MBM29F033C
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概述
该MBM29F033C是32M位， 5.0 V -仅限Flash组织为每个8位4M字节的内存。在2M字节
数据被分成64K字节用于灵活的擦除能力64个扇区。数据的8比特将出现在DQ
0
到DQ
7
。该MBM29F033C是在一个40引脚TSOP封装。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准体系5.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
该标准MBM29F033C提供70纳秒到120纳秒让高速运转的访问时间
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F033C的命令集与JEDEC标准的单电源闪存标准兼容。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29F033C通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式
节目
TM
算法，它是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。每个扇区可以被编程并且在小于0.5秒验证。擦除完成
通过执行擦除命令序列。这将调用嵌入式擦除
TM
算法，它是一种
内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
该器件还具有一个扇区擦除架构。扇区擦除模式允许内存部门
被擦除和重新编程，而不会影响其他部门。一个扇区通常擦除和1内被证
第二个（如果已经完全预编程） 。从工厂发货时MBM29F033C被擦除。
该MBM29F033C器件还具有硬件部门组保护。此功能将禁用这两个节目
和擦除操作的八个部门团体的内存组合。
一个扇区组由四个
相邻扇区以下方式划分：部门0-3 ， 4-7 ， 8-11 ， 12-15 ， 16-19 ， 20-23 ， 24-27 ， 28-31 ， 32
35 ， 36-39 ， 40-43 ， 44-47 ， 48-51 ， 52-55 ， 56-59 ， 60-63和。
富士通已经实现了一个擦除挂起功能，使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据或程序数据到非繁忙扇区。因此，真正的背景擦除就可以实现。
该器件具有用于读取和编程功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
在电源转换禁止写操作。编程或擦除的结束是由数据轮询检测
DQ
7
，或触发位我上DQ功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
已完成时，设备自动地复位到读模式。
该MBM29F033C也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序或嵌入式擦除操作将被终止。内部状态机将被重置成
读取模式。 RESET引脚可以连接到系统复位迂曲。因此，如果一个系统复位发生
嵌入式程序或嵌入式擦除操作时，设备会自动复位到读
模式。这将使系统微处理器读取从Flash存储器的引导固件。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E
2
PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F033C内存电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该字节被编程一个字节时使用的EPROM
热电子注入编程机制。
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