MBM29LV080A
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概述
该MBM29LV080A是16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个8位1M字节的内存。在1M字节
的数据被分成32个扇区的64K字节的灵活的擦除能力。的8位数据将出现在DQ
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到DQ
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。该MBM29LV080A是在一个40引脚TSOP （ I）封装。该设备被设计为被编程
在系统与标准系统3.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
该标准MBM29LV080A提供70纳秒到120纳秒访问时间，高速微允许操作
处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29LV080A是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令写入
以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29LV080A通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法，可以自动倍的程序的脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。抹去
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
这是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未之前编程
在执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证
正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29LV080A被擦除。
富士通已经实现了一个擦除挂起功能，使用户将擦除搁置任何时期
时间读取数据或程序数据到妈妈忙碌的部门。因此，真正的背景擦除就可以实现。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
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,
通过对DQ的触发位功能
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或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
comleted ，装置内部复位到读模式。
该MBM29LV080A也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后重置为
阅读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法，该装置自动复位到读
模式和将存储在所述地址位置被编程或擦除的错误数据。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29LV080A内存电擦除内所有的位
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个部门。该字节编程一个字节的时间使用
热电子注入的EPROM编程机制。
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