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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
MBR20150C
肖特基势垒
整流器器
描述
在UTC
MBR20150C
是肖特基势垒整流器高
结温能力。
初步
二极管
特点
*良好的权衡泄漏电流和正向电压降之间
*高结温能力
*低漏电流
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
MBR20150CL-TA3-T
MBR20150CG-TA3-T
MBR20150CL-TQ2-T
MBR20150CG-TQ2-T
MBR20150CL-TQ2-R
MBR20150CG-TQ2-R
注:引脚分配:A:阳极
K:阴极
TO-220
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
A
K
A
A
K
A
A
K
A
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 2
QW-R601-030.c
MBR20150C
初步
二极管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
经常峰值反向电压
V
RRM
150
V
RMS电压
V
R( RMS )
105
V
阻断电压DC
V
R
150
V
平均正向整流输出电流
I
OUT
20
A
T
J
=25℃,I
F
=10A
0.92
V
F
正向电压
V
T
J
=125℃,I
F
=10A
1075
T
J
=25℃
0.025
DC反向电流
mA
I
R
T
J
=125℃
5
非重复峰值正向浪涌电流
I
FSM
180
A
8.3ms单半正弦波
结电容(注1 )
C
J
320
pF
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-50 ~ +150
°C
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.应用V
R
= 4.0V和f = 1.0MHz的。
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 2
QW-R601-030.c
初步数据表
高压功率肖特基整流器
概述
高电压双肖特基整流器适用于开关
模式电源及其他电源转换器。
本装置适用于中压用
操作,并且特别地,在高频电路
其中,低开关损耗和低噪声的
所需。
该MBR20150C是提供标准, TO- 220-3 ,
TO- 220-3 (2)和TO- 220F -3包。
MBR20150C
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
J
V
F( MAX)的
2*10A
150V
150°C
0.75V
机械特性
特点
高浪涌能力
150 ° C工作结温
20 A总( 10每二极管腿)
保护环的敌人应力保护
PB- Free包可用
案例:环氧树脂,模压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
重量(大约):
1.9克(TO- 220-3 ,TO- 220-3 (2)
TO-220F-3)
表面处理:所有外部表面腐蚀
性和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
应用
电源
输出整流
电源管理
仪器仪表
TO-220F-3
TO-220-3
TO- 220-3 (2)
MBR20150C图1.封装类型
2009年6月
修订版1.0
1
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
高压功率肖特基整流器
引脚配置
牛逼套餐
(TO-220-3)
(TO- 220-3 ( 2))的
MBR20150C
3
2
1
A2
K
A1
TF包
(TO-220F-3)
图2. MBR20150C的引脚配置(顶视图)
MBR20150C图3.内部结构
2009年6月
修订版1.0
2
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
高压功率肖特基整流器
订购信息
MBR20150C
电路类型
T: TO- 220-3 / TO- 220-3 ( 2 )
TF : TO- 220F - 3
-
E1 :无铅
G1 :绿
空白:管
MBR20150C
TO-220-3/
TO-220-3(2)
TO-220F-3
产品型号
无铅
MBR20150CT-
E1
MBR20150CTF
-E1
标记ID
无铅
MBR20150CT-
E1
MBR20150CTF
-E1
绿色
MBR20150CT-
G1
MBR20150CTF
-G1
绿色
MBR20150CT-
G1
MBR20150CTF
-G1
填料
TYPE
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
在绿色封装与“G1 ”后缀的产品。
绝对最大额定值(每二极管腿) (注1 )
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
) T
C
= 134°C
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫)T
C
= 133°C
非重复峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下半波,单相,
60Hz)
工作结温范围(注2 )
存储温度范围
变化的电压率(额定V
R
)
ESD额定值:机器型号= C
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
J
T
英镑
dv / dt的
价值
150
10
20
待定
150
-55到150
待定
& GT ; 400
> 8000
单位
V
A
A
A
°C
°C
V / μs的
V
注1 :应力大于“绝对最大额定值”,可能会造成永久性的损坏
该设备。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在表示“推荐工作条件”是不是暗示。置身于“绝对
最大额定值“,长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 :产生必须小于从结到环境的热传导热: DP
D
/ DT
J
& LT ;
1/θ
JA
.
2009年6月
修订版1.0
3
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
高压功率肖特基整流器
推荐工作条件
参数
符号
θ
JC
最大热阻
θ
JA
结到
环境
MBR20150C
条件
结到外壳
价值
TO-220-3/
TO-220-3(2)
TO-220F-3
TO-220-3/
TO-220-3(2)
TO-220F-3
2.0
3.0
60
60
单位
° C / W
电气特性
参数
最大正向
电压降(注3 )
符号
V
F
条件
I
F
= 10A ,T
C
=25°C
I
F
= 10A ,T
C
=125°C
评级
DC
T
C
=125°C
评级
DC
T
C
=25°C
电压,
电压,
价值
0.9
0.75
20
单位
V
最大瞬时反转
电流(注3)
I
R
mA
0.05
注3 :脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
2009年6月
修订版1.0
4
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
高压功率肖特基整流器
典型性能特性
MBR20150C
100
10000
T
J
=150
°
C
正向电流(A )
1000
10
反向电流(
A)
100
T
J
=150
°
C
1
T
J
=125
°
C
T
J
=125
°
C
10
1
0.1
0.1
T
J
=25
°
C
0.01
0.1
0.01
T
J
=25
°
C
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压( V)
反向电压( V)
图4.典型正向电压每二极管
图5.典型的反向电流每二极管
20
平均正向电流( A)
15
10
5
0
90
100
110
120
130
140
150
160
外壳温度(
°
C)
Figure6 。平均正向电流与
外壳温度(广场,每二极管)
.
2009年6月
修订版1.0
5
BCD半导体制造有限公司
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联系人:许小姐
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