富士通微电子
数据表
DS05-13105-3E
FRAM内存
CMOS
256 K (32 K
×
8 ）位SPI
MB85RS256
■
描述
MB85RS256是FRAM （铁电随机存取存储器）芯片中的32768个词语的结构
×
8位，
使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成的非易失性存储
细胞。
MB85RS256采用串行外设接口（ SPI ） 。
该MB85RS256能够保持数据，而无需使用后备电池，因为是需要的SRAM 。
在MB85RS256中使用的存储单元可用于10
10
读/写操作，这是一个显著
改进了闪存和E支持的读取和写入操作次数
2
舞会。
MB85RS256用不了多久的时间来写不同于闪存，也没有ê数据
2
PROM和MB85RS256花费
没有等待时间。
■
特点
位配置
工作电源电压
工作频率
串行外设接口
工作温度范围
数据保留
高耐用性
包
:
:
:
:
:
:
:
:
32,768字
×
8位
3.0 V至3.6 V
15兆赫（最大）
SPI （串行外设接口）
对应于SPI模式0（0 ，0）和模式3（1 ，1）
20 °C
to
+85 °C
10年（ 55
°C)
10亿美元的读/写
8引脚塑料SOP （ FPT - 8P- M02 ）
版权所有2005-2009富士通微电子有限公司保留所有权利。
2009.8
MB85RS256
■
引脚分配
（ TOP VIEW ）
CS
1
8
V
CC
SO
2
7
HOLD
WP
3
6
SCK
GND
4
5
SI
(FPT-8P-M02)
■
引脚功能说明
引脚号引脚名称
功能说明
芯片选择
这是一个输入引脚使芯片的选择。当CS为“H”时，装置处于取消选择（待机）
状态，只要设备不是在内部写状态等成为高阻抗。其他投入
从引脚被忽略了这个时候。当CS为“ L”时，设备处于选择（激活）状态。 CS有
为输入操作码之前的“L” 。
写保护
这是一个引脚来控制写入状态寄存器。当WP为“L” ，写入到状态寄存器
没有被操作。
HOLD
该引脚用于中断串行输入/输出未做芯片取消。当HOLD
为“L” ，保持操作被激活， SO成为高阻抗， SCK和SI变得不在乎。
而保持操作， CS必须保留的“L” 。
串行时钟
这是一个时钟输入引脚输入/输出串行数据。 SI被同步地加载到一个上升
缘， SO同步输出到一个下降沿。
串行数据输入
这是串行数据的输入脚。此输入操作码，地址和写入数据。
串行数据输出
这是串行数据输出管脚。 FRAM存储器单元阵列和状态读取数据
寄存器的数据输出。这是高阻抗时待命。
电源电压
地
1
CS
3
WP
7
HOLD
6
SCK
5
SI
2
8
4
SO
V
CC
GND
2
DS05-13105-3E
MB85RS256
■
SPI模式
MB85RS256对应于SPI模式0 （ CPOL
=
0 ， CPHA
=
0 ）和SPI模式3 （ CPOL
=
1 ， CPHA
=
1) .
CS
SCK
SI
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
最低位
SPI模式0
CS
SCK
SI
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
最低位
SPI模式3
4
DS05-13105-3E
MB85RS256
■
串行外设接口（SPI ）
MB85RS256可以作为SPI的奴隶。大于2的设备可以通过使用微控制器装备被连接
与SPI端口。通过用不带SPI端口， SI微控制器，因此可以总线连接使用。
SCK
MOSI
MISO
SO
SI
SCK
SO
SI
SCK
SPI
微控制器
MB85RS256
CS
SS1
SS2
HOLD1
HOLD2
HOLD
MB85RS256
CS
HOLD
MOSI ：主出从入
MISO ：主入从出
SS
：从选择
系统配置与SPI端口
微控制器
SO
SI
SCK
MB85RS256
CS
HOLD
没有SPI端口的系统配置
DS05-13105-3E
5
QQ：2881677436 复制
