DA1175.008
2006年7月13日
MAS1175
集成电路10.00 - 20.00 MHz的VCTCXO
低功耗
宽电源电压范围
真正的正弦波输出
非常高集成度
电微调
相位噪声极低
低成本
描述
该MAS1175是集成电路适合于
建立VCTCXO移动通信。只有两个
需要的外部元件。温度
校准是实现了与三个校准点
只。修整是通过一条串行总线完成，并
校准信息被存储在内部
舞会。
要构建VCTCXO只有两个额外的
组件，一个变容二极管和一个晶体是必要的。
补偿的方法是完全模拟的。集成电路
补偿工作是不连续的
产生的任何步骤或其它干扰。
特点
非常小的尺寸
最低的电流消耗
宽工作温度范围
相位噪声<-130 dBc的/赫兹在1 kHz偏置
VCTCXO用于移动电话
应用
VCTCXO其他电信
系统
框图
DA
CLK
PV
VC
CUB
INF
SENS
LIN
4
4
F（ t）的
MAS1175
TE1
4
Σ
F（ t）的
8
T
VREF
TMUX
TE2
CDAC1
8
VDD
CDAC2
2
OUT
X2
X1
VSS
1 (9)
DA1175.008
2006年7月13日
引脚说明
引脚说明
电源电压
编程输入
串行总线时钟输入
串行总线数据输入
温度输出
测试多路输出
电压控制输入
晶体振荡器的输出
水晶/变容二极管振荡器输入
电源地
缓冲输出
符号
VDD
PV
CLK
DA
TE1
TE2
VC
X1
X2
VSS
OUT
X坐标
263
503
745
1001
1246
1454
190
398
1355
1828
2031
Y坐标
1330
1326
1321
1321
1325
1325
231
231
231
242
231
注意：
因为模具的衬底在内部连接到VDD时，模具必须被连接到VDD或
悬空。确保VDD是第一焊盘被粘合。拾取和放置，所有部件都组装
建议在ESD保护区进行。
注意：
垫坐标是从芯片到焊盘的中心的左下角测量。该
坐标可以根据锯切宽度和位置而变化，但是，焊盘之间的距离是准确的。
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
功耗
储存温度
注意：
不适用于编程引脚PV
符号
V
DD
- V
SS
V
IN
P
最大
T
ST
民
-0.3
V
SS
-0.3
-55
最大
6.0
V
DD
+ 0.3
20
150
单位
V
V
mW
o
C
记
1)
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电流
操作温度
储存温度
拉晶灵敏度
负载电容
符号
V
DD
I
CC
T
C
T
S
S
C
L
条件
VCC = 2.8伏
相对湿度
15%…70%
-30
-5
30
10
民
2.7
典型值
2.8
最大
5.5
1.8
+85
+40
单位
V
mA
o
C
o
C
PPM / PF
pF
2 (9)
DA1175.008
2006年7月13日
电气特性
参数
频带
电压控制范围
电压控制灵敏度
输出电压（为10kΩ // 10 pF的）
补偿范围± 2.5 PPM
补偿范围± 2.0 PPM
补偿范围线性部分
补偿拐点
补偿范围立方部分
补偿CDAC1 （ 8位）
补偿CDAC2 （ 2位）
启动时间
符号
f
o
V
C
V
CSENS
V
OUT
T
C
T
C
a1
INF
a3
C
X1
C
X2
T
开始
C10
C20
2
-30
-25
-0.7
25
95
C10 + 18
C20 + 4
民
10.00
0
10
1.0
85
75
0.0
31
典型值
最大
20.00
VDD
PPM / V
VPP
o
o
单位
兆赫
记
C
C
C
2)
3)
PPM / K
o
PPM
2
/K
3
pF
pF
ms
注2 ：
典型C10 = 14pF
注3 ：
典型C20 = 5pF的（变容二极管的电容，需要添加）
IC OUTLINES
VDD
PV
CLK
DA
TE1
TE2
MAS1175
1556 m
VC
X1
X2
VSS
OUT
死亡地图参考
2234 m
注1 ：
MAS1175A垫圆， 95微米直径的开口。
注2 ：
销PV和TE1不应连接和引脚CLK和DA可以连接到VSS或左
在VCTCXO模块最终用户应用程序中打开。
注3 ：
模具图的参考是锯芯片的实际左下角。
3 (9)
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