MBM29DL32TF/BF
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)
（续）
MBM29DL32TF / BF被划分为四个物理存储; A银行， B银行， C银行和银行D，这是
认为是四个单独的存储器阵列的操作。这是富士通的标准为3.0 V只有闪存，
以允许一个正常的非延迟读取来自阵列的非繁忙银行存取的额外能力
而嵌入的写入（或一个程序或擦除）操作是同时发生的其他
银行。
在设备，全新的设计理念被称为FlexBank
TM
*
1
结构中实现。使用这个概念的
设备可银行1之间执行同步操作，由四家银行中选择一家银行，并
银行2 ，银行由其余三家银行的。这意味着，任何一家银行可以选择为银行1 。
（请参阅“ 1.同步操作”中的“ sFUNCTIONAL描述” 。 ）
该标准的设备提供的访问时间70 ns的，允许高速微处理器操作，而
等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE）和输出使能
（ OE ）控制。
该装置由引脚和指令集JEDEC标准E兼容
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法
TM
这是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
TM
这是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未之前编程
在执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证
正确的电池余量。
每个扇区通常被擦除并以0.5秒为验证（如果已经完全预编程） 。
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时，该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后，该装置在内部返回到读模式。
该器件还具有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式计划
算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后复位到读
模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序
TM
*
2
算法或嵌入式擦除
TM
*
2
算法，该装置是自动复位到
读模式并具有存储在所述地址位置的错误数据被编程或擦除。这些
位置需要复位后重写。复位装置使系统的微处理器读
引导固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该设备的内存电擦除整个芯片或全部
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个行业内的位。该字节/字编程一个字节/
字在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
* 1： FlexBank
TM
是富士通株式会社的商标。
* 2 ：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
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