR4050PT & MBR4060PT
MBR4090PT-MBR40150PT
0.01
Tj=25
0
C
0.01
0
0.1 0.2
0.3 0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压。 （V ）
0.001
MBR4035PT-MBR4045PT
MBR4050PT & MBR40100PT
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容每支架
5,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
每腿
100
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
10
1,000
1
MBR4035PT-MBR4045PT
MBR4050PT & MBR4060PT
MBR4090PT-MBR40150PT
100
0.1
1
10
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
版本： A06
LITE -ON
半导体
MBR4030PT通4060PT
反向电压
- 30
to
60
伏
正向电流
- 40
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属，多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
whelling ，和极性保护应用
A
P
G
Q
O
针
1
2
3
TO-3P
F
E
TO-3P
分钟。
马克斯。
15.75
16.25
21.25
21.75
20.10
19.60
3.78
4.38
1.88
2.08
4.87
5.13
4.4TYP.
1.90
2.16
2.93
3.22
1.12
1.22
2.90
3.20
5.20
5.70
2.10
2.40
0.76
0.51
2.18
1.93
B
K
D
H
C
N
机械数据
案例： TO- 3P模压塑料
极性：标明阀体上
重量：0.2盎司， 5.6克
安装位置：任意
J
I
L
销1
3脚
L
M
销2
例
20 （典型值）
10 TYP
在毫米波所有尺寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
MBR
4030PT
30
21
30
MBR
4035PT
35
24.5
35
MBR
4040PT
40
28
40
40
400
10000
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
100
1.4
700
-55到+150
-55到+175
0.80
0.70
-
-
MBR
4045PT
45
31.5
45
MBR
4050PT
50
35
50
MBR
4060PT
60
42
60
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参见图1 ）
符号
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
@T
C
=
125 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
变化的电压率（额定VR ）
最大正向
电压（注1 ）
I
FSM
dv / dt的
A
V /美
V
I
F
= 20A @ T
J
=25 C
I
F
= 20A @ T
J
=125 C
I
F
= 40A @ T
J
=25 C
I
F
= 40A @ T
J
=125 C
反向电流最大DC
@T
J
=25 C
在额定阻断电压DC
@T
J
=125 C
典型热阻（注2 ）
典型结电容
每个元素（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
V
F
I
R
R
0JC
mA
C / W
pF
C
J
T
J
T
英镑
注： 1。 300US脉宽， 2 ％的占空比。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
C
C
REV 。 2 ， 01日-12月2000 KTH11
额定值和特性曲线
MBR4030PT通MBR4060PT
峰值正向浪涌电流，
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
40
图2 - 最大非重复浪涌电流
400
30
300
20
200
10
电阻或
感性负载
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
5
10
20
50
100
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
10
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流（ A）
瞬时
反向电流（毫安）
T
J
= 125 C
1.0
10
MBR4030PT MBR4045PT
0.1
T
J
= 75 C
MBR4050PT MBR4060PT
1.0
0.01
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
百分之额定峰值反向电压（ ％ ）
正向电压，伏
图5 - 典型结电容
10000
电容（PF ）
1000
T
J
= 25°C ， F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压，伏
REV 。 2 ， 01日-12月2000 KTH11
MBR4035PT-MBR4060PT
MBR4035PT - MBR4060PT
特点
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
0.245(6.2)
0.225(5.7)
0.645(16.4)
0.625(15.9)
0.323(8.2)
0.313(7.9)
0.078(1.98)
10°
30°
0.203(5.16)
0.193(4.90)
TO-3P/
TO-247AD
.17(4.3)
0.84(21.3)
0.82(20.8)
0.134(3.4)
0.114(2.9)
10°
典型值
两旁
1
0.16(4.1)
0.14(3.5)
0.795(20.2)
0.775(19.7)
2
3
0.086(2.18)
0.076(1.93)
0.127(3.22)
0.117(2.97)
0.118(3.0)
0.108(2.7)
销1
+
3脚
例
销2
40安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（重复）
i
F（浪涌）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.048(1.22)
0.044(1.12)
0.225(5.7)
0.205(5.2)
0.030(0.76)
0.020(0.51)
外型尺寸是：英寸（毫米）
参数
平均整流电流
.375 “引线长度@ T
A
= 125
°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） @ T
A
= 120°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
价值
40
单位
A
40
400
3.0
25
1.2
-65到+175
-65到+150
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
P
D
R
θJL
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
4035PT
4045PT
45
31
45
10,000
1.0
100
0.70
0.60
0.80
0.75
2.0
0.72
0.62
-
-
1.0
4050PT
50
35
50
4060PT
60
42
60
35
24
35
单位
V
V
V
V /美
mA
mA
V
V
V
V
A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
变化的电压率（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
I
F =
40 A，T
C
= 25°C
I
F =
40 A，T
C
= 125°C
峰值重复反向浪涌
当前
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR4035PT - MBR4060PT ，版本A
MBR4035PT-MBR4060PT
肖特基势垒整流器
（续）
典型特征
正向电流降额曲线
60
正向电流（ A）
50
40
30
20
10
0
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
400
300
200
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
100
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
50
10
MBR4035PT-MBR4045PT
反向特性
50
反向电流（mA ）
MBR4035PT-MBR4045PT
正向电流（ A）
T
A
= 150
C
T
A
= 25
C
10
T
A
= 125
C
MBR4050PT-MBR4060PT
1
1
MBR4050PT-MBR4060PT
T
A
= 75
C
0.1
MBR4035PT-MBR4045PT
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
T
A
= 25
C
MBR4050PT-MBR4060PT
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压（ V）
1
1.2
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
瞬态热阻抗（ C / W ）
典型结电容
5000
结电容（pF ）
瞬态热阻抗
100
2000
1000
500
MBR4050PT-MBR4060PT
MBR4035PT-MBR4045PT
10
1
200
100
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
0.1
0.01
0.1
1
10
T.脉冲持续时间（秒）
100
MBR4035PT - MBR4060PT ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
MBR4035PT
THRU
MBR40100PT
40.0安培。肖特基势垒整流器
电压范围
35至100伏特
当前
40.0安培
TO-3P/TO-247AD
特点
采用塑料材料进行保险商实验室
分类94V- 0
金属硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒0.17 “ （ 4.3毫米）的情况下，
机械数据
案例： JEDEC TO-3P / TO- 247AD模压塑体
终端：信息每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：标示
安装位置：任意
安装扭矩： 10 - 磅。最大
重量：0.2盎司， 5.6克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
MBR膜生物反应器
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
O
在Tc = 125℃
峰值重复正向电流（额定V
R
，广场
波，为20KHz ）在Tc = 120
o
C
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
峰值重复反向浪涌电流（注1 ）
最大正向电压（注2 ）
O
I
F
= 20A ，TC = 25℃
O
I
F
= 20A ，TC = 125℃
O
I
F
= 40A ，TC = 25℃
O
I
F
= 40A ，TC = 125℃
最大瞬时反向电流
@ TC = 25℃
R
ated
DC
闭塞
V
oltage
P
er
L
eg
@ T = 125 ℃ （注1 ）
变化的（额定V电压率
R
)
典型热阻每支架（注3 ）
工作结温范围
存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
4035
PT
35
24
35
4045
PT
45
31
45
MBR
4050
PT
50
35
50
40
40
MBR
4060
PT
60
42
60
MBR
4090
PT
90
63
90
MBR
40100
PT
100
70
100
单位
V
V
V
A
A
A
400
2.0
0.70
0.60
0.80
0.75
0.72
0.62
–
–
1.0
100.0
1.0
0.84
0.74
–
–
A
V
I
R
dv / dt的
RθJC
T
J
T
英镑
10,000
mA
mA
1,000
1.2
-65到+150
-65到+175
V /美
℃/W
℃
℃
注：1. 2.0us脉冲宽度， F = 1.0千赫
2.脉冲测试： 300US脉冲宽度，占空比1％
从结3.热阻时的每腿
- 202 -
额定值和特性曲线（ MBR4035PT THRU MBR40100PT ）
FIG.1-正向电流降额曲线
50
600
电阻或
感性负载
40
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流。 （ A）
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
500
400
300
30
20
200
MBR4
035PT
-MBR
4060P
T
10
MBR4
100
090P
T- MB
R
40100
PT
0
0
50
外壳温度。 （ C）
o
100
150
0
1
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向
特性每支架
50
FIG.4-典型的反向特性
每腿
50
瞬时正向电流。 （ A）
10
Tj=150
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
10
瞬时反向电流。 （MA ）
Tj=125
0
C
1
1
Tj=25
0
C
Tj=75
0
C
0.1
0.1
MBR4035PT-MBR4045PT
MBR4050PT & MBR4060PT
MBR4090PT-MBR40100PT
0.01
Tj=25
0
C
0.01
0
0.1 0.2
0.3 0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
正向电压。 （V ）
0.001
MBR4035PT-MBR4045PT
MBR4050PT & MBR40100PT
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容每支架
5,000
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
每腿
100
瞬态热阻抗。 （
O
C / W ）
100
结电容。 （PF ）
10
1,000
1
MBR4035PT-MBR4045PT
MBR4050PT & MBR4060PT
MBR4090PT-MBR40100PT
100
0.1
1
10
的反向电压。 （V ）
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间。 （秒）
10
100
- 203 -
MBR4030PT - MBR4060PT
40A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注3 ）
暗淡
A
B
TO-3P
民
1.88
4.68
20.63
18.5
2.1
0.51
15.38
1.90
2.9
3.78
5.2
0.89
1.82
2.92
11.70
最大
2.08
5.36
22.38
21.5
2.4
0.76
16.25
2.70
3.65
4.50
5.7
1.53
2.46
3.23
12.84
6.10
H
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
S
J
C
K
L
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： TO- 3P
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 亮锡。每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
订购信息：见最后一页
标记：型号数量
重量： 5.6克（近似值）
R
P
N
Q
D
M
N
P
Q
R
S
E
M
M
尺寸：mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 125°C
（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容
典型热阻结到外壳
变化的电压率（额定V
R
)
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
MBR
4030PT
30
21
MBR
4035PT
35
24.5
MBR
4040PT
40
28
40
MBR
4045PT
45
31.5
MBR
4050PT
50
35
MBR
4060PT
60
42
单位
V
V
A
A
400
0.70
0.60
1.0
100
1100
1.4
10,000
-65到+150
0.80
0.70
@ I
F
= 20A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 20A ，T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
（注2 ）
（注1 ）
V
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23019牧师8 - 2
1第3
www.diodes.com
MBR4030PT - MBR4060PT
Diodes公司
订购信息
设备
MBR4030PT
MBR4035PT
MBR4040PT
MBR4045PT
MBR4050PT
MBR4060PT
注意事项：
（注4 ）
包装
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
航运
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
4.包装信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
DS23019牧师8 - 2
3 3
www.diodes.com
MBR4030PT - MBR4060PT
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