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TRANSYS
电子
L I M I T E
MBR3520(R)
THRU
MBR35100(R)
肖特基二极管螺栓型
35 A
35Amp整流器
20-100伏
DO-4
特点
高浪涌能力
种类多达100V V
RRM
最大额定值
工作温度: -55℃ + 150
存储温度: -55℃至+175
M
C
B
N
最大
复发
产品型号
反向峰值
电压
20V
MBR3520 (R)的
30V
MBR3530 (R)的
MBR3535 (R)的
35V
MBR3540 (R)的
40V
MBR3545 (R)的
45V
MBR3560 (R)的
60V
MBR3580 (R)的
80V
MBR35100 (R)的
100V
最大
RMS电压
14V
21V
25V
28V
32V
42V
57V
70V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
J
P
D
G
F
A
E
电气特性@ 25
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
注(1)
最大
瞬时
正向电压
最大
瞬时
反向电流
额定DC阻断
注(1)
电压
最大热
性,
结到外壳
I
F( AV )
I
FSM
V
F
除非另有说明
35A
600A
0.68V
0.75V
0.84V
T
C
=110
注意事项:
1.标准极性:根根阴极
2.Reverse极性:根根阳极
尺寸
英寸
最大
10
-32
UNF3A
.437
.424
.505
-----
.600
.820
.422
.453
.075
.175
-----
.405
.310
-----
.413
-----
.065
.020
.060
.100
MM
最大
线程
标准极性
10.77
11.10
-----
12.82
15.24
20.82
10.72
11.50
1.91
4.44
-----
10.29
-----
7.87
10.49
-----
0.51
1.65
1.53
2.54
8.3ms的,半正弦
(MBR3530~MBR3545)
(MBR3560)
(MBR3580~MBR35100)
I
FM
= 35 A;牛逼
j
=25
I
R
1.5
mA
25
mA
T
J
= 25
T
J
=125
JC
1.5
/W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
J
M
N
P
安装力矩
KGF-厘米
11.0~13.4
线程
不润滑
注意:
(1)
脉冲测试:脉冲宽度300微秒,占空比
& LT ;
2%
MBR3520 (R)的直通
MBR35100(R)
100
60
40
图.1-典型正向特性
图.2-远期降额曲线
平均正向整流电流 - 安培
我nStantaneous正向电流
- 安培
放s
40
20
25 C
10
6.0
4.0
放s
125 C
30
20
10
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
30
60
90
120
150
180
0
特mperature -
2.0
1.0
100
图0.4 - 典型的反向特性
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
60
40
20
10
TJ = 175℃
正向电压 - 伏特
瞬时反向
泄漏
电流 - 穆勒
A
mperes
6
4
2
TJ = 125℃
1
600
图.3-峰值正向浪涌电流
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法T = 25
J
峰值正向浪涌电流-Amperes
安培
500
400
300
200
100
0
1
2
4
6
m
安培
0.6
0.4
0.2
0.1
.06
.04
.02
.01
T =75
J
8 10 20
周期
40
60 80 100
.006
.004
.002
T =25
J
20
30
40
50
60
70
80
90
100
周期在60Hz数 - 周期
.001
10
反向电压 - 伏特
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MBR3520
THRU
MBR35100
35
AMP
肖特基势垒
整流器器
20
100伏
DO-4
B
siliconrectifier金属, majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力,高电流能力
最大额定值
工作温度: -55 ° C到+ 175℃
存储温度: -55°C至+ 175℃
最大
复发
反向峰值
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
最大直流
闭塞
电压
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
MCC
产品型号
MBR3520
MBR3530
MBR3535
MBR3540
MBR3545
MBR3560
MBR3580
MBR35100
最大
RMS电压
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
56V
70V
N
M
C
J
P
H
F
G
D
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
MBR3520-3545
MBR3560
MBR3580-35100
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
I
F( AV )
I
FSM
35
A
600A
T
A
=110°C
8.3ms的,半正弦
I
FM
=
35.0A;
T
A
= 25°C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
M
N
P
E
A
尺寸
ES
10-32 UNF3A
.424
-----
.600
.422
.075
-----
.163
-----
-----
.020
.060
MM
最大
标准
极性
10.77
11.10
-----
12.82
15.24
20.32
10.72
11.50
1.91
4.44
-----
10.29
4.15
4.80
-----
7.87
-----
8.89
0.51
1.65
1.53
2.54
V
F
.68 V
.75 V
.84 V
I
R
1.5mA
T
A
= 25°C
最大
线程
.437
.505
.800
.453
.175
.405
.189
.310
.350
.065
.100
*脉冲测试:脉冲宽度300μsec ,占空比1 %
www.mccsemi.com
MBR3520
THRU
MBR35100
图1
典型的正向特性
200
100
60
40
20
25°C
AMPS 10
6
4
2
0
1
.6
.4
.2
.1
0.4
0.5
0.6
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
0.7
0.8
0.9
100
60
40
20
科幻gure
3
峰值正向浪涌电流
600
500
400
300
安培
200
100
.2
0
1
2
4
6
8 10 20
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
40
60 80 100
.1
.06
.04
.02
.01
10
6
4
2
毫安
1
.6
.4
安培
15
25
35
MCC
图2
远期降额曲线
30
20
10
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
75
100
°C
125
150
175
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
图4
典型的反向特性
T
A
=125°C
T
A
=25°C
20
40
60
80
100
120
10
www.mccsemi.com
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
奈纳半导体有限公司
肖特基功率二极管, 35A
特点
快速开关
低正向压降
高浪涌能力
高效率,低功耗
正向和反向极性
MBR3545通
MBR35100R
DO- 203AA (DO- 4)
最大额定值
(T
J
= 25
o
C,除非另有说明)
参数
TEST
条件
符号
MBR3545(R)
MBR3560(R)
MBR3580(R)
MBR35100(R)
单位
反向重复峰值电压
RMS反向电压
阻断电压DC
连续正向电流
浪涌非重复正向
目前,半正弦波
正向电压
T
C
≤ 110
o
C
T
C
= 25
o
C
I
F
= 35 A
T
J
= 25
o
C
V
R
= 20V,
T
J
= 25
o
C
V
R
= 20V,
T
J
= 125
o
C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
FSM
V
F
45
32
45
35
600
0.68
1.5
60
42
60
35
600
0.75
1.5
25
80
57
80
35
600
0.84
1.5
25
100
70
100
35
600
0.84
1.5
V
V
V
A
A
V
反向电流
I
R
25
25
mA
热&机械规格
(T
J
= 25
o
C,除非另有说明)
参数
符号
MBR3545(R)
MBR3560(R)
MBR3580(R)
MBR35100(R)
单位
o
最大热阻,结到
工作结温范围
储存温度
安装扭矩(非润滑线程)
允许大约重量
R
TH (JC)
T
J
T
英镑
F
W
1.5
-55到150
-55至175
2.0
5.0
C/
W
o
C
o
C
g
Nm
1
D- 95 ,扇区63 ,诺伊达 - 201301 ,印度电话: 0120-4205450 传真: 0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
奈纳半导体有限公司
包装外形
MBR3545通
MBR35100R
尺寸:mm
2
D- 95 ,扇区63 ,诺伊达 - 201301 ,印度电话: 0120-4205450 传真: 0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MBR35100
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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DO-4
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MBR35100
MCC
2024
18000
DO-4
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MBR35100
GeneSiC
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26820
DO-203AA
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