Warning: file_get_contents(https://uploadfile.51dzw.com/pdf_txt_cn/pdf1_html/FUJITSU/MBF110_datasheet_102013/pg_0002.txt): Failed to open stream: HTTP request failed! HTTP/1.1 404 Not Found in D:\website_51dzw\www.51dzw.com2024\2012\Include\Function.php on line 242
【MBF110固态指纹传感器概观富士通MBF110固态指纹传感器是直接联系人,网络指纹采集设备。它是一】,IC型号MBF110PFWLPES,MBF110PFWLPES PDF资料,MBF110PFWLPES经销商,ic,电子元器件-51电子网
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MBF110
固态指纹传感器
概观
富士通MBF110固态指纹传感器是直接
联系人,网络指纹采集设备。它是一种高性能,
低功耗,低成本,具有集成的二维电容传感器
的金属电极上的感应阵列中二维数组。每
金属电极用作电容器的一个极板与所述接触
科幻手指充当第二板。设备上的钝化层
表面形成这两个板之间的电介质。山脊和
在整个阵列的连接手指收益率变化的电容值的山谷,
被读以形成网络连接指纹的图像。
套餐
该MBF110的框图如图1所示。该
MBF110具有集成的8位佛罗里达州灰模拟 - 数字转换器
在MBF110在标准CMOS工艺制造,
数字化传感器阵列的输出。在网络指纹图像
可在一个80引脚, VSPA 80/1和80/1的LQFP 。 300
×
一个8位双向总线接口兼容上发送
300传感器阵列具有50
米间距,并产生一个500 dpi的图像。该
与大多数微处理器。
传感器表面由一个专利,超硬度,耐磨损的保护并
对于SETCUR的MBF110之间的电阻差异看脚
耐化学腐蚀的涂层。
信息表。
特点
非光固态器件
300
×
300传感器阵列, 50
米间距
1.5厘米
×
1.5厘米感应区
500 dpi的分辨率
工作于3V至5.5V
超硬保护涂层
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应用
- ATM
智能卡
80引脚SOP ( VSPA )
80引脚TSOP ( LQFP )
数据库和网络访问
便携式音响指纹采集
访问控制(家庭,汽车,音响CE等)
移动电话的安全访问
集成的8位佛罗里达州灰模拟 - 数字转换器
8位微处理器接口
标准CMOS技术
低功耗,小于200毫瓦
MBF110PFWLPES
MBF110
目录
芯片操作.....................................................................................................................................................................1
特色....................................................................................................................................................................2
MBF110引脚信息的SOP 80/1 .................................................................................................................................. 2
MBF110连接图................................................................................................................................................3
功能表......................................................................................................................................................................4
寄存器映射........................................................................................................................................................................4
地址寄存器说明.................................................................................................................................................4
RAL ( A3 - A0地址0000 )只写.............................................................................................................................4
低阶行地址寄存器................................................................................................................................4
RAH ( A3 - A0地址0001 )只写............................................................................................................................5
高阶行地址寄存器...............................................................................................................................5
CAL ( A3 - A0地址0010 ) Read/Write.............................................................................................................................5
低阶列地址寄存器...........................................................................................................................5
CAH ( A3 - A0地址0011 )只写.............................................................................................................................6
高阶列地址寄存器..........................................................................................................................6
DTR ( A3 - A0地址0100 )只写.............................................................................................................................6
放电时间寄存器............................................................................................................................................6
DCR ( A3 - A0地址0101 )只写.............................................................................................................................7
放电电流Register........................................................................................................................................7
RSR ( A3 - A0地址0110 )只写..............................................................................................................................7
Reserved..................................................................................................................................................................7
行采集和A / D转换时序.................................................................................................................................8
A / D转换器......................................................................................................................................................................8
特定网络阳离子........................................................................................................................................................................8
绝对最大额定值....................................................................................................................................................8
工作范围...................................................................................................................................................................8
直流电气特性..................................................................................................................................................8
电源特性,
(V
DD
= 5.5V ,女
OSC
= 40 MHz的标准温度Range)..................................................................................................9
电源特性,
(V
DD
= 3.6V ,商业级温度范围,女
OSC
= 20 MHz)的.............................................. .............................................. 9
读周期时序在V
DD
= 3.0V ,标准温度Range................................................................................................10
写周期时序在V
DD
= 3.0V ,标准温度Range...............................................................................................11
电和Initialization..................................................................................................................................................12
图像捕捉....................................................................................................................................................................13
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P
富士通微电子,
-1
微电子有限公司公司
固态指纹传感器
MBF110 - PFW1 , SOP ( VSPA ) - 80引脚封装.................................................................................................................. 14
MBF110 - PFW , TSOP ( LQFP ) - 80引脚封装.................................................................................................................. 15
MBF110焊盘Layout................................................................................................................................................. 16
制造业Considerations.............................................................................................................................................. 17
像素阵列特定网络阳离子.................................................................................................................................................... 17
MBF110订购信息............................................................................................................................................ 18
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0
富士通微电子股份有限公司。
富士通微电子股份有限公司。
MBF110
SETCUR
DCR
RAH
300 x 300
传感器阵列
A[3:0]
拉尔
CE1
CE2
RD
SELECT
逻辑
CAH
MUX
CAL
温度
传感器
WR
8位A / D
D[7:0]
数据
公共汽车
卜FF器
TEST
XTAL1
XTAL2
ENCLK
振荡器
芯片操作
传感器阵列是由300行和传感器300的列
板。相关联的每列是两个采样和保持
电路。一个网络指纹图象传感或在同一时间拍摄的一列。
这个“行捕获”发生在两个阶段。在网络连接第一个阶段中,
所选择的行的传感器板被预充电至V
DD
电压。
在该预充电期间,内部信号使音响第一个集
的采样和保持电路存储的预充电板的电压
该行。
在第二阶段中,传感器板的排排出用
电流源。在其中一个小区被排出的速率正比
以“放电电流”。经过一段时间(称为
“放电时间”)的内部信号使所述第二组的
采样和保持电路来存储网络连接纳尔板的电压。该
在预充电和放电板的电压之间的差值是一个
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RSR
DTR
控制逻辑
CLK出
阻力
传感器
RSENSE
CLK
图1 。
MBF110框图
测的传感器单元的电容。该行捕捉后,
行中的单元已经准备好以进行数字化。
芯片的灵敏度是通过改变放电调整
电流和放电时间。电流源的标称值
通过连接在SETCUR之间的外部电阻控制
引脚和地。电流源是从放电控制
电流寄存器( DCR ) 。放电时间是由控制
放电时间寄存器( DTR ) 。
该传感器阵列是面向行的设备。图像读出1
行的时间。高位行地址寄存器( RAH )和
低阶行地址寄存器( RAL )必须编程为
选择一行被捕获。写RAL开始连续捕获。
捕获时间是外部时钟和DTR的函数。
在放电周期之后,行元件的输出将是
存储在模拟采样和保持电路。
富士通微电子股份有限公司。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
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