AMD移动串行VID的双相
固定频率控制器
MAX17009
绝对最大额定值
V
DD1,
V
DD2,
V
CC
, V
DDIO
到GND _............................- 0.3V至+ 6V
PWRGD到GND _............................................... .......- 0.3V至+ 6V
FBDC_ ， FBAC_ ，
亲
以GND_ ...................- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
GNDS2 ， THRM ，
VRHOT
到GND _.............................- 0.3V至+ 6V
CSP_ ， CSN_ ， ILIM至GND _......................................- 0.3V至+ 6V
SVC ， SVD ， PGD_IN到GND _....................................- 0.3V至+ 6V
NBV_BUF ，
NBSKP
以GND_ .......................- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
REF ， OSC ，时间，是Option GND_ ..........- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
BST1 ， BST2至GND _............................................. 。 - 0.3V至+ 36V
BST1到V
DD1
.................................................. ........- 0.3V至+ 30V
BST2到V
DD2
.................................................. ........- 0.3V至+ 30V
LX1到BST1 ............................................... ...............- 6V至+ 0.3V
LX2到BST2 ............................................... ...............- 6V至+ 0.3V
DH1到LX1 .............................................- 0.3 V到（V
BST1
+ 0.3V)
DH2以LX2 .............................................- 0.3 V到（V
BST2
+ 0.3V)
DL1到GND _.............................................- 0.3 V到（V
DD1
+ 0.3V)
DL2到GND _.............................................- 0.3 V到（V
DD2
+ 0.3V)
GNDS1 ， GNDS_NB到GND _.................................- 0.3V至+ 0.3V
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
多层PCB （减免35.7mW / ° C以上+ 70 ° C） ..... 2857mW
单层PCB（减免22.2mW / ° C以上+ 70 ° C） .. 1778mW
工作温度范围.........................- 40 ° C至+ 105°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
图2 ，V的（电路
IN
= 12V, V
CC
= V
DD1
= V
DD2
=
SHDN
= PGD_IN = 5V ，V
DDIO
= 1.8V,
亲
= OPTION = GNDS_NB = GNDS_ =
GND_ ， FBDC_ = FBAC_ = CSP_ = CSN_ = 1.2V ，设定为1.2V代码的所有DAC的代码，
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。
典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
输入电源
V
IN
输入电压范围
V
CC
欠压锁定
门槛
V
CC
上电复位
门槛
V
DDIO
欠压锁定
门槛
静态电源电流（V
CC
)
静态电源电流
(V
DD1
, V
DD2
)
静态电源电流（V
DDIO
)
关断电源电流（V
CC
)
关断电源电流
(V
DD1
, V
DD2
)
关断电源电流（V
DDIO
)
参考电压
参考负载调节
REF故障锁定电压
V
REF
I
CC
I
DD1
, I
DD2
I
DDIO
SHDN
= GND
SHDN
= GND
SHDN
= GND
V
CC
= 4.5V至5.5V ，无负载REF
采购：我
REF
= 0 500μA
下沉：我
REF
= 0至-100μA
典型迟滞=一个85mV
1.986
-2
V
BIAS
V
DDIO
V
UVLO
V
CC
上升50mV的典型滞后
下降沿，典型迟滞= 1.1V ，
故障清除和DL_强制为高时，
V
CC
低于这个水平
V
DDIO
上升100mV的典型滞后
跳跃模式， FBDC_强迫高于其
监管点
跳跃模式， FBDC_强迫高于其
监管点
0.7
外部高边MOSFET的漏极
V
CC
, V
DD1
, V
DD2
4
4.5
1.0
4.10
4.25
26
5.5
2.7
4.45
V
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
1.8
V
0.8
5
0.01
10
0.01
0.01
0.01
2.000
-0.2
0.21
1.84
0.9
10
1
25
1
1
1
2.014
6.2
V
mA
A
A
A
A
A
V
mV
V
2
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